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文档简介

问题:一个简单的二极管电路一个二极管电路如图所示,现在我们利用PSpice(或在实验室)给输入端加上正弦信号,看一看,输出端会产生什么样的波形?如果我们用一个电阻替换掉二极管,输出端波形又是什么样的?两种情况下的输出为什么会产生形状上的差别,问题的关键是什么?,D1N4002,第二讲半导体二极管及常用二极管电路,PN结的形成PN结的单向导电性半导体二极管,2.1二极管的物理机制,关键词二极管的单向导电性,第二讲半导体二极管及常用二极管电路,第二讲半导体二极管及常用二极管电路,2.1二极管的物理机制,【例1.2-1】已知在T=300K时本征硅受激产生的电子浓度为1.431010cm-3,而本征硅原子浓度为5.11022cm-3,如果在本征硅中掺入十亿分之一的施主杂质,即,杂质浓度为,此时的杂质半导体中空穴浓度、电子浓度分别是多少?解:此时的电子浓度:nNd空穴浓度为:,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.1二极管的物理机制,1.PN结的形成,2.PN结的单向导电性,外加正向电压,阻挡层内的总电场减弱,空间电荷总量减少;空间电荷区变窄;势垒区的电位差减小。,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.1二极管的物理机制,外加反向电压,阻挡层内的总电场增强,空间电荷总量增加;空间电荷区变宽;势垒区的电位差增大。,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.1二极管的物理机制,2.PN结的单向导电性,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.1二极管的物理机制,3.半导体二极管,关键词二极管正向门坎电压二极管最高反向工作电压VBR,2.2二极管的伏安特性,正向特性反向特性,第二讲半导体二极管及常用二极管电路,1.二极管的V-I特性,当vD0,且时,当vD0,且时,,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.2二极管的伏安特性,1.二极管的V-I特性,例:已知PN结在T=300K时,,m=1,求及时的结电流。,解:当时,PN结上为正偏压,有,当时,PN结上为负偏压,有,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.2二极管的伏安特性,1.二极管的V-I特性,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.2二极管的伏安特性,2.正向特性,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.2二极管的伏安特性,3.反向特性,对Si二极管而言,一般地VBR6伏-齐纳击穿;VBR7伏-雪崩击穿;6伏VBR7伏-两种击穿都有,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.2二极管的伏安特性,例:Si二极管I-V特性曲线如图,把Si管接入电路,求二极管上的电压降和通过二极管的电流。,解:电路方程E=iDR+vD,从图中查出,ID=7(mA),VD=0.8(V),第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.2二极管的伏安特性,温度对正向特性的影响,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.2二极管的伏安特性,2.3二极管的常用模型,关键词二极管的理想开关模型和恒压源模型模型分析法的实质,常用的二极管模型二极管的分析方法,第二讲半导体二极管及常用二极管电路,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.3二极管的常用模型,1.常用的二极管模型,理想二极管开关模型,正向导通,VD=0(内阻r=0),相当于开关闭合,反向截止,IS=0(内阻r=),相当于开关断开。,1.常用的二极管模型,恒压源模型,Si管:Von0.7(V)(实际:0.60.8)Ge管:Von0.2(V),VVon,D通,通后压降为Von,VVon,D止,Is0,,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.3二极管的常用模型,1.常用的二极管模型,交流小信号模型(微变等效),第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.3二极管的常用模型,2.分析方法,解析法模型分析法(等效电路分析法),第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.3二极管的常用模型,2.分析方法,例,如图,已知E和vi(微小变化电压),求iD、vD。,解:设vi=0,,E=0,,叠加交,直流量,,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.3二极管的常用模型,2.4常用二极管电路,关键词二极管常用电路的理解和分析,限幅和箝位电路多二极管电路整流电路整流滤波电路,第二讲半导体二极管及常用二极管电路,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,1.限幅和箝位电路,E为直流10V,vi峰值20V、频率1kHz,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,1.限幅和箝位电路,串联下限幅电路,1.限幅和箝位电路,箝位电路,第一个T/4时间,当vi大于二极管的导通电压Von时,二极管导通,电容C充电,,vi到达峰值,vC=Vim-Vonvi下降。理想情况下,电容不放电,,当vi下降到与vc值相等时,二极管变为反偏。输出,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,1.限幅和箝位电路,箝位电路,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,2.多二极管电路,例1,电路如图,判断图中二极管是导通还是截止,并确定输出电压Vo,设二极管Von=0.7V。,将D1、D2断开,,对D1管,有VD1=Va-Vb1=15-0=15V;,接入二极管后,,D2管优先导通,将电位限制在Va=-10V+0.7V=-9.3V,此时D1因承受反向压降而截止。,所以,Vo=-9.3V。,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,2.多二极管电路,例2,求如图所示电路当Vi=0V、Vi=4V时输出电压和二极管上的电流。二极管的Von=0.7V。,当Vi=0V时:,当Vi=4V时:,VO=3.3+0.7=4(V),iD1=iR2-iD2=0.63(mA),iD1=0,VO=1.2+0.7=1.9(V),第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,2.多二极管电路,例2电路的输出与输入特性曲线,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,2.多二极管电路,例2电路中D1和D2的电流,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,2.多二极管电路,二极管与逻辑电路,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,2.多二极管电路,二极管或逻辑电路,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,3.发光二极管电路,发光二极管(LED)由砷化镓等化合物半导体材料制成,它能将电流转化为光信号,也就是将电能转化为光能。,如果二极管正偏,电子和空穴注入空间电荷区成为过剩少子。这些少子扩散到N区或P区,在那里与多子复合,复合时会发出光子。,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,电子和空穴之间的能隙越大,产生的光子能量就越高,光子的能量与光的颜色对应,不同材料具有不同能隙,因而能发出不同颜色的光。一般工作电流10mA,正向压降1.56V。,4.整流电路,整流电路是二极管的一个重要应用。是小功率(200W以下)直流稳压电源的组成部分。其主要功能是利用二极管的单向导电性,将市电电网的单相正弦(AC)单方向脉动(DC)(后经滤波、稳压直流电源)。即,整流是将交流电转化成单一极性的直流的过程。,可用二极管的理想模型分析这类电路。,工作原理电路分析,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,4.整流电路工作原理,单相半波整流,利用二极管的单向导电性能,使经变压器出来的电压只有半个周期可以到达负载,造成负载电压Vo是单方向的脉动直流电压。,特点:电路结构简单,脉动大。,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,4.整流电路工作原理,单相桥式全波整流,电桥的简化符号:,特点:输出电压高;波纹电压较小(脉动小);Tr在正负半周都有电流供给RL,效率较高。,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,4.整流电路电路分析,分析整流电路的性能时,主要考察四项参数:整流电路的输出电压平均值(直流电压)Vo(AV)整流电路的输出电压脉动系数S整流二极管正向平均电流ID(AV)整流管的反向峰值电压VRM,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,4.整流电路电路分析,1)Vo(AV):输出电压在一个周期内的平均值。(即输出电压的直流分量),半波整流:,全波整流:,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,4.整流电路电路分析,2)S:表征整流输出波形脉动的量。,定义:,Vo1M指的是输出电压的基波峰值,半波整流:,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,4.整流电路电路分析,2)S:表征整流输出波形脉动的量。,定义:,Vo1M指的是输出电压的基波峰值,全波整流:,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,4.整流电路电路分析,3)ID(AV),半波整流:,全波整流:,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,4.整流电路电路分析,4)VRM:二极管承受的最大反向峰值电压VRM。,半波整流:处于负半周时,二极管截止,承受的最大反向电压为,全波整流:v20时,D1、D3通,D2、D4止,v20时,D2、D4通,D1、D3止,,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.5常用二极管电路,5.整流滤波电路电容整流滤波电路,单相桥式整流滤波电路,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,5.整流滤波电路电容整流滤波电路,讨论:加了电容滤波后,输出电压直流成分提高了(输出电压的平均值增加)加了电容滤波后,输出电压的脉动成分减小。电容放电的d=RLC放电过程则输出电压,同时脉动成分,滤波效果。,当RLC,VO(AV)=应选择C大,RL大。,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,5.整流滤波电路电容整流滤波电路,讨论:电容滤波电路中二极管的导电时间缩短了。,导电角180,且d,导电角。因此,整流管在短暂的导电时间内流过一个很大的冲击电流,对管子的寿命不利。所以必须选择较大容量的整流二极管。,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,5.整流滤波电路电感整流滤波电路,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.4常用二极管电路,适用于负载电流大的场合,2.5稳压管及稳压电路,关键词稳压管的稳压作用稳压电路的稳压机制,稳压管是利用PN结的反向击穿特性所具有的稳压性能而做成的,是一种用特殊工艺制造的面结型Si半导体二极管。,第二讲半导体二极管及常用二极管电路,稳压管的伏安特性及模型稳压管的参数稳压电路,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.5稳压管及稳压电路,1.稳压管的伏安特性及模型,反向击穿电压为VBR=-Vz,Dz的反向击穿特性越陡,稳压特性越好。,2.稳压管的主要参数,Vz:Dz中I为额定电流时,稳压管两端的电压值。,Iz:Dz正常工作时的参考电流值。(Izmin),rz:rz随工作电流不同而变。,Pz:额定功耗。Pz=IzmaxVz,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.5稳压管及稳压电路,3.稳压电路,稳压原理,限流电阻R的选择,主要指标,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.5稳压管及稳压电路,3.稳压电路,当RL不变:(输入电压变大)VIIRVOIzIO,当VI不变:(负载变小)RLVOIZIO,稳压原理,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.5稳压管及稳压电路,3.稳压电路,限流电阻R的选择,设Dz的工作点在IZminIZIZmax电网电压最高时整流输出VImax,最低为VImin负载电流Io的最小值为IOmin,最大为IOmax,当VImax和IOmin,IZ的值最大:,当VImin和IOmax,IZ的值最小:,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.5稳压管及稳压电路,3.稳压电路,1.0k,+10V-,设Imin=4mA,Imax=40mA,rz=0,Whataretheminimumandmaximuminputvoltagesforthesecurrents?,Solution:Fortheminimumzenercurrent,thevoltageacrossthe1.0kresistorisVR=IminR=4(V)SinceVR=Vin-Vz,Vin=VR+Vz=14(V)Forthemaximumzenercurrent,thevoltageacrossthe1.0kresistorisVR=ImaxR=40(V)Therefore,Vin=VR+Vz=50(V),第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.5稳压管及稳压电路,3.稳压电路,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.5稳压管及稳压电路,3.稳压电路,DesignVerification:ApplyThevinensEquivalenttosimplify,第二讲半导体二极管及常用二极管电路2.5稳压管及稳压电路,3.稳压电路,IfVDD=15Vinste

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