CMOS流程图 PPT课件

一.双阱工艺*n阱的形成,1.外延生长,1,2.氧化生长,2,3.第一层掩膜（光刻1）“n阱注入”,3,4.n阱注入磷注入,4,5.退火,5,*p阱的形成1.第二层掩膜(光刻2)“p阱注入”,6,2.p阱注入硼注入,7,3.退火,8,二.浅槽隔离工艺*槽刻蚀1长隔离氧化层,9,2.氮化硅淀积Si3N4,10,3.第三层掩膜(光刻3)“浅槽隔离”,11,4.STI槽刻蚀在外延层上选择刻蚀开隔离区,12,去光刻胶,13,*STI氧化物填充1.沟槽衬垫氧化硅,14,2.沟槽CVD氧化物填充,隔离槽CVD氧化硅,15,*STI氧化层抛光氮化物去除1.沟槽氧化物抛光(CMP),16,2.氮化物去除,17,三多晶硅栅结构工艺1栅氧化层的生长,18,2多晶硅淀积,19,3第四层掩膜(光刻4)“多晶硅栅”,20,4多晶硅栅刻蚀,21,四轻掺杂漏注入工艺*n-轻掺杂漏注入1第五层掩膜(光刻5)“n-LDD注入”,22,2n-LDD注入砷注入,23,*p-轻掺杂漏注入1第六层掩膜(光刻6)“p-轻掺杂注入”,24,2p-LDD注入BF2注入,25,五侧墙的形成1淀积二氧化硅,26,2二氧化硅反刻用各向异性等离子刻蚀机进行侧墙反刻,27,六源/漏注入工艺*n+源/漏注入1第七层掩膜(光刻7)“n+源/漏注入”,28,2n+源漏注入砷注入,29,*p+源/漏注入1第八层掩膜(光刻8)“p+源/漏注入”,30,2p+源/漏注入硼注入,31,3退火,32,七接触(孔)的形成*钛金属接触的制作1钛的淀积钛淀积,33,2退火钛硅化物接触形成,34,3钛刻蚀,35,八局部互连(LI)工艺*LI氧化硅介质的形成1氮化硅化学气相淀积氮化硅CVD,36,2掺杂氧化物的化学气相淀积,37,3.氧化层抛光（CMP）,38,4第九层掩膜(光刻9)“局部互连”,39,局部互连刻蚀,40,*LI金属的制作1.金属钛淀积(PVD工艺),41,2.氮化钛(TiN)淀积,42,3.钨淀积(CVD工艺),43,4.磨抛钨(CMP工艺),44,九通孔1和钨塞1的形成*通孔1的制作1第一层层间介质氧化物淀积（CVD）,45,2氧化物磨抛（CMP）,46,3第十层掩膜(光刻10)“ILD-1”,47,第一层层间介质刻蚀,48,*钨塞1的制作1.金属淀积钛阻挡层（PVD）2.淀积氮化钛（CVD）3淀积钨（CVD）,49,4.磨抛钨（CMP）,50,十第一层金属（金属1）互连的形成*金属1互连的制作1金属钛阻挡层淀积（PVD）,51,2淀积铝铜合金（PVD）,52,3淀积氮化钛（PVD）,53,4第十一层掩膜(光刻11)“金属1互连”,54,金属刻蚀,55,十一.通孔2和钨塞2的形成*通孔2的制作1.ILD-2间隙填充2ILD-2氧化物淀积,56,3ILD-2氧化物平坦化（CMP）4第十二层掩膜(光刻12)ILD-2刻蚀,57,*钨塞2的制作1金属淀积钛阻挡层（PVD）,58,2淀积氮化钛（CVD）,59,3淀积钨（CVD）4磨抛钨（CMP）,60,十二.第二层金属（金属2）互连的形成*金属2互连的制作1淀积、刻蚀金属22填充第三层层间介质间隙3