标准解读

GB/T 20230-2006《磷化铟单晶》是中国关于磷化铟（InP）单晶材料的质量标准。该标准详细规定了磷化铟单晶的分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存要求，旨在确保此类材料的质量可控性与一致性，满足半导体器件制造等行业的需求。以下是标准内容的几个关键点：

  1. 范围：明确了本标准适用于半导体器件制备中使用的磷化铟单晶材料，包括其晶向、直径、长度等基本规格。

  2. 规范性引用文件：列出了实施本标准时所直接引用或参考的其他标准文件，这些文件对于理解和执行标准中的各项要求至关重要。

  3. 术语和定义：对标准中使用的一些专业术语进行了界定，帮助读者准确理解标准内容。

  4. 分类：根据磷化铟单晶的特性，如电阻率、掺杂类型等进行分类，便于用户根据具体应用需求选择合适的材料。

  5. 技术要求：

    • 化学组成：规定了磷化铟单晶中杂质元素的最大允许含量，以保证材料的纯度。
    • 物理性能：包括晶体结构、直径、长度、位错密度、晶片平整度等指标，确保材料的物理属性满足半导体器件加工及性能要求。
    • 电学性能：如电阻率、载流子浓度等，需符合特定范围，以适应不同电子器件的设计需求。

  6. 试验方法：详细说明了如何通过各种测试手段来验证单晶的各项技术指标，如X射线衍射分析晶体结构、四探针法测量电阻率等。

  7. 检验规则：规定了产品检验的程序、抽样方法及合格判定准则，确保每批产品的质量控制。

  8. 标志、包装、运输、储存：为避免在后续处理和使用过程中材料受损，标准对产品的标识信息、包装材料、运输条件及储存环境提出了具体要求。

该标准通过上述各部分内容，构建了一套完整的磷化铟单晶质量控制体系，指导生产、销售及使用过程中的质量管理和验收工作，促进半导体材料产业的技术进步和产品质量提升。


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  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 20230-2022
  • 2006-04-21 颁布
  • 2006-10-01 实施
©正版授权
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文档简介

ICS29.045H83中华人民共和国国家标准GB/T202302006磷化单晶indiumphosphidesinglecrystal2006-04-21发布2006-10-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布中国国家标准化管理委员会中华人民共和国国家标准磷化铟单晶GB/T20230-2006中国标准出版社出版发行北京西城区复兴门外三里河北街16号邮政编码：100045电话：010)51299090、685220062006年10月第一版书号：1550661-28063版权专有侵权必究举报电话：010)68522006GB/T202302006前本标准主要参考了SEMIM23-0302磷化钢单品抛光片,结合我国实际情况进行编写的本标准由中国有色金属工业协会提出本标准由信息产业部(电子)归口。本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所。本标准主要起草人：孙聂枫、周晓龙、孙同年。GB/T202302006磷化铟单范围本标准规定了型、半绝缘型(Si)p型磷化钢单品键及单品片的牌号、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、存等。本标准适用于高压液封直拉法(HP-LEC)制备的磷化钢单品材料(以下简称单品）规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勒误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1555半导体单品品向测量方法GB/T2828(所有部分）计数抽样检验程序GB/T4326非本征半导体单品霍耳迁移率和霍耳系数测量方法GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T13387电电子材料品片参考面长度测量方法SJ/T3244.1GaAs和InP材料霍耳迁移率和载流子浓度的测量方法SJ/T3245磷化铟单品位错密度测量方法SJ/T3249.1半半绝缘砷化镖和磷化铟体单品材料的电阻率测试方法要求3.1牌号磷化钢单品的牌号表示方法为：HPLEC-InP-口（表示晶向表表示导电类型，括号内的元素符号表示掺杂剂表示磷化钢单品表示高压液封直拉法示例：HPLEC-InP-Si(Fe）（100).表示高压液封直拉法掺铁半绝缘(100)品向磷化铟单品。若单品不强调生长方法和掺杂剂，则相应部分可以省略3.2磷化铟单晶徒的特性3.2
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