模电 电子线路线性部分第五版 第二章VIP

.,第2章晶体三极管,概述,2.1放大模式下晶体三极管的工作原理,2.2晶体三极管的其他工作模式,2.3埃伯尔斯莫尔模型,2.4晶体三极管伏安特性曲线,2.5晶体三极管小信号电路模型,2.6晶体三极管电路分析方法,2.7晶体三极管的应用原理,.,概述,三极管结构及电路符号,发射极E,基极B,集电极C,发射极E,基极B,集电极C,发射结,集电结,第2章晶体三极管,.,三极管三种工作模式,发射结正偏，集电结反偏。,放大模式：,发射结正偏，集电结正偏。,饱和模式：,发射结反偏，集电结反偏。,截止模式：,注意：三极管具有正向受控作用，除了满足内部结构特点外，还必须满足放大模式的外部工作条件。,三极管内部结构特点,1)发射区高掺杂（相对于基区）。,2)基区很薄。,3)集电结面积大。,第2章晶体三极管,.,2.1放大模式下三极管工作原理,2.1.1内部载流子传输过程,IEn,IEp,IBB,ICn,ICBO,IE,IC,IB,第2章晶体三极管,.,发射结正偏：保证发射区向基区发射多子。,发射区掺杂浓度基区掺杂浓度：减少基区向发射区发射的多子，提高发射效率。,基区的作用：将发射到基区的多子，自发射结传输到集电结边界。,基区很薄：可减少多子传输过程中在基区的复合机会，保证绝大部分载流子扩散到集电结边界。,集电结反偏且集电结面积大：保证扩散到集电结边界的载流子全部漂移到集电区，形成受控的集电极电流。,第2章晶体三极管,.,三极管特性具有正向受控作用,即三极管输出的集电极电流IC，主要受正向发射结电压VBE的控制，而与反向集电结电压VCE近似无关。,注意：NPN型管与PNP型管工作原理相似，但由于它们形成电流的载流子性质不同，结果导致各极电流方向相反，加在各极上的电压极性相反。,第2章晶体三极管,.,观察输入信号作用在哪个电极上，输出信号从哪个电极取出，此外的另一个电极即为组态形式。,2.1.2电流传输方程,三极管的三种连接方式三种组态,(共发射极),(共基极),(共集电极),放大电路的组态是针对交流信号而言的。,第2章晶体三极管,.,共基极直流电流传输方程,直流电流传输系数：,直流电流传输方程：,共发射极直流电流传输方程,直流电流传输方程：,其中：,第2章晶体三极管,.,若忽略ICBO，则：,第2章晶体三极管,.,ICEO的物理含义：,ICEO指基极开路时，集电极直通到发射极的电流。,因为IB=0,所以IEp+(IEn-ICn)=IE-ICn=ICBO,因此,第2章晶体三极管,.,三极管的正向受控作用，服从指数函数关系式：,2.1.3放大模式下三极管的模型,数学模型(指数模型),IS指发射结反向饱和电流IEBS转化到集电极上的电流值，它不同于二极管的反向饱和电流IS。,式中,第2章晶体三极管,.,放大模式直流简化电路模型,VBE(on)为发射结导通电压，工程上一般取：,第2章晶体三极管,.,三极管参数的温度特性,温度每升高1C，/增大0.5%1%，即,温度每升高1C，VBE(on)减小(22.5)mV，即,温度每升高10C，ICBO增大一倍，即,第2章晶体三极管,.,2.2晶体三极管的其他工作模式,2.2.1饱和模式(E结正偏，C结正偏),-+,+-,结论：三极管失去正向受控作用。,第2章晶体三极管,.,饱和模式直流简化电路模型,若忽略饱和压降，三极管输出端近似短路。,即三极管工作于饱和模式时，相当于开关闭合。,第2章晶体三极管,.,2.2.2截止模式(E结反偏，C结反偏),若忽略反向饱和电流，三极管IB0，IC0。,即三极管工作于截止模式时，相当于开关断开。,截止模式直流简化电路模型,第2章晶体三极管,.,2.3埃伯尔斯莫尔模型,埃伯尔斯莫尔模型是三极管通用模型，它适用于任何工作模式。,其中,第2章晶体三极管,.,2.4晶体三极管伏安特性曲线,伏安特性曲线是三极管通用的曲线模型，它适用于任何工作模式。,第2章晶体三极管,.,输入特性曲线,VCE一定：,类似二极管伏安特性。,VCE增加：,正向特性曲线略右移。,由于VCE=VCB+VBE,WB,注：VCE0.3V后，曲线移动可忽略不计。,因此当VBE一定时：,VCEVCB,复合机会IB曲线右移。,第2章晶体三极管,.,输出特性曲线,饱和区(VBE0.7V，VCE0.3V),特点,条件,说明,第2章晶体三极管,.,在考虑三极管基区宽度调制效应时，电流IC的修正方程,基宽WB越小调制效应对IC影响越大则VA越小。,考虑上述因素，IB等量增加时，,输出曲线不再等间隔平行上移。,第2章晶体三极管,.,截止区(VBE0.5V，VCE0.3V),特点：,条件：,发射结反偏，集电结反偏。,IC0，IB0,严格说，截止区应是IE=0即IB=-ICBO以下的区域。,因为IB在0-ICBO时，仍满足,第2章晶体三极管,.,击穿区,特点：,VCE增大到一定值时，集电结反向击穿，IC急剧增大。,集电结反向击穿电压，随IB的增大而减小。,注意：,IB=0时，击穿电压为V(BR)CEO,IE=0时，击穿电压为V(BR)CBO,V(BR)CBOV(BR)CEO,第2章晶体三极管,.,三极管安全工作区,最大允许集电极电流ICM,(若ICICM造成),反向击穿电压V(BR)CEO,(若VCEV(BR)CEO管子击穿),VCEPCM烧管),PCPCM,ICICM,第2章晶体三极管,.,放大电路小信号作用时，在静态工作点附近的小范围内，特性曲线的非线性可忽略不计，近似用一段直线来代替，从而获得一线性化的电路模型，即小信号(或微变)电路模型。,2.5晶体三极管小信号电路模型,三极管作为四端网络，选择不同的自变量，可以形成多种电路模型。最常用的是混合型小信号电路模型。,第2章晶体三极管,.,混合型电路模型的引出,第2章晶体三极管,.,混合型小信号电路模型,若忽略rbc影响，整理后即可得出混合型电路模型。,电路低频工作时，可忽略结电容影响，因此低频混合型电路模型简化为：,第2章晶体三极管,.,小信号电路参数,rbb基区体电阻，其值较小，约几十欧，常忽略不计。,rbe三极管输入电阻，约千欧数量级。,跨导gm表示三极管具有正向受控作用的增量电导。,rce三极管输出电阻，数值较大。RL0.3V,放大模式,若VE0.3V，所以三极管工作在放大模式。,VC=VCEQ=4.41V,第2章晶体三极管,.,例3若将上例电路中的电阻RB改为10k，试重新判断三极管工作状态，并计算VC。,解：,假设T工作在放大模式,因为VCEQ0.3V，假设不成立，所以三极管工作在饱和模式。,第2章晶体三极管,.,例4已知VBE(on)=0.7V，VCE(sat)=0.3V，=30，试判断三极管工作状态，并计算VC。,解：,所以三极管工作在截止模式，,VBE(on),第2章晶体三极管,.,2.6.2交流分析法,小信号等效电路法(微变等效电路法),分析电路加交流输入信号后，叠加在Q点上的电压与电流变化量之间的关系。,在交流通路基础上，将三极管用小信号电路模型代替得到的线性等效电路即小信号等效电路。利用该等效电路分析Av、Ri、Ro的方法即小信号等效电路法。,交流通路：,即交流信号流通的路径。它是将直流电源短路、耦合、旁路电容短路时对应的电路。,第2章晶体三极管,.,小信号等效电路法分析步骤：,画交流通路(直流电源短路，耦合、旁路电容短路)。,用小信号电路模型代替三极管，得小信号等效电路。,利用小信号等效电路分析交流指标。,计算微变参数gm、rbe。,注意：,小信号等效电路只能用来分析交流量的变化规律及动态性能指标，不能分析静态工作点。,第2章晶体三极管,.,例5已知ICQ=1mA，=100,vi=20sint(mV)，C=k，画电路的交流通路及交流等效电路,计算vo。,第2章晶体三极管,.,图解法,确定静态工作点(方法同前)。,画交流负载线。,画波形，分析性能。,过Q点、作斜率为-1/RL的直线即交流负载线。,其中RL=RC/RL。,分析步骤：,图解法直观、实用，容易看出Q点设置是否合适，波形是否产生失真，但不适合分析含有电抗元件的复杂电路。同时在输入信号过小时作图精确度降低。,第2章晶体三极管,.,例6输入正弦信号时，画各极电压与电流的波形。,IBQ,ICQ,VCEQ,第2章晶体三极管,.,Q点位置与波形失真：,由于PNP管电压极性与NPN管相反，故横轴vCE可改为-vCE。,消除截止失真升高Q点：减小RB，增大IBQ,第2章晶体三极管,.,2.7晶体三极管应用原理,2.7.1电流源,利用三极管放大区iB恒定时iC接近恒流的特性，可构成集成电路中广泛采用的一种单元电路电流源。,该电流源不是普通意义上的电流源，因它本身不提供能量。电流源电路的输出电流I，由外电路中的直流电源提供。,I只受IB控制，与外电路在电流源两端呈现的电压大小几乎无关。就这个意义而言，将其看作为电流源。,第2章晶体三极管,.,放大器的作用就是将输入信号进行不失真的放大。,2.7.2放大器,放大原理,利用ib对ic的控制作用实现放大。,第2章晶体三极管,.,电源VCC提供的功率：,放大实质,三极管集电极上的功率：,负载电阻RC上的功率：,第2章晶体三极管,.,注意：,放大器放大信号的实质：是利用三极管的正向受控作用，将电源VCC提供的直流功率，部分地转换为输出功率。,电源VCC不仅要为三极管提供偏置，保证管子工作在放大区，同时还是整个电路的能源。,电源提供的功率PD除了转换成负载上有用的输出功率PL外，其余均消耗在晶体三极管上(PC)。,三极管仅是一个换能器。,第2章晶体三极管,.,顺时针与逆时针方向三极管个数相等；,2.7.3跨导线性电路,跨导线性环(TL