三极管开关特性(经典)_第1页
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文档简介

2.1.1理想开关的开关特性,一、静态特性,1.断开,2.闭合,2.1半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性,二、动态特性,1.开通时间：,2.关断时间：,普通开关：静态特性好，动态特性差,半导体开关：静态特性较差，动态特性好,几百万/秒,几千万/秒,2.1.2半导体二极管的开关特性,一、静态特性,1.外加正向电压(正偏),二极管导通(相当于开关闭合),2.外加反向电压(反偏),二极管截止(相当于开关断开),硅二极管伏安特性,阴极,A,阳极,K,PN结,二极管的开关作用：,例,uO=0V,uO=2.3V,电路如图所示，,试判别二极管的工作状态及输出电压。,二极管截止,二极管导通,解,二、动态特性,1.二极管的电容效应,结电容Cj,扩散电容CD,2.二极管的开关时间,电容效应使二极管的通断需要一段延迟时间才能完成,(反向恢复时间),ton开通时间,toff关断时间,一、静态特性,NPN,2.1.3半导体三极管的开关特性,发射结,集电结,b,iB,iC,e,c,(电流控制型),1.结构、符号和输入、输出特性,(2)符号,(Transistor),(1)结构,(3)输入特性,(4)输出特性,放大区,截止区,饱和区,发射结正偏,放大,iC=iB,集电结反偏,饱和,iCiB,两个结正偏,ICS=IBS,临界,截止,iB0,iC0,两个结反偏,电流关系,状态,条件,2.开关应用举例,发射结反偏T截止,发射结正偏T导通,放大还是饱和？,饱和导通条件：,因为,所以,二、动态特性,2.1.4MOS管的开关特性,(电压控制型),MOS（MentalOxideSemiconductor）金属氧化物半导体场效应管,一、静态特性,1.结构和特性：,(1)N沟道,栅极G,漏极D,B,源极S,3V,4V,5V,uGS=6V,可变电阻区,恒流区,UTN,iD,开启电压UTN=2V,衬底,漏极特性,转移特性,uDS=6V,截止区,P沟道增强型MOS管与N沟道有对偶关系。,(2)P沟道,栅极G,漏极D,B,源极S,iD,衬底,开启电压UTP=-2V,参考方向,2.MOS管的开关作用：,(1)N
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