MOSFET参数理解及测试项目方法PPT课件

MOSFET参数理解及测试项目方法,MOSFET产品部,MOSFET简要介绍,MOSFET（MetalOxide-SemiconductorFieldEffectTransistor)-金属-氧化物-半导体场效应晶体管。MOSFET根据导电沟道形成机理可分为：1、增强型2、耗尽型MOSFET根据导电载流子的带电极性可分为：1、PMOS2、NMOS,MOSFET简要介绍,MOS管结构及符号图(a)内部结构断面示意图(b)N沟道符号，P沟道符号,G：栅极D：漏极S：源极,MOSFET参数理解及测试方法,MOSFET参数很多，一般Datasheet包含以下参数：极限参数：VDS：额定漏-源电压，此电压的大小由芯片设计决定。VGS：额定栅-源电压，此电压的大小由芯片设计决定。ID：额定最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过ID。特定温度下，此电流的大小由RDS（ON）和封装形式决定，其计算公式如下：TJmax：MOS最大结点工作温度150RJC：封装热阻（节点-外壳）TC：Case表面温度为25,极限参数,IDM：最大脉冲漏源电流。我们通常取IDM=4IDPD：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。Tjmax：MOS最大结点工作温度150RJC：封装热阻TC：Case表面温度为25Tj：最大工作结温。通常为150TSTG：存储温度范围。通常为-55150,静态参数,1.V(BR)DSS：漏源（D-S）击穿电压，它具有正温度特性。TestCondition：VGS=0，ID=250uA,静态参数,2.IDSS漏-源（D-S）漏电流。一般在微安级TestCondition：VGS=0，VDS=RatedVDS,3.IGSS栅源驱动电流或反向电流。一般在纳安级TestCondition：VDS=0，VGS=RatedVGS,静态参数,4.VGS(th)：开启电压（阀值电压），它具有负温度特性。TestCondition：VGS=VDS，ID=250uA,静态参数,5.RDS(ON)：在特定的VGS（一般为2.5Vor4.5Vor10V）及漏极电流(我们一般取1/2RatedID)的条件下，MOSFET导通时漏源间的阻抗，具有正温度特性。,雪崩特性参数,功率MOSFET在电感型负载回路中，MOSFET由开启状态到瞬间关断时，漏源之间的反偏体二极管用于释放电感负载中储存能量的同时，也常常因此承担雪崩击穿带来的对器件的影响。EAS：单脉冲雪崩能量IAS：电感峰值电流IAR：单脉冲雪崩电流,雪崩特性参数,雪崩特性波形图（一）IAS=12.6ABVDSS=744Vtp=2ms,雪崩特性参数,雪崩特性波形图（二）IAS=15ABVDSS=768Vtp=2.5ms,动态参数,Ciss：输入电容。Ciss=CGD+CGSCoss：输出电容。Coss=CDS+CGDCrss：反向传输电容。Crss=CGD,TestCondition：VGS=0，VDS=10Vor15Vor25f=1.0MHZ,动态参数,MOSFET是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压的建立过程，这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的。Qg：栅极总充电电量。Qgs：栅源充电电量。Qgd：栅漏充电电量。,TestCondition：VDD=80%RatedVDS,ID=RatedID,VGS=4.5V(VGS12V)or10V,RG=10,动态参数,开关时间(SwitchingTime)Td(on)：导通延迟时间Tr：上升时间Td(off)：关断延迟时间Tf：下降时间,TestCondition：VDD=1/2RatedVDS,ID=1/2RatedID,VGS=4.5V(VGS12V)or10V,RG=4.7,动态参数,gm：跨导(单位：S)gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，gm为的曲线的斜率；在输出特性曲线上也可求出gm。,寄生二极管特性参数,VSD：寄生二极管正向导通电压测试电路：Trr：二极管反向恢复时间二极管可视为一种电容。积累的电荷Qrr完全放