模拟电子技术学习笔记VIP

本证半导体：纯净晶体结构的导体。 常用的有硅和锗。在外电场的作用下，自由电子定向移动形成电子电流；从而破坏晶格间原有的共价键，出现电子的空位，称为空穴。空穴也进行位置的相对移动，形成空穴电流。N型半导体：在本征半导体中加入+5价的元素，（磷，锑，砷）。使导体内的每一个原子周围除形成共价键之外，有一个游离的电子，N型半导体的多数载流子电子，少数载流子空穴。电子受力移动，留下施主杂质带正电 （不参与导电）。 所以，杂质半导体，多数载流子主要取决于杂质的浓度。少数载流子有共价键提供，其浓度取决于温度。整个半导体内先电中性。当达到平衡时，扩散运动与漂移运动的作用相等，通过界面的总载流子数为零，PN结的电流为0；PN结交界区形成一个高阻区，称为耗尽层。 P型半导体本征半导体+微量正3价元素，晶格内形成共价键时，少电子而多空穴，即为多数载流子。电子则为少数载流子。 杂质元素称为受主杂质，在外界能量的作用下形成空穴的移动，留下带负电的杂质离子。主要靠空穴导电，PN结P型与N型的交界处形成PN结。交界两侧电子与空穴浓度差悬殊，产生扩散运动。电子由N向P移动，形成P向N的电子电流。交界P,N分别留下（漂移）了不能移动且显负，正的杂质离子，从而形成N向P的自建电场，阻碍了扩散运动，中将达到二者平衡。扩散电容PN结的导电性正向电压P接电源高电压，N接电源低电压，外加电场与自建场方向相反，阻挡层变窄，促进多子扩散，PN结导通。反向电压N接电源高电压，P接电源低电压反向电压超过0.几V时少子基本在电场作用下，形成漂移电流，少子不因为电压变大而增多，反向电流基本不变，即饱和电流。外加电场与自建场方向相同，阻挡层变宽，促进少子漂移，PN结截止，电流方向与正向偏置时相反，称为反向电流。少子成小电流，反向电流很小。击穿特性雪奔击穿（碰撞击穿）少子能量过大，与原子碰撞，从而形成电子空穴对。如此连锁反应，反向电流快速增加。电压超过门限值，PN结击穿 击穿不一定PN结的损坏齐纳击穿（电场击穿）原子间的价电子直接拉出，形成电子空穴对，反向电流急剧增加。势垒电容工作在击穿条件下，反向电流变化大，电压却变化很小，即具有稳压性。稳压二极管二极管的应用：限幅电路 门电路三极管的结构及类型无论是PNP还是NPN型的三极管，都包含三个区：发射区(c)、基区(b)和集电极区(e)。 集电结 发射结正向反向正向饱和状态放大状态反向反向放大截止状态 三极管的接法： Ie=Ic+Ib(共基极电流放大系数，共发射极电流放大系数) 1：发射结(c)重掺杂。三极管的放大作用 2：基区(e)很薄。 3：集电极面积大。 1：当Uce不变时，输入回路中的电流Ib与电压Ube之间的关 系曲线称为输入特性三极管的特性曲线： 2：当Ib不变时，输出回路中的电流Ic与电压Uce之间的关系 曲线称为输出特性直流分析：即静态分析，基极电流Ib、集电极电流Ic=Ib，Uce。 电容 开路 (先画出直流通路) 电感 短路 信号源 短路共设极的电路： 1、输入电压与输出电压反相。 2、顶部失真，输入回路就出现开始失真。（饱和） Uce减小到极限 3、底部失