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文档简介

DLAS技术原理培训,市场部-许鹏,Copyright2005FPIinc,allright,2,产品基本情况,Copyright2005FPIinc,allright,3,吸收光谱技术,吸收光谱技术半导体激光吸收光谱（DLAS）技术,Copyright2005FPIinc,allright,4,吸收光谱技术,能级的概念,E2-E1=hn,分子能量表现,旋转,振动,电子跃迁,Copyright2005FPIinc,allright,5,分子光谱,每两个能级对应一根吸收谱线在低分辨率光谱上表现为谱带,Copyright2005FPIinc,allright,6,浓度测量公式,透过率曲线,测量基本公式,吸收率absorbance,关键因素F(Absorbance,T,P,L),Copyright2005FPIinc,allright,7,公式说明,在波长一定的情况下，S线强由两方面因素决定：分子跃迁上，下能级的波函数由分子结构等性质决定分子的集居（Population)与温度相关,Copyright2005FPIinc,allright,8,公式说明,线型函数产生原因：测不准原理影响因素：温度/压力归一性：面积不变,Copyright2005FPIinc,allright,9,DLAS技术,DLASDiodeLaserAbsorptionSpectroscopy半导体激光吸收光谱与传统吸收光谱相似，基于受激吸收效应并遵循BeerLambert公式采用半导体激光器为光源，并可采用调制吸收光谱技术（TDLAS）发展历史：上世纪六十年代，激光器发明上世纪七、八十年代，激光吸收光谱技术逐步应用于科学实验的精密测量上世纪九十年代，半导体激光器和光纤元件大规模商用化上世纪九十年代，欧美国家开始DLAS技术产业化研究,Copyright2005FPIinc,allright,10,DLAS技术,使用半导体激光器作为光源单色性好，即光的波长宽度窄。（其他的电化学方法）气相色谱：利用色谱柱进行分离，进行分析,Copyright2005FPIinc,allright,20,半导体激光器,按激光器类型端面发射激光器（DFB,DBR）垂直腔表面发射激光器(VCSEL）,按激光的传输方式光纤式非光纤式,按测量气体测量O276Xnm波段（可见光）测量CO，CO215XXnm波段测量HCL17XXnm波段测量CH416XXnm波段测量H20近红外,Copyright2005FPIinc,allright,21,DLAS
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