极型晶体管场效应管_第1页
极型晶体管场效应管_第2页
极型晶体管场效应管_第3页
极型晶体管场效应管_第4页
极型晶体管场效应管_第5页
已阅读5页，还剩7页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

2-4单极型晶体管（场效应管）,学习要点：结型场效应管导电特性绝缘栅型场效应管（MOS管）的参数,单极型晶体管,2-4-1结型场效应管,2-4-2绝缘栅型场效应管(MOS管),2-4-3场效应管特性参数,2-4-4场效应管与三极管特性比较,退出,2-4-1结型场效应管,双、单极型晶体管区别1)双极型：属电流控制型2)单极型：属电压控制型场效应管分类(FET)1)结型（JFET）:“P沟道”，空穴导电“N沟道”，电子导电2)绝缘栅型（MOS）：“增强型PMOS、NMOS”“耗尽型PMOS、NMOS”,1.结构与符号,(a)N沟道(b)P沟道,导通条件N沟道：uGS0、uDS0P沟道：uGS0、uDSUGS(th)0PMOSuGSUGS(th)0UGS(th)“开启电压”，即沟道形成的最小电压增强型MOS管所特有2）耗尽型MOS管制造时内部已存在一个导电沟道当uGS=0、uGS0时电流为常量IDSS称“漏极饱和电流”当uGS=UGS(off)时原有导电沟道夹断不导电UGS(off)“夹断电压”，耗尽型MOS管所特有3）其它类型场效应管工作特性见书P63,2-4-3场效应管特性参数,1.开启电压UGS(th)和夹断电压UGS(off)当uDS一定时，使iD为某一最小值（刚导通）时所外加的G-S电压增强型存在UGS(th)耗尽型存在UGS(off)2.饱和漏电流IDSS耗尽型管特有参数，且为当uGS=0时的漏电流3.低频跨导gm反映了栅源电压uGS对漏极电流iD的控制能力4.极限参数IDM：最大漏极电流。工作时允许的最大漏极电流。PDM：最大耗散功率。PDMuDSiDU(BR)DS：漏源击穿电压U(BR)GS：栅源击穿电压,2-4-4场效应管与三极管性能比较,课前复习及提问：1）NPN管在放大状态下各极电位的关系？2）三极管在共射、共集组态下的电流关系？3）三极管的三个工作区是什么？4）NPN、PNP管的区别？思考题：P671、2作业题：P1462-5
人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论