内存基础知识简介PPT课件

.,1,DIMMIntroduce,.,2,知名DIMM的LOGO,smart,忆宝_香港,威刚,天堂,英飞凌,现代,宇瞻,金士顿,美光,三星,.,3,适用类型,台式机内存,笔记本内存,服务器内存,.,4,内存接口类型/内存插槽类型,内存接口:笔记本:采用144Pin、200Pin接口台式机使用168Pin和184Pin接口内存插槽类型SIMM:SingleInlineMemoryModule单内联内存模块(8/16bit用30pin;32bit用72pin)DIMM:DualInlineMemory双内联内存模块(SDRAM168pin/DDR184pin)RIMM:RambusDRAM,.,5,内存容量,内存容量是指该内存条的存储容量，是内存条的关键性参数.内存容量以MB作为单位.内存的容量一般都是2的整次方倍.系统对内存的识别是以Byte（字节）为单位,1Byte=8bit.内存容量的上限一般由主板芯片组和内存插槽决定,比如Inlel的810和815系列芯片组最高支持512MB内存.目前多数芯片组可以支持到2GB以上的内存，主流的可以支持到4GB，更高的可以到16GB,.,6,内存带宽的计算,公式：内存总线宽度x数据传输速度=最大带宽内存带宽=内存等效工作频率*8（MB/s）每个DIMM模块的总线宽度為64bit=8bytes.比如:以DDR400来计算就是:8x400=3200MB/s，也就是3.2GB/s,.,7,工作频率和等效频率,DDR内存和DDR2内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示.工作频率是内存颗粒实际的工作频率.DDR内存的传输数据的等效频率是工作频率的两倍DDR2内存的传输数据的等效频率是工作频率的四倍例如:DDR200/266/333/400的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是200/266/333/400MHz；DDR2400/533/667/800的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是400/533/667/800MHz。,.,8,主频,内存主频和CPU主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的最高工作频率。单位是MHz(兆赫).内存主频越高代表着内存所能达到的速度越快.主流的内存频率DDR:333MHz,400MHzDDR2533MHz和667MHz的内存,.,9,内存电压,SDRAM内存一般工作电压都在3.3伏左右，上下浮动额度不超过0.3伏；DDRSDRAM内存一般工作电压都在2.5伏左右，上下浮动额度不超过0.2伏；DDR2SDRAM内存的工作电压一般在1.8V左右.DDR3SDRAM内存的工作电压一般在1.5V左右,.,10,传输标准,内存传输标准有:SDRAM的PC100、PC133；DDRSDRAM的PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500、PC3700；RDRAM的PC600、PC800和PC1066等,.,11,ECC校验,ECC内存即纠错内存.是ErrorCheckingandCorrecting”的简写，中文名称是“错误检查和纠正”ECC是一种能够实现“错误检查和纠正”的技术一般多应用在服务器及图形工作站上,.,12,颗粒封装,封装就是将内存芯片包裹起来,以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害.有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等.DIP封装TSOP封装BGA封装CSP封装,.,13,DIP封装,70年代,DIP（Dualln-linePackage，双列直插式封装）封装.其芯片面积和封装面积之比为1：1.86,.,14,TSOP封装,80年代,内存第二代的封装技术TSOP.TSOP是“ThinSmallOutlinePackage”的缩写，意思是薄型小尺寸封装.TSOP内存是在芯片的周围做出引脚，采用SMT技术（表面安装技术）直接附着在PCB板的表面.优点:TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动)减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高,封装成品率高，价格便宜.,.,15,TSOP封装,缺点:焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB办传热就相对困难。而且TSOP封装方式的内存在超过150MHz后，会产生较大的信号干扰和电磁干扰.,.,16,BGA封装,90年代,芯片集成度不断提高.对集成电路封装的要求也更加严格.BGA是英文BallGridArrayPackage的缩写，即球栅阵列封装.BGA与TSOP相比:1.内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍.2.具有更小的体积，更好的散热性能和电性能.3.体积只有TSOP封装的三分之一芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14,.,17,BGA封装,寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高.,.,18,CSP封装,CSP(ChipScalePackage),是芯片级封装.CSP封装最新一代的内存芯片封装技术.CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14，已经相当接近1:1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6.,.,19,CSP封装,CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2毫米，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度提高.CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%20%。,.,20,DDR内存芯片的编号,HYXXXXXXXXXXXXXX-XX12345678910111：代表HY的厂标2：为内存芯片类型5D：DDRSDRAMS3：工艺与工作电压V：CMOS，3.3V；U:CMOS，2.5V4：芯片容量和刷新速率64:64MB，4kref；66:64MB，2kref；28:128MB，4kref；56:256MB，8kref；12:512MB，8kref5:芯片结构(数据宽度)4：X4(数据宽度4bit)；8:x8；16:x16；32:x326：BANK数量1:2BANKs；2:4BANKs7：I/O界面1:SSTL_3；2:SSTL_28：芯片内核版本空白:第一代；A:第二代；B:第三代；C:第四代9：能量等级空白:普通；L:低能耗10：封装形式T:TSOP；Q:TQFP；L:CSP(LF-CSP)；F:FBGA11：工作速度33:300MHz；4:250MHz；43:233MHz；45:222MHz；5:200MHz；55:183MHz；K:DDR266A；H:DDR266B；L:DDR200,.,21,传输类型,传输类型指内存所采用的内存类型.不同类型的内存传输率、工作频率、工作方式、工作电压等方面都有不同.目前市场中主要的内存类型:SDRAM、RDRAM、DDRDDR2DDR3EPP,.,22,SDRAM,SDRAM，即SynchronousDRAM(同步动态随机存储器).SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格.数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度.SDRAM采用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，宽度为64位。SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见.,.,23,RDRAM,RDRAM（RambusDRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存.它采用了串行的数据传输模式.RDRAM的数据存储位宽是16位;频率可以达到400MHz,内存带宽能达到1.6Gbyte/s.,.,24,DDR,DDR应该叫DDRSDRAM(DoubleDataRateSDRAM).,SDRAM、DDRAM内存条的区别（外观）,.,25,SDRAM、DDRAM内存条的区别,外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大,DDR为184针脚,比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号.DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。LowVoltageTTL(逻辑电平).,.,26,DDR内存的频率,.,27,DDR2,DDR2（DoubleDataRate2）SDRAM,DDR2内存的频率,.,28,DDR2与DDR的区别,1、延迟问题:也就是说DDR2的延迟要高于DDR2、封装和发热量:DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V,.,29,DDR2采用的新技术,DDR2还引入了三项新的技术分別是OCD,ODT和PostCAS.1.OCD（Off-ChipDriver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDRII通过OCD可以提高信号的完整性.2.ODT：ODT是内建核心的终结电阻器.DIMM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻,这样大大增加了主板的制造成本,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,因此在一定程度上影响信号品质.DDR2内建合适的终结电阻保证了最佳的信号波形.3.PostCAS：它是为了提高DDRII内存的利用效率而设定的.CAS命令可以在附加延迟（AdditiveLatency）后面保持有效,因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突.,.,30,DDR3的產生,1.提升带宽,為CPU提供足够的匹配指标.,.,31,DDR3的產生,提高预取设计位数.DDR2的预取设计位数是4Bit，也就是说DRAM内核的频率只有接口频率的1/4，所以DDR2-800内存的核心工作频率为200MHzDDR3内存的预取设计位数提升至8Bit，其DRAM内核的频率达到了接口频率的1/8，如此一来同样运行在200MHz核心工作频率的DRAM内存就可以达到1600MHz的等值频率,.,32,DDR3的產生,3.降低功耗核心工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V.,.,33,DDR3内存优势,.,34,DDR3内存拥有哪些规格,1.频率从1066MHz起跑型号包括了DDR3800/1066MHz/1333/1600/20002.1G容量成为主流3.Intel主板芯片组X38、P35、G33均支持DDR3内存.其他廠商:华硕、技嘉、微星.4.DDR3价格注定从天价起步DDR31066MHz1G内存的价格要1500元以上,.,35,.,36,DDR3内存与DDR2内存不同(外观设计_缺口位置),.,37,DDR3与DDR2的不同之处,.,38,DDR3与DDR2的不同之处,1、逻辑Bank数量(8Bank的设计)2.封装(Packages)78/96球FBGA封装.而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装.3.突发长度(BL，BurstLength).由于DDR3的预取为8bit.4.寻址时序（Timing）5.新增功能重置（Reset）6.新增功能ZQ校准7.参考电压分成两个一个是为命令与地址信号服务的VREFCA，另一个是为数据总线服务的VREFDQ,8.根据温度自动自刷新（SRT，Self-RefreshTemperature）普通的的温度范围（例如0至85),扩展温度范围:最高到959.局部自刷新（RASR，PartialArraySelf-Refresh）10.点对点连接（P2P，Point-to-Point）,.,39,EPP技术,EPP(EnhancedPerformanceProfiles)技术,簡稱增强性能选项.它是nVIDIA推出的基于JEDECSPD标准上的扩展标准,可以允许内存生产商提供SPD(SerialPresenceDetect)定义之外的性能参数.EPP是一项开放式标准，未来将会有更多其它主板及内存供货商将采纳这项技术.作用:通过这项EPP技术,极大改变系统超频和系统稳定性的测试和定义，可让用户轻易测知建置于高性能DIMM内存模组中有关内存性能的各项全新进阶性能设定，让整体PC系统性能达到更高水平.,.,40,EPP技术,以技术面来说，EPP除写入频率(Clock)等级外,攸关内存效能的时序(Timing)参数也可同时定义，包含tCL、tRCD、tRP、tRAS及tRC等常见项目，以及适合的工作电压(vDIMM)与各种驱动内存控制器的细部参数,.,41,EPP扩展规格内存,.目前已经有五家主要内存厂商推出自己的EPP内存产品，包括Geil、Corsair、OCZ等超频内存一线品牌EPP内存型号大多为1GB版本，专为高端游戏玩家设计,GeILPC2-6400800MHzDDR2,海盗船6400C4DDOMINATOR,.,42,EPP技术能使用的條件,1.需要兼容EPP技术的主板的支持2.支持EPP内存主板的BIOS,即在BIOS中有相应的接口选项.3.內存也要有EPP的功能注意:1.开机时主板还是会以默认的SPD设置来启动，其后才会加载EPP定义中的设置.2.EPP内存可以在任何主板上使用.,.,43,EPPOCZ(饥饿鲨)的内存,.,44,OCZ(饥饿鲨)内存,在OCZ的HighSpeedDDR2Memory系列有9款分