介质 磁化强度 磁场强度 铁磁质

.,12-1介质磁化,原子分子的磁矩:,原子分子内电子自旋运动和绕核的轨道运动以及核的自旋运动，都产生磁矩，称为分子磁矩，其等效圆电流，称为分子电流.(原子核的磁矩由于远远小于电子磁矩，通常不考虑),第十二章磁介质中的磁场,2.分子电流和分子磁矩,1.磁介质：一切物质,.,分子磁矩,3.顺磁质的磁化,.,无外磁场时抗磁质分子磁矩为零,抗磁质内磁场,抗磁质的磁化,电子轨道磁矩,4.抗磁质的磁化,.,B,0,e,L,抗磁质的磁化,产生等效的,逆时针方向的分子电流,Cf:p288例题12-1,.,L,B,0,电子轨道平面,在外磁场作用下电子轨道的进动,.,L,B,0,电子轨道平面,在外磁场作用下电子轨道的进动,.,L,B,0,电子轨道平面,在外磁场作用下电子轨道的进动,.,L,B,0,电子轨道平面,在外磁场作用下电子轨道的进动,.,L,B,0,电子轨道平面,在外磁场作用下电子轨道的进动,.,L,B,0,电子轨道平面,在外磁场作用下电子轨道的进动,.,L,B,0,电子轨道平面,在外磁场作用下电子轨道的进动,.,L,B,0,电子轨道平面,在外磁场作用下电子轨道的进动,.,L,B,0,电子轨道平面,在外磁场作用下电子轨道的进动,.,L,B,0,电子轨道平面,在外磁场作用下电子轨道的进动,.,L,B,0,电子轨道平面,在外磁场作用下电子轨道的进动,.,L,B,0,在外磁场作用下电子轨道的进动,顺磁质内磁场,抗磁质内磁场,.,1.磁化强度,单位(安/米),12-2磁化强度磁化电流,附加磁矩,顺磁质可略,抗磁质,真空,2.磁化电流,.,面电流密度,.,总分子磁矩,12-3介质中的安培环路定理,.,磁场强度,.,相对磁导率,磁导率,各向同性磁介质,.,例题12-3有两个半径分别为和的“无限长”同轴内圆柱外圆筒形导体,在它们之间充以相对磁导率为的磁介质.当两圆筒通有相反方向的电流时,试求(1)磁介质中任意点P的磁感应强度的大小;(2)圆柱体内及圆筒外面一点Q的磁感强度.,解对称性分析,.,作业：p27211-34,46,12-13,.,H沿切线方向,r相同处H的大小相同,例2一根长直同轴电缆，内、外导体之间充满磁介质，忽略导体磁化，电缆沿轴向有稳恒电流I通过，内、外导体上电流的方向相反。求：B,.,.,例3）一无限长螺线管，通以电流I，管内充有相对磁导率为的各向同性的均匀介质，若单位长度线圈匝数为n，求介质中的和。,解：,注意：,类同例题12-2,.,12-5铁磁质(FerromagnetSubstance),可见区别在于相对磁导率的不同,或B/H的值不同.研究磁性材料就是研究B(H)曲线-磁化曲线.,硅钢片、坡莫合金、赫斯勒合金等),一磁化曲线,1）非磁性材料的磁化曲线,以螺绕环为例：,Cf:p306表12-2,.,2）铁磁性材料的磁化曲线,起始磁化曲线：,起始段,直线段）,磁通计,.,起始磁化曲线：,B（H）关系是非线性的,二磁滞回线,在交变电流(H)作用下的B(H)曲线,.,在交变电流（H）作用下的B（H）曲线,B的变化落后H的变化，这种现象叫“磁滞”,.,二）温度对铁磁质的影响,存在居里点-使铁磁质变为顺磁质的温度。,综上所述：磁性材料特点：,2）有剩磁，去磁要有矫顽力Hc,3）具有使铁磁质性质消失的“居里点”。,1）B、H具有非线性关系，数值很大。,.,1）铁磁质的磁畴结构,铁磁质是由一些自发磁化的区域-磁畴构成,多晶体,单晶体,体积：10-6cm3,含铁原子数：1017-1021个,成因：一种量子作用-电子轨道交叠产生的一种交换耦合作用，使电子自旋取一致平行的排列，形成自发的磁化区域-磁畴。,畴壁-两个磁畴之间的过度部分-“布洛赫壁”厚度在10-6cm左右。,三）磁畴学说,.,磁畴在外磁场作用下的两种变化,1）畴壁扩充,2）磁畴转向,自发的磁化强度与外一致的磁畴畴壁向外张。,在强磁场作用下磁畴的磁化强度转向与外磁场一致。,2用磁畴结构解释铁磁质的特性,.,ab段,畴壁扩充,磁畴吞并,剩磁,矫顽力,磁滞损耗,单位体积磁滞损耗,敲打和加热可以去磁。,.,NSNSNSNSNSSNNSNSNSNSNSNSSNSNSNSNSNS,磁带去磁原理：,H,磁头,.,软磁性材料-Br小Hc小磁滞回线细长,适用制造电机、变压器等。,硬磁性