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文档简介

一、PN结（PNjunction）,1.1半导体二极管,下一页,返回,上一页,由于P区和N区载流子存在浓度差N区的自由电子向P区扩散，在交界面附近的N区留下正离子，,P,N,结构示意图如图所示，,孔穴,自由电子,P区的空穴向N区扩散，在交界面附近的P区留下负离子,内电场,UD,扩散diffusion,漂移drift,下一页,返回,上一页,内电场阻碍多数载流子的扩散运动但推动少数载流子做漂移运动最终扩散运动和漂移运动达到动态平衡，PN结稳定,交界面两侧形成了一个空间电荷区，即PN结,正负空间电荷在交界面两侧形成一个内电场，,二、PN结的单向导电性,加正向电压（简称正偏）forwardbias,PN结处于正向导通(on)状态，正向等效电阻较小。,下一页,返回,上一页,反向电流非常小，PN结处于截止(cut-off)状态。,2.加反向电压,动画演示,三、二极管的伏安特性,阳极从P区引出，阴极从N区引出,对应N区,对应P区,下一页,返回,上一页,正向特性,死区电压,Is,UBR,反向特性,下一页,返回,上一页,反向击穿电压,反向饱和电流,二极管的应用-整流,Ui=Umsint画出uo和uD的波形,Um,ui0时二极管导通uo=uiuD=0,ui0时二极管截止uD=uiuo=0,-Um,io,下一页,返回,上一页,1.2N沟道增强型MOS场效应管,1.结构,P型衬底,B,N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图,P衬底杂质浓度较低引出电极用B表示,N+两个区杂质浓度很高分别引出源极和漏极,栅极与其它电极是绝缘的通常衬底与源极在管子内部连接,下一页,返回,上一页,2.工作原理,当UGS增大到一定值UT时，形成一个N型导电沟道,N型沟道,UT：开启电压,导电沟道的形成,假设UDS=0，同时UGS0,靠近二氧化硅的一侧产生耗尽层,又称之为反型层,导电沟道随UGS增大而增宽,下一页,返回,上一页,UDS对导电沟道的影响,图中满足且UDSUT产生电流ID且随UDS变化,ID,从而使导电沟道发生变化U
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