模电部分第2章潘二极管及电路

第二章半导体二极管及其基本电路,导体、半导体和绝缘体,导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。,绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。,半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。,2.1半导体的基本知识,半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：,(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。,掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。,光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化(可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。,热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强,2.1.1半导体材料,共价键共用电子对（束缚电子）,+4表示除去价电子后的原子,共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。,2.1.2半导体硅和锗的共价键结构,在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。（本征激发）,1)载流子：(自由电子和空穴),自由电子,空穴,束缚电子,2.1.3本征半导体,完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。,2)本征半导体的导电机理,*空穴吸引附近的电子来填补,相当于空穴的迁移，可以认为空穴是载流子。空穴带正电核，空穴子移动形成电流。,本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。,*电子带负电核，电子移动形成电流。,*温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强,在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。,P型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。,N型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。,2.1.4杂质半导体,多余电子,磷原子,N型半导体中的载流子：,1、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。,2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。,掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。,一、N型半导体,在本征半导体中掺入少量的五价元素磷（或锑），外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子五价元素磷称为施主原子。,二、P型半导体,空穴,硼原子,P型半导体中空穴是多子，电子是少子。,三、杂质半导体的示意表示法,杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。,1.在杂质半导体中多子的数量与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。,2.在杂质半导体中少子的数量与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。,3.当温度升高时，少子的数量（a.减少、b.不变、c.增多）。,a,b,c,4.在外加电压的作用下，P型半导体中的电流主要是，N型半导体中的电流主要是。（a.电子电流、b.空穴电流）,b,a,基本概念练习：,2.2PN结的形成及特性,PN结的形成,多子的扩散运动,少子的漂移运动,浓度差,P型半导体,N型半导体,内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。,扩散的结果使空间电荷区变宽。,空间电荷区也称PN结,扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。,动画,形成空间电荷区,空间电荷区,N型区,P型区,电位V,V0,PN结的单向导电性,1.PN结加正向电压（正向偏置）,PN结变窄,P接正、N接负,IF,内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。,PN结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。,动画,PN结变宽,2.PN结加反向电压（反向偏置）,内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。,IR,P接负、N接正,温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。,动画,PN结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。,半导体二极管,基本结构,(a)点接触型,(b)面接触型,结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。,结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。,(c)平面型用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。,图112半导体二极管的结构和符号,2.3.1二极管的结构,2.3半导体二极管,2.3.2二极管的V-I特性,硅管0.5V,锗管0.1V。,反向击穿电压U(BR),导通压降,外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，（雪崩击穿、齐纳击穿）失去单向导电性。,正向特性,反向特性,特点：非线性,硅0.60.8V锗0.20.3V,死区电压,反向电流在一定电压范围内保持常数。,1.最大整流电流IF,二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。,2.反向击穿电压UBR,二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。,2.3.3二极管的参数,3.反向电流IR,指二极管未击穿时的反向电流。反向电流越小，单向导电性越好。温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流大。,4.二极管的极间电容,二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。,势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。,扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P区的少子（电子）在P区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。,势垒电容CB：在正向和反向偏置时均不能忽略。,PN结高频小信号时的等效电路：,势垒电容和扩散电容的综合效应,扩散电容CD：在反向偏置时，由于载流子数目很少，可以忽略。,微变电阻rD,uD,rD是二极管特性曲线上工作点Q附近电压的变化与电流的变化之比：,显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。,2.4二极管基本电路及其分析方法,2.4.1模型,理想模型：正向看成短路(导通），反向看成开路（截止）,恒压降模型：正向导通压降取定值（0.7v),二极管：死区电压=0.5V，正向压降0.7V(硅二极管)理想二极管：死区电压=0，正向压降=0,二极管的应用举例1：二极管半波整流,判断理想二极管导通与否的方法：,断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位,二极管的应用举例2：,两个二极管的阴极接在一起取B点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。,V1阳=6V，V2阳=0V，V1阴=V2阴=12VUD1=6V，UD2=12VUD2UD1D2优先导通，D1截止。若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB=0V,例2:,D1承受反向电压为6V,流过D2的电流为,求：UAB,在这里，D2起钳位作用，D1起隔离作用。,ui8V，二极管导通，可看作短路uo=8Vui8V，二极管截止，可看作开路uo=ui,已知：二极管是理想的，试画出uo波形。,8V,例3：,二极管的用途：整流、检波、限幅、钳位、开关、元件保护、温度补偿等。,参考点,二极管阴极电位为8V,动画,2.5特殊二极管,2.5.1稳压二极管,当稳压二极管工作在反向击穿状态下,当工作电流IZ在Izmax和Izmin之间时,其两端电压近似为常数,正向同二极管,稳定电流,稳定电压,（4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。,（5）最大允许功耗,稳压二极管的参数:,（1）稳定电压UZ,（3）动态电阻,稳压二极管的应用举例,稳压管的技术参数:,负载电阻。,要求当输入电压由正常值发生20%波动时，负载电压基本不变。,解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为Izmax。,求：电阻R和输入电压ui的正常值。,方程1,令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin。,方程2,联立方程1、2，可解得：,2.5.3光电子器件,反向电流随光照强度的增加而上升。,符号,2.发光二极管:,有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类