LED专业术语演示幻灯片

LED专业术语,LED类型,1.直插式LED（DualIn-linePackageLED（DIP-LED）：带有正负极引线，适用于通孔插入安装工艺的LED2.贴片式LED（SurfaceMountedDevicesLED（SMD-LED）：正负电极在封装基板上，适用于表面安装工艺的LED。包括Chip-LED，TOP-LED和Side-LED。3.单色光LED（monochromaticlightLED）：发出单一颜色光的LED,如红色，绿色，蓝色，黄色，紫色等4.白光LED（whitelightLED）：用单色芯片加荧光粉或者多色芯片组合合成白色光的LED5.小功率LED（lowpowerLED）:单芯片工作电流在100mA（含100mA）以下的发光二极管6.大功率LED(power-LED):工作电流在100mA以上的发光二极管,7.LED模块(LEDmodule):由单个或多个发光二极管芯片和驱动电路、控制电路封装在一起，带有连接接口并具有发光功能且不可拆卸的整体单元8.LED组件(LEDdiscreteness):由LED或LED模块和电子元器件组合在一起，具有一定功能并可维修或拆卸的组合单元9.LED数码管(LEDnixietube):采用LED显示数字或字符的器件或模块10.LED显示器(LEDdisplay):采用LED显示数字、符号或图形的器件或模块11.LED背光源(LEDbacklight):采用LED作光源，为被动显示提供光源的LED器件或模块,LED芯片(Light-emittingdiodechip):具有PN结结构，有独立正负电极，加热后可辐射发光的分立半导体器件注：Die是一个功能完整的芯片，一个Die也叫一个Chip，一个Field可包含多个Die。2.使用寿命(workinglife):系指发光二极管亮度达到初始值一半或百分之七十的时间，不同的芯片使用在不同的环境中会有不同的使用寿命。3.老化(ageing):LED发光亮度随着长时间工作而出现光强或光亮度衰减现象。注：老化是一种不可逆的变化。但是人们可以通过对芯片老化过程的研究，采取适当的防老化措施，提高芯片的耐老化的性能，延缓老化的速率，以达到延长使用寿命的目的。,LED基本术语：,4.欧姆接触(ohmiccontact):电压-电流特性遵从欧姆定律的非整流性的电和机械接触5.PN结的击穿(PNjunctionstriking):当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。6.分选(sorting):按不同参数（例如电压、电流、波长、光强等）对芯片进行分档测试选择，即将大圆片按照条件表分成规格一致的方片.,1.可见光/可见辐射(visiblelight/visibleradiation):能直接引起视觉的光学辐射，其波长范围一般在380-780nm之间2.光通量(luminousflux-v（lm）):光源单位时间内所发出之人眼可见的光能量单位：流明（lm），1流明(lumen或lm)定义为一国际标准烛光的光源在单位立体弧角内所通过的光通量。光通量实际上是辐射通量的一部分，是辐射能中能引起人眼光刺激的那一部分辐射通量3.发光强度(luminousintensity-Iv（cd）):发光强度是指光源在指定方向的单位立体角内发出的光通量。单位：坎德拉（cd），又称为lm/sr。光源辐射是均匀时，则光强为I=F/为立体角，单位为球面度（sr）；F为光通量，单位是流明（lm），对于点光源有I=F/4,LED光学特性：,4.辐射通量(radiantflux):光源单位时间内所发出之辐射通量。单位：mw5.辐射强度(radiantintensity):单位立体角内光源发出的辐射通量。单位：mw/sr6.发光效率(luminousfluxefficiency-v(lm/w):发光效率是指LED在规定的电功率下（也可以在规定的电流下）所发射出的光功率的大小。,7.发光亮度L（cd/m2)(luminance):光源在某一方向上的亮度是光源在该方向上的单位投影面积、单位立体角中发射的光通量。即：光源在某一方向上单位面积所发出的光强度。单位：cd/m2注1：1m2的面光源在其法线方向的光强为1cd,则光源在该方向的亮度为1cd/m2注2：在三安光电股份有限公司，芯片参数-发光亮度的英文代码为LOP8.照度E（lx勒克斯）(illuminance):被照物体单位面积上所接受的光通量。单位：勒克斯（lx）注：1lm的光通量均匀地照射在1平方米的面积上的照度为1lx9.峰波长(peakwavelength-p(nm):光谱辐射功率最大的波长。注：在三安光电股份有限公司，芯片参数-峰波长的英文代码为WLP,10.主波长(dominantwavelength-d(nm):用某一光谱颜色按一定比例与一个确定的参照光源（如CIE标准光源A、B、C，等能光源E，标准照明体D65）相混合而匹配出样品色，该光谱色的波长就是样品的主波长。单位：nm。注：在三安光电股份有限公司，芯片参数-主波长的英文代码为WLD11.半宽度(fullwidthathalfmaximum):是指1/2峰值光强所对应两波长之间隔。以FWHM表示，单位：nm。它表示发光管的光谱纯度.注：在三安光电股份有限公司，又称为半高宽。芯片参数-半高波宽的英文代码为HW12.光轴(opticalaxis):主辐射能分布中心的一条直线注：除非另有规定，光轴即为最大辐射能的方向13.半强度角(half-intensityangle):发光强度值为光轴向强度值一半时光束方向与光轴向（法向）的夹角14.立体角(solidangle):以立体角的顶点为球心，以r为半径作一个球面，则此立体角为其边界在此球面上所截的面积dS与半径r的平方之比。,15.色品坐标(x,y)(Chromaticitycoordinate):一种三色刺激值中的每一值与与它们的总和之比。在CIE标准色度系数中，色坐标用系数x、y、z表示。即颜色的坐标，色坐标精确表示了颜色。注：ST/T11395-2009,定义3.7.616.相关色温Tc(K)(correlatedcolortemperature):黑体轨迹上，和某一光源的色品坐标相距最近的那个黑体的绝对温度，即为该光源的相关色温注：GB/T5853-1986,定义3.3117.显色指数Ra(colorrenderingIndex):光源显色性的度量。以被测光源下物体的颜色和参照光源下物体的颜色的相符合程度来表示。国际照明委员会CIE把太阳的显色指数定位100注：ST/T11395-2009,定义3.7.118.色饱和度(colorsaturation):色饱和度也称为色纯度（Purity），是指彩色的纯洁性。在x-y色度图中，光谱色轨迹所代表的各种波长的单色光，其纯度最高，色饱和度规定为100%。,LED电学特性,1.正向电压（forwardvoltage-VF(V)）：通过LED器件的正向电流为确定值时，在两极间产生的电压降。可用来表征器件在此电流下的电阻；因为半导体的VF-I特性是非线性的，具体应用时理论上每个管子的VF都要单独测试。2.正向电流（forwardcurrent-IF(mA)）：发光二极管正常发光时，流过LED器件的电流。3.反向电压（reversevoltage-VR(V)）：LED器件通过的反向电流为确定值时，在两电极间所产生的电压降。4.反向电流（reversecurrent-IR(A)）：加在LED器件两端的反向电压为确定值时，流过LED器件的电流5.总电容（capacitance-C(F)）：在规定正向偏压和规定频率下，发光二极管两端的电容,6.电压-电流特性/I-V曲线（voltage-currentcharacteristic）：发光二极管的电压与电流的函数关系曲线。7.最大正向直流电流（voltage-currentcharacteristic）：发光二极管的电压与电流的函数关系曲线。8.最大正向直流电流（maximumforwardDCcurrent-IFM(mA)）：允许通过LED的最大的正向直流电流，超过此值可损坏二极管9.最大正向脉冲电流（maximumforwardpulsecurrent-IFP(mA)）：允许通过LED的最大的正向脉冲电流10.最大反向电流（maximumreversecurrent-IR(A)）：允许通过LED的最大的反向直流电流11.最大反向电压（maximumreversevoltage-VZ(V)）：允许加于LED两端的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。注：也称击穿电压（breakdownvoltage）VBR,12.允许功耗，又称额定功耗（ratedpowerconsumption）：允许加于LED两端电功率的最大值。超过此值，LED发热、损坏13.静电放电（electrostaticdischarge(ESD)）：具有不同静电电位的物体相互靠近或直接接触引起的电荷转移14.静电放电电压敏感值（voltage）:使器件失效的静电放电电压值15.静电放电耐受电压(withstandvoltage):使器件不失效的最大静电放电电压值16.人体模式静电放电(humanbodymodel(HBM)ESD):采用电阻电容组成的放电网络模拟人体指尖的静电放电。17.机器模式静电放电(machinemodel(MM)ESD):采用200pF电容和零欧姆串联电阻组成放电网络模拟来自机器的静电放电,1.结温(junctiontemperature-Tj):LED器件中主要发热部分的半导体结的温度。2.额定结温(ratedjunctiontemperature):LED工作时所允许的最高结温。在此温度下，一切有关的额定值和特性都能得到保证。3.管壳温度(casetemperature):LED工作时管壳规定点的温度4.热阻(thermalresistance):沿热流通道上的温度差与通道上耗散的功率之比为热阻。5.结-管壳热阻(thermalresistancefromjunctiontocaseRth(J-C):LEDPN结到管壳之间的热阻。,LED热特性:,6.结-环境热阻(thermalresistancefromjunctiontoambientRth(J-A):LEDPN结到环境之间的热阻。它提供最少热流失的特殊环境里结到环境的热阻值。7.贮存温度(storagetemperature-Tstg():LED在没有任何电压施加情况下的适宜贮存的环境温度范围。8.工作温度范围(operatingtemperature-Top():LED可正常工作的环境温度范围。,1.寿命试验(lifetest):为了观察LED在长期连续使用情况下光性能的变化规律，需要对LED进行抽样试验，通过长期观察和统计获得LED寿命参数。注：寿命试验和相应的统计计算相结合可以得出产品的可靠性指标，因此产品的可靠性是和寿命试验紧密相连的。老化试验（agingtest）：芯片在投入使用之前试工作一段时间用于测试芯片性能，判定芯片等级。常温老化试验：作为产品等级判定的依据，每天进行加速老化试验：不对产品进行判定，仅作为监控手段，每天进行,LED试验方法,2.静电敏感度试验(electrostaticsensitivitytest):是指LED能承受的静电放电电压的试验。目前一般采用人体模式、机器模式、器件充电模式来模拟现实生活中的静电放电现象。3.推拉力试验(push-pulltest):拉力试验：芯片打线后，拉力机指针清零，拉钩放在拱丝的最高点，垂直拉断，记录拉力克数。推力试验：金电极拉力测试以后进行，推力机清零，针头垂直靠在金球的一侧，水平推动金球，观察金球表面共熔情况并记录推力克数。,1.X射线衍射仪X-rayDiffraction（XRD）:X射线衍射仪是一种常用的非破坏性材料分析仪器。X射线衍射技术以测量经样品散射后的X射线在空间分布的方位和强度为基础，结合散射角度和入射X光波长等因素对实验结果进行分析。可用于确定物质的晶体结构，物相的定性定量分析，精确测定晶格常数和研究晶体取向等，进而揭示物质的结晶性、化学组成以及物理性质。2.双晶X射线衍射DoubleCrystalX-rayDiffraction（DCXRD）:是将一个参考晶体的衍射X射线束作为另一个待测晶体样品的入射X射线束，就可以准确地测量到待测晶体样品的衍射峰的相对强度，峰位，半宽高等信息，进而可对不同晶面族的面间距、晶格常数、结晶度和晶相等进行判定。注：在三安光电股份有限公司，是主峰GaN分析仪器。测量外延片晶格质量（用FWHM：半高宽表示），材料组分，量子阱周期及其厚度雙晶X射線衍射,LED测试仪器:,3.三轴X射线衍射ThreeaxisX-rayDiffraction：是在DCXRD结构基础上，增加了一组分析晶体，用于反射束的限束。三轴衍射的主要目的是获得样品倒易空间图信息，观察倒易格点的形状并探究其形状变化的原因。三轴衍射对研究实际晶体中的多种缺陷结构，如点缺陷、线位错、层错或杂志的分布等有重要的价值。4.荧光光谱仪（或PL光谱仪）FluorescenceSpectrometer：测量外延片的光致发光波长，相对强度，FWHM（半高宽），整炉波长均匀性。Peak强度越强，FWHM越窄，表示有较佳的QW。,5.霍尔测试仪Halltester：利用霍尔效应测量载流子（对n-GaN载流子为电子，对p-GaN,载流子为空穴）迁移率（mobility）以及半导体材料的电阻率，分析时同结构若有相同的掺（Doping），若是量测的迁移率mobility较小，可以推测此结构有较多的缺陷（Defects）。6.电化学测试仪Electrochemicaltester：测外延片的掺杂浓度7.电致发光光谱仪Electro-luminescentSpectrometer：测量外延片20mA下的光强和波长（粗测，仅供参考）,8.紫外可见光谱仪(UV/VisSpectrometer):是利用紫外可见光谱法工作的仪器。注：在三安光电股份有限公司，用来测量样品的透光率，吸光度，反射率9.X射线光电子能谱仪X-rayphotoelectronSpectrometer（XPS）:是一种利用X射线照射固体样品表面并测量从表面发射出来的电子能量分布的表面化学分析仪器。通常它的取样深度很浅（1-10nm）并且需要在超高真空下实施，可用于测量材料中元素组分、结构式、各元素的化学状态和电子态等。XPS也是研究固态能带结构最主要的技术之一，通过它可以测定肖特基势垒高度、异质结能带偏移、价带顶和功函数等10.显微镜(Microscopy):用来测量外延、芯片的表面形貌,11.原子力显微镜AtomicForceMicroscope（AFM）:通过为悬臂感受和放大悬臂下探针尖端与被测样品原子间的作用力，从而获得样品的表面信息。不同于SEM只能提供二位图像，AFM提供真正的三维表面图。缺点在于成像范围太小，速度慢，受探头的影响很大。12.扫描电子显微镜ScanningElectronMicroscopy(SEM)：SEM是一种利用入射电子束轰击样品表面进而获得样品表面信息的电子显微镜。利用这种设备，可以获得样品表面的高分辨率图像和样品表面的原子成分。在芯片制造中用它来测量刻蚀深度、及刻蚀截面状况。,13.金相显微镜DifferentialMicroscopy（Nikon-OPTIPHOT）：金相显微镜是将光学显微镜技术、光电转换技术、计算机图像处理技术完美地结合在一起而开发研制成的高科技产品，可以在计算机上很方便地观察金相图像，从而对金相图谱进行分析，评级等以及对图片进行输出、打印。14.能量色散光谱仪EnergyDispersiveSpectrometer(EDS)：EDS原来是一种核物理分析仪器，由于半导体检测器制造和微信号低噪音电子学技术的进步，EDS被大量用作荧光X射线分析和组装到SEM、TEM和SAM上，配合进行X射线成分分析。,15.透射电子显微镜TransmissionElectronMicroscope(TEM)：TEM是以波长极短的电子束作照明源，用电磁透镜聚焦成像的一种高分辨率（1nm）、高放大倍数的电子光学分析仪器。TEM常用于研究纳米材料的结晶情况，观察纳米粒子的形貌、分散情况及测量和评估纳米粒子的粒径。注：在三安光电股份有限公司，用来测量截面的微细构造，可测量量子阱、缓冲层以及超晶格的微细构造厚度及界面状况。16.二次离子质谱仪SecondaryIonMassSpectrometry(SIMS)：是用来检测材料的一种仪器，即是利用离子束把待分析的材料从表面溅射出来，然后再检测出离子组分并进行质量分析。注：在三安光电股份有限公司，它用来测量每层的掺杂状况，可测量P-GaN以及N-GaN的掺杂状况，以及掺杂载子的浓度以及扩散距离等测量。,17.IS测试仪InstrumentSystemtesterInstrumentSystem（IS）：是德国原厂所研制的量测机台，机台规格符合CIE127国际指定的量测规范。目前此量测规范是国内外所有大厂所认定的LED量测规范。18.结温测试仪Junctiontemperaturetester：用来测量LED器件中主要发热部分的半导体结的温度和热阻的仪器19.差示扫描量热仪DifferentialScanningCalorimetryheatmeter(DSC)：是在程序温度（升降恒温及其组合）过程中，测量样品与参考物之间的热流差，以表征所有与热效应有关的物理变化和化学变化的仪器。注：鉴于DSC能定量的量热、灵敏度高，应用领域很宽，涉及热效应的物理变化或化学变化过程均可采用DSC来进行测定,20.热重分析仪Thermogravimet-ry（TG）：是在程序温度（升降恒温及其组合）过程中,测量样品的质量随温度或时间的变化过程的仪器。注：TG和DSC是材料热分析的方法21.示波器：是一种测量晶体管特性曲线的专用仪器，它可以在示波管的屏幕上显示出被测晶体管的输入特性曲线和输出特性曲线，通过标尺刻度读出晶体管的各项特性参数，如晶体管的电流放大系数，极限参数、反向漏电流等等。LED老化板burninboard对LED产品进行老化或寿命试验，对电性能不稳定的LED进行筛选；可对产品批量点亮，进行目测分光分色。22.LED积分球（integratingsphere）：用于LED的反射率测试，透射率测试，颜色测试，荧光特性测试。,1.支架（leadframe）：提供引线端子和芯片焊接区域的一个或一组零件2.固晶胶（glue）：用于连接芯片和支架的胶水，包括银胶和绝缘胶。3.环氧树脂（epoxyresin）：保护lamp的内部结构，使lamp成形，可以改变lamp的发光亮度和角度。分A、B胶。4.模条（articlemode）：lamp的成形模具，一般有圆形、方形和塔形等，支架植得深浅由模条的卡点高低决定。5.LED封装（LEDPackage）：将LED芯片和焊线包封起来，并提供电连接、出光和散热通道、机械和环境保护及外形尺寸注：在三安光电有限公司，LED封装指包灯,封装,6.灌封（embedding）：采用模条灌装成型的封装方式7.塑封（moulding）：采用模压成型的封装方式8.点胶封装(coatingpackage):采用点胶成型的封装方式，也称软包封9.扩晶(enlargechip/waferexpanding):把排列的密密麻麻的晶片弄开一点便于固晶。10.固晶/装架(dieattachment):在支架底部点上导电/不导电的胶水(导电与否视晶片是上下型PN结还是左右型PN结而定）然后把晶片放入支架里面。固晶其实是结合了点胶和固晶两大步骤。11.初测(preliminarytest):初步测试能不能亮,12.引线键合/压焊(wirebonding):将电极引到led芯片上，完成产品内外引线的连接工作。13.灌胶(pouringsealant):用胶水把芯片和