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文档简介

2.3MOS场效应晶体管,场效应管,结型场效应三极管JFET,绝缘栅型场效应三极管IGFET,JunctiontypeFieldEffectTransistor,InsulatedGateFieldEffectTransistor,分类,N沟道,P沟道,金属氧化物半导体三极管,MOSFETMetalOxideSemiconductorFET,增强型,耗尽型,N沟道,P沟道,N沟道,P沟道,MOS管结构,动画23,以N沟道增强型MOS管为例,G栅极（基极）S源极（发射极）D漏极（集电极）B衬底,N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极,MOS管工作原理,以N沟道增强型MOS管为例,正常放大时外加偏置电压的要求,问题：如果是P沟道，直流偏置应如何加？,栅源电压VGS对iD的控制作用,VGS|VP|时所对应的漏极电流。,输入电阻RGS,MOS管由于栅极绝缘，所以其输入电阻非常大，理想时可认为无穷大。,饱和漏极电流IDSS,场效应管参数,低频跨导指漏极电流变化量与栅压变化量的比值，可以在转移特性曲线上求取。,最大漏极功耗PDM,最大漏极功耗可由PDM=VDSID决定，与双极型三极管的PCM相当。,低频跨导gm,BJT与FET的比较,BJT与FET的比较,F
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