二极管三极管场效应管试题

半导体器件测试题一、填空(40分)I(mA)V(v)00.5-50 1、纯净的半导体称为 ，它的导电能力很 。在纯净的半导体中掺入少量的 价元素，可形成P型半导体，又称 型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 。 2、如图，这是 材料的二极管的_ 曲线，在正向电压超过 V后，二极管开始导通，这个电压称为 电压。正常导通后，此管的正向压降约为 V。当反向电压增大到 V时，即称为 电压。其中稳压管一般工作在 区。 3、二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。4、二极管的主要参数有 _、_和 。5、晶体三极管是_控制器件。三极管按材料分为_ 和 两种类型，而每一种又有 和 两种结构形式。6、三极管有放大作用的外部条件是发射结_，集电结_。工作在饱和区时发射结 偏；集电结 偏。7、三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作于 时，Ic=0；当三极管工作于 区时，关系式Ic=Ib才成立；当三极管工作在 区时。8、三极管的电流分配关系是 。9、场效应管是利用 电压来控制 电流大小的半导体器件。10、场效应管的转移特性曲线是指在一定的 下， 和 之间的关系。场应管的输出特性曲线划分为_、_和 三个区。二、判断题（14分） 1、( )将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN结。 2、（ ）P型半导体带正电，N型半导体带负电。 3、（ ）硅的导通电压为0.3V，锗的导通电压为0.7V 。 4、（ ）二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。 5、（ ）二极管只要加上了正向电压，就一定能导通。 6、（ ）三极管的中ICEO的值体现了温度稳定性，越大说明三极管热稳定性越高。7、（ ）对于三极管来说，只要发射结正偏集电结反偏就工作在放大状态。8、（ ）三极管可以用两个二极管来替代。9、（ ）三极管有放大作用，把基极能量放大成集电极电流输出。10、（ ）硅三极管比锗三极管稳定。11、（ ）场效应管是电流控制型器件。 12、（ ）结型场效应管可分为增强型与耗尽型两种。 13、（ ）场效应管的跨导反映了VGS对ID的控制能力。 14、（ ）开启电压VT是耗尽型场效应管和重要参数。 三、选择题（26分）1、半导体的导电能力（ ）。A.与导体相同 B.与绝缘体相同 C.介乎导体和绝缘体之间2、当温度升高时，半导体的导电能力将（ ）。A.增强 B .减弱C.不变3、P型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（ ）。A.带正电B.带负电 C.不带电4、将PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将（ ）。A.变宽B.变窄C.不变5、电路如图所示,所有二极管均为理想元件，则D、D、D的工作状态为（）。A.D导通，D、D截止 B.D、D截止，D3导通C.D、D截止，D导通 D.D、D、D均截止6、二极管的死区电压随环境温度的升高而（ ）。A.增大B.不变C.减小7、测 得电路中工作在放大区的某晶体管三个极的电位分别为0V、0.7V和4.7V，则该管为（）。A.NPN型锗管 B.PNP型锗管 C.NPN型硅管 D.PNP型硅管8、工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（ ）。A.发射结正偏，集电结反偏 B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结、集电结均反偏 D.发射结、集电结均正偏9、某效应管的符号如图所示，则该场效应管应为（）。A.P沟道耗尽型B.P沟道增强型C.N沟道增强型10、某场效应管的转移特性如图所示，则此场效应管为（）。A.绝缘栅N沟道耗尽型B.绝缘栅P沟道耗尽型C.绝缘栅N沟道增强型 11、在焊接场效应管时，电烙铁需要有外接地线或先断电后再快速焊接，其原因是（）。A.防止过热烧坏 B.防止栅极感应电压过高而造成击穿 C.防止漏、源极间造成短路12、晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的，ICBO，UBE的变化情况A.增大，ICBO和UBE减小 B.和ICBO增大，UBE减小C.和UBE减小，ICBO增大 D.，ICBO，UBE都增大四、分析计算题（22分）ABV1V21K12V6V1、如图，V1、V2为理想二极管。 分析V1 、V2状态 求VAB （5分） 2、图中，V为硅二极管。求S分别与A、B接通时V的状态和VMN的值（5分） R10V10VABMNVS 1、 3、3V3.7V3.3V(d)判断图示三极管的工作状态。（6分）3V2V6V(b)0.7V5V0V(a)-