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文档简介
报告人:XSX2014年1月6,HgCdTe红外探测器,HgCdTe红外探测器的诞生,合理的假设,HgTe:禁带宽度-0.3eV,CdTe:禁带宽度1.6eV,光子吸收率高,跃迁方式为带间跃迁,全波段相应,通过调节Cd组分的数值大小,碲镉汞材料的禁带宽度随之变化,HgCdTe光伏探测器结构,p-on-n:超高的探测器灵敏度,n-on-p:制造工艺简单,生产工艺,n-on-p:离子注入技术,消除辐射损伤,控制掺杂离子的扩散,激活杂质离子的电活性,p-on-n:受主掺杂,探测器器件优质比较,我国的研究情况,(1)2048元线列碲镉汞焦平面器件,(2)双色碲镉汞红外器探测器,2048元线列碲镉汞焦平面器件,2048像元分布,间接互联示意图,滤波片安装结构设计,杜瓦制冷器,探测器性能,碲镉汞光敏元响应光谱,碲镉汞焦平面器件响应率分布,探测器性能,达到的性能参数,器件局部512元系统成像,顺序模式双色碲镉汞红外探测器,光谱响应,性能参数,同时模式双色碲镉汞红外探测器,双色红外探测器的响应光谱,光谱窜音:3.8%4.4%,最大的HgCdTe短波红外焦平面阵列,阵列:20482048尺寸:1818,量子效率65.4%,不均匀性4.3%,中波:640480元阵列,77K,量子效率68%,NETD为0.013K,长波:256256阵列,工作温度7788K,量子效率7075,NETD为13mk,双色:美国雷神公司1280720阵列,像
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