晶体三极管输入和输出特性ppt课件.ppt

2.1晶体三极管输入和输出特性,2.1.4三极管的输入和输出特性,2.1.5三极管主要参数,2.1.6三极管的简单测试,1,1.5.3特性曲线,IC,V,UCE,UBE,RB,IB,EC,EB,实验线路,下一页,上一页,首页,2,一、输入特性,工作压降：硅管UBE0.60.7V,锗管UBE0.20.3V。,死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。,1.5,下一页,上一页,首页,3,3、三极管共射组态的输入特性曲线,BJT的输入特性曲线为一组曲线,4,5,2.1.4三极管的输入和输出特性,集射极之间的电压VCE一定时，发射结电压VBE与基极电流IB之间的关系曲线。,一、共发射极输入特性曲线,6,5VBE与IB成非线性关系。,由图可见：,1当VCE2V时，特性曲线基本重合。,2当VBE很小时，IB等于零，三极管处于截止状态；,3当VBE大于门槛电压（硅管约0.5V，锗管约0.2V）时，IB逐渐增大，三极管开始导通。,4三极管导通后，VBE基本不变。硅管约为0.7V，锗管约为0.3V，称为三极管的导通电压。,图2.1.9共发射极输入特性曲线,7,1.5.3特性曲线,IC,V,UCE,UBE,RB,IB,EC,EB,实验线路,下一页,上一页,首页,8,饱和区,1.5,截止区,放大区,有三个区：,下一页,上一页,首页,9,三、三极管特性曲线（讲授40分钟）,10,2、三极管共射组态的输出特性曲线：,饱和区,截止区,11,在放大区，iC随着iB按倍成比例变化，晶体管具有电流放大作用。对输入信号进行放大就要使三极管工作在放大区。,放大区的特点是：发射结正偏，集电结反偏，iCiB。,12,EC,iB=-ICBO,IB=0的曲线以下的区域称为截止区。IB=0时,IC=ICEO(很小)。对NPN型硅管，当UBE0.5V时，即已开始截止，但为了使晶体管可靠截止，常使UBE0，截止时集电结也处于反向偏置(UBCV(BR)CEO,返回输出特性曲线,20,第二章晶体三极管,三极管安全工作区,最大允许集电极电流ICM,（若ICICM造成）,反向击穿电压U(BR)CEO,（若UCEU(BR)CEO管子击穿）,UCEPCM烧管）,PCPCM,ICICM,返回输出特性曲线,21,当晶体管饱和时，UCE0，发射极与集电极之间如同一个开关的接通，其间电阻很小；当晶体管截止时，IC0，发射极与集电极之间如同一个开关的断开，其间电阻很大，可见，晶体管除了有放大作用外，还有开关作用。,晶体管的三种工作状态如下图所示,22,第二章晶体三极管,三极管特性具有正向受控作用,在放大状态下的三极管输出的集电极电流IC，主要受正向发射结电压VBE的控制，而与反向集电结电压VCE近似无关。,注意：NPN型管与PNP型管工作原理相似，但由于它们形成电流的载流子性质不同，结果导致各极电流方向相反，加在各极上的电压极性相反。,23,第二章晶体三极管,从结构看：,从电路符号看：,无论是NPN还是PNP管，都有两个PN结，三个区，三个电极。,除了发射极上的箭头方向不同外，其他都相同，但箭头方向都是由P指向N，即PN结的正向电流方向。,三、三极管的工作状态及其外部工作条件,发射结正偏，集电结反偏：放大模式,发射结正偏，集电结正偏：饱和模式,发射结反偏，集电结反偏：截止模式,例子,（最常用）,（用于开关电路中）,24,第二章晶体三极管,总结:,在放大电路中三极管主要工作于放大状态，即要求，发射结正偏(正偏压降近似等于其PN结的导通压降），集电结反偏（反偏压降远远大于其导通电压才行）。,对NPN管各极电位间要求：,对PNP管各极电位间要求：,VeVc,管子类型判别例子(黑板）,25,第二章晶体三极管,发射结正偏：保证发射区向基区发射多子。,发射区掺杂浓度基区：减少基区向发射区发射的多子，提高发射效率。,基区的作用：将发射到基区的多子，自发射结传输到集电结边界。,基区很薄：可减少多子传输过程中在基区的复合机会，保证绝大部分载流子扩散到集电结边界。,集电结反偏、且集电结面积大：保证扩散到集电结边界的载流子全部漂移到集电区，形成受控的集电极电流。,总结,26,输出特性三个区域的特点:,放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：IC=IB,且IC