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IC/mA,UCE/V,100A80A60A40A20A,O36912,4,2.3,1.5,3,2,1,IB=0,(2),截止区,对NPN型硅管，当UBE0.5V时,即已开始截止,为使晶体管可靠截止,常使UBE0。截止时,集电结也处于反向偏置(UBC0),此时,IC0,UCEUCC。,IB=0的曲线以下的区域称为截止区。,IB=0时,IC=ICEO(很小)。(ICEO0.001mA),截止区,IC/mA,UCE/V,100A80A60A40A20A,O36912,4,2.3,1.5,3,2,1,IB=0,(3)饱和区,在饱和区，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。IB固定时，IC随UCE增大而猛增，此时UCE称为饱和电压，记UCES。深度饱和时，硅管UCES0.3V，锗管UCES0.1V。,当UCE0)，晶体管工作于饱和状态。IB对IC影响较小，不成比例,饱和区,晶体管三种工作状态的电压和电流,(a)放大,(b)截止,(c)饱和,当晶体管饱和时，UCE0，发射极与集电极之间如同一个开关的接通，其间电阻很小；当晶体管截止时，IC0，发射极与集电极之间如同一个开关的断开，其间电阻很大，可见，晶体管除了有放大作用外，还有开关作用。,晶体管结电压的典型值,3主要参数,表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。,1）电流放大系数，,直流电流放大系数,交流电流放大系数,当晶体管接成共射极电路时，,注意：,和的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0较小的情况下，两者数值接近。,常用晶体管的值在20200之间。,由于晶体管的输出特性曲线是非线性的，只有在特性曲线的近于水平部分，IC随IB成正比变化，值才可认为是基本恒定的。,例：在UCE=6V时，在Q1点IB=40A,IC=1.5mA；在Q2点IB=60A,IC=2.3mA。,在以后的计算中，一般作近似处理：=。,在Q1点，有,由Q1和Q2点，得,2）集-基极反向截止电流ICBO,ICBO是指发射极开路时，集-基极间加反向电压时的电流。温度ICBO，ICBO越小越好,3）集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO,ICEO是指基
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