曝光机要点技术PPT幻灯片

TextC,报告者:沐俊应日期:2010.01.28,曝光过程简介曝光Recipe详细项目曝光工艺要素,内容,曝光过程简介,曝光Cycle,曝光过程简介,PA过程,先在CP(CoolingPlate)上进行PA(Pre-alignment)再用精密Robot将基板转移到曝光stage上CPStage上有CP/异物感知Sensor(Scan)/PA三个功能,曝光过程简介,Gap控制,Gap检出开始位置：glass与mask之间的gap:700Gap控制后，误差范围:10以内露光Gap:100300um,曝光过程简介,Alignment,根据PhotoMask和Glass的AlignmentMark图像，计算Mark的相对位置移动AlignmentStage或PhotoMask的位置补正,使MaskMark中心与GlassMark中心相吻合。,超高压水银Lamp:16KW,对波长为365nm_PR有反应的波长带椭圆Mirror:集中Lamp的光用平面Mirror反射平面Mirror1,2,3:使光的路径发生改变用球面Mirror进行反射Flyeyelens:使照度和光变均一球面Mirror:用平行光调整光的路径,UV光路系统,曝光过程简介,UVLamp管理,曝光过程简介,曝光量=照度时间,用BorderShutter控制露光Area用BorderShutter减小GrayZone,曝光Area控制,曝光过程简介,光化学反应,曝光过程简介,曝光Recipe详细项目,曝光Recipe详细项目,曝光Recipe详细项目,曝光Recipe详细项目,1)17”model的曝光Offset,ReviewStation(Stage移动坐标基准),2)19”model的曝光Offset,ReviewStation(Stage移动坐标基准),曝光机内部（stage坐标）,曝光机内部（stage坐标）,曝光工艺要素技术Offset调整,TP是表示Glass基板内Cell的配置的特性值.-与TFT基板Assay时Cell位置要一致.-Cell位置偏离时有光Leak不良Issue发生.,Cell形态及TPMark位置,TPMark形态,Glass内所有Cell,光Leak,Normal,曝光工艺要素技术TotalPitch,Totalpitch是由PhotoMask和基板膨胀差异产生的，在BM曝光机里要补正totalpitch和歪曲，使之与品质规格一致。,曝光工艺要素技术TotalPitch,曝光机温度管理项目主要为CP、Stage、Chamber、Mask的温度固定Mask温度，调整CP/Stage/Chamber温度，使TP值达到水平,曝光前，会对mask进行加热至稳定温度，确保曝光过程中Mask不升温。,曝光工艺要素技术TotalPitch,各4边设计值对比:3.5各Cell别4point设计值对比:3.0,3.0,测定原点,测定基准线,曝光工艺要素技术Shot位置偏差,Shot位置偏差的应对措施-StageOffset调整（Stage位置调整（100um大幅调整）：对glass各个Panel的中心坐标进行修改，从而改变panel间相对位置,曝光工艺要素技术Shot位置偏差,从GlassEdge到BM边缘的距离,从Glass上面可看到整个Shot的模样.-位置精度偏离可能引起与TFT基板Assay时Cell位置发生偏离的现象.-各号机间发生200um以上的差异时在BGR,PS曝光机中AlignmentError多发,各号机间偏差较大时会发生BGRMissAlign.,H:HorizontalV:Vertical,曝光工艺要素技术位置精度,只需调节Shot1的Offset，使得位置精度达到规格要求。,曝光工艺要素技术位置精度,BMCD作用为区隔BGR之间的领域光不透过的领域-BM领域(CD)宽度会影响到色度(Chromaticity)因此设计产品时应考虑到此问题.BMCD领域的大小可能会引起BGROverlay及光Leak不良的发生.,BMCD(CriticalDimension),实际BMPattern及SEM图片,曝光工艺要素技术CD,一般比起Gap，更多的是调整曝光量，使BM,RGB所有值均与设定值一致。考虑到Tacttime在调整曝光量后，通过变更显影时间来调整线幅。,曝光工艺要素技术CD,曝光工艺要素技术CD,RGBResist都在90mJ以上时Pattern状态良好.只是BLU的情况在130mJ以下时Edge线呈现不均一的模样,曝光工艺要素技术CD,管理Pattern在BM上是否稳定.Pattern向一方位置倾斜时发生漏光或者与旁边的Pattern重叠，成为Mura,曝光工艺要素技术BGRPatternOverlay,BGRPatternOverlay测定位置及方法,曝光工艺要素技术BGRPatternOverlay,通过stageoffset调整,修正Overlay,B,曝光工艺要素技术BGRPatternOverlay,23C,22.5C,曝光工艺要素技术BGRPatternOverlay,通过温度调整,修正Overlay,1)曝光机的光谱,300mm400mm基板用lens,200mm200mm基板用lens,2)曝光量及照度实测值,300mm400mm基板用LENS,200mm200mm基板用LENS,303nm,j-Line313,334nm,i-Line,h-Line,g-Line,无filter,无filter,曝光工艺要素技术曝光对PS的影响,3)波长vs.PS高度,未使用,曝光工艺要素技术曝光对PS的影响,4)显影后PS形象,曝光工艺要素技术曝光对PS的影响,AirBubble原因:Assay时液晶不足C/F基板和TFT基板之间形成空间PS高度比基准高度高时措施:减少Coater吐出量缩短曝光GapPost-Bake再进行重力不良原因:Assay时液晶量过多C/F基板和TFT基板之间Swelling引起.PS高度比基准高度低措施:增加Coater吐出量拉大曝光Gap,由PSHeight变化引起的液晶不良的发生,曝光工艺要素技术PS高度及Size,PS高度测定方法在Blue&RedPatternBase上测定PS高度,PSSize测定方法计算PS高度结合高度%进行Size测定,PS高度及Size测定位置PS测定位置按照Cell别存在差异Cell多-每Cell1PointCell小-每Cell23PointCell工程Recipe协议预定,曝光工艺要素技术PS高度及Size,根据PS位置精度有可能影响PS高度的变化作为支持TFT/CF的隔垫物如位置不准确会使TFT信号LINE发生问题,PS位置测定位置曝光机Shot别测定角落4部分,PS位置测定方法利用ReviewImageX50测定测定地点,曝光工艺要素技术PS高度及Size,EXPGap-size,EXPdose-size,曝光工艺要素技术PS高度及Size,RecoverySpec:70%以上,由于PS回复率变化引起的液晶不良发生液晶敲打不良原因:PhotoSpacer弹性检查以后无法PS的现象措施:PSSize变更PS曝光量变更PSMain-