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文档简介
内存供电,主板中常见的内存插槽有DDR1,DDR2和DDR3.不同的内存所需要的工作电压也不同,一般DDR1内存需要2.5V,DDR2需要1.8V,DDR3需要1.5V。一般在内存槽旁边设计了专门的供电电路为内存供电。主供电VTT电压DDR:2.5V1.25VDDR2:1.8V0.9VDDR3:1.5V0.75V,负载供电,内存负载供电:即内存总线终结电压VTT-DDR,采用的一般为独立芯片,如RT9202,RT9199,W83310.内存在读写高速信号的过程中,由于总线阻抗匹配,布线等因素,会影响高频信号的完整性,从而在读,写数据时出现错误,为了防止出现这种错误,需要能够吸收或者提供很大的电流,精确的跟随主供电的一半(VCC-DDR/2)稳压精度高,响应快的终端电源VTT,以降低总线上负载变化所引起的瞬态波形失真。,内存供电电路的组成,内存供电电路主要有三端稳压管,场效应管(上下管),电感,电容,电源管理芯片,上拉排阻或电阻,上拉芯片等。,DDR2内存供电,引脚定义,1.BOOT:启动脚,UGATE的动力来源,自举升压端。2.UGATE:上管驱动。3.GND:地脚。4.LGATE:下管驱动。5.VCC:供电端,LGATE的动力来源。6.FB:电压反馈端,与内部0.8V基准电压比较。7.OCSET:过流设定,高电平开启。一般OCSET会连接到一个开关作用的三极管的C极或场管的D极。如果7脚被三极管拉低了,芯片将会停止工作。8.PHASE:相位脚,上管导通的回路。检测上管的导通压降,防止过流。,采用12V和5V供电的RT9202的工作原理,1:5V给5脚供电,5V给上管供电,12V经过R4给1脚供电,5V经过R1给7脚供电。2:2脚UGATE驱动上管导通。3:上管给电感L2和电容C3充电。4:当L2和C3成的储能电路电压经过R2和R3分压反馈给FB电压超过0.8V时,RT9202关闭上管打开下管。5:下管导通构成储能电路的放电回路,当电路经过分压后反馈给FB的电压低于0.8V时,RT9202控制关闭下管打开上管,继续供电。6:2-5循环。注1:当Q1的G极得到高电平SHND信号后,7脚被拉低,整个芯片停止工作。注2:PHASE的作用防止上下管同时打开引起短路。注3:R2,R3阻值变化会导致输出电压变高或变低,但PWM波形正常。,仅使用5V供电的RT9202的工作原理,1:5V给5脚供电,5V给上管供电,5V经过D1给1脚供电,5V经过R1给7脚供电。2:2脚UGATE驱动上管导通。3:上管给电感L2和电容C3充电,并返回给C2右端。4:C2右端的电压增加,因其特性,左端电压(BOOT)脚也会跟随增加,直到完全导通。5:当L2和电容C3组成的储能电路电压经过R2和R3分压反馈给FB脚电压超过0.8V时,RT9202控制关闭上管,打开下管。6:下管导通构成储能电路的放电回路,当电路经过分压后反馈给FB的电压低于0.8V时,RT9202关闭下管打开上管,继续充电。7:2-6循环注1:当Q1的G极得到高电平SHND信号后,7脚被拉低,整个芯片停止工作。注2:PHASE的作用防止上下管同时打开引起短路。注3:R2,R3阻值变化会导致输出电压变高或变低,但PWM波形正常。,内存电路维修流程,8脚PWM芯片工作条件,1:1脚和5脚5V以上电压。2:7脚电压:RT9202是3V以上,RT9214是0.4V以上。3.上下管G极都有控制电压,输出电压还是不正常或无电压输出,一般是反馈FB连接的电阻损坏导致。4.芯片可以控制输出的电压不低于0.8V。5:PWM电路中的元件任何一个有故障以及过压,过流,欠压都会导致整个电路停止工作,所以不需要测上下管的控制电压。输出电压=0.8/Rgnd(Rgnd+Rout)RT9218是RT9214+一个运算放大器捆绑在一起的。
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