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.,VDMOS工艺流程简介,InPowerSemiconductorApr.2012,.,主要内容MOSFET的结构;MOSFET的芯片制成工艺;封装测试工艺流程;MOSFET主要控制点;生产测试仪器的介绍,.,MOSFET的结构,.,芯片制造工艺流程,材料制备,氧化,SOURCE光刻,P-WELL注入,多晶注入,多晶光刻,多晶淀积,栅氧化,JFET注入,氧化,Active光刻,P+扩散,P+注入,Ring光刻,P-WELL退火,SOURCE注入,退火,PSG淀积,载流子寿命控制,PSG退火,接触孔光刻,AL溅射,钝化,钝化光刻,AL光刻、合金,减薄,背面蒸发,中测,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,最终器件结构,.,DiePicture,.,封装测试工艺流程,划片,装片,塑封,打印,电镀,键合,切筋,测试,包装,.,划片,.,装片,.,键合,.,塑封,.,打印,.,切筋,.,测试,.,编带包装,.,MOSFET重点监控点,.,生产测试仪器的介绍(在线控制),.,生产测试仪器的介绍(参数测试的),.,谢谢大家!,
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