完整的电路保护-过流过压保护最新版本VIP

全电路保护，1.1过流保护，1 .传统保险丝/玻璃管，3.PTC/NTC热敏电阻，注：上述2和3加上一些温度控制元件通常称为电路热保护。根据焦耳定律：Q=I2RT当通过保险丝的电流达到一定水平时，保险丝上产生的热量达到其固体熔点，保险丝将自动熔断以保护电路。因此，工程师在选择保险丝时最关心的参数如下：1-熔断电流T -当电流达到1时，需要多长时间熔断。因此，一般保险丝可分为两种类型：快断(F)和慢断(S)。工作原理(pptcr) a .当电流流过该元件时，已知它将根据焦耳定律产生热量。上图中的点1点2是当前或环境温度上升不明显时达到的平衡点。b，当当前或环境温度继续增加并且产生的热能大于耗散的热能时，在该阶段的小的温度变化将导致电阻值的显著增加。上图中的点3-点4处于受保护状态。正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数正温度系数T-R曲线如图1所示。因此PTCR主要用作电路保护元件。负温度系数热敏电阻：热敏电阻的电阻随着温度的升高而降低。T-R曲线如图2所示。因此，NTCR主要用作温度控制元件。过压保护常识，为什么过压保护元件越来越多地用在电流电路中？1.随着电子产品数字化的发展，集成电路越来越集成化，其“价值”也越来越昂贵。因此，应该加强保护。2.为了降低功耗和发热，半导体元件和集成电路的工作电压越来越低。据SIA称，2003年集成电路工作电压为1.5V，并将降至1.2V今年。3、使用环境要求的电子产品。汽车电子产品、户外通讯产品、电子产品；4.越来越多的数字移动产品，如PDA、手机、笔试电脑、数码相机、MP3等。所有设备都需要电池作为电源，电池组件和电池充电器都必须配备保护元件。过压的表现是什么？1.瞬态峰值电压2，浪涌电压3，静电放电(静电放电)4，其他，二极管、雪崩二极管、晶闸管、变阻器、气体放电管、线路馈电电阻、缓冲电容、过压保护-常见设备(限压器)，工作原理，该器件专门设计用于吸收静电放电能量，保护系统免受固态元件的静电放电损坏。瞬态电压开关二极管将被保护器件两端的电压限制在额定电压以上，但远低于破坏阈值电压。瞬态电压消除器瞬态电压保护产品、 1、聚合物静电放电抑制器2、压敏电阻-表面贴装A、多层压敏电阻(M1、MLE、MHS、AUMLAnDMINSeries)B、压敏电阻(CHSeries)3、硅保护产品A、瞬态电压消除器/二极管阵列(SP05x、SP05x系列)B、晶闸管(SiBODTM)C、瞬态电压消除器/硅二极管(sads4)、气体放电管(GDTs)5、工业轴向压敏电阻A、辐射二极管(UltraMOVTM、UltraMovtm).TE CCOR产品应用，5，其他工业设备，3，通信设备，4，汽车电子，1。个人电子消费品，2。电源产品，电源产品，A，交流电源B，不间断电源(不间断电源)，C，电能表D，交流电器控制板，应用电路，推荐产品，可控硅变阻器(MOV)TVS/ULTraMOV，交流/DCDC/DC转换电路全波/半波整流电路/逆变电路，雷电防护，气体放电管可以在数百微秒内承受数千安培瞬态雷电流的冲击。缺点是雷电过电压的波头不能得到有效保护。变阻器具有良好的非线性、大的吸收能力和快速的响应速度。缺点是应用于数字视频接口、综合业务数字网和其他图像传输设备时容易失真。同时，很容易老化。热敏电阻具有内阻小且稳定、动作快、表面温度低、耐高压和耐高温的优点。固体放电管是电力和通信领域防雷装置的前沿产品，是气体放电管和变阻器的升级换代产品。电力系统设备应用的比较，常见的防雷方法，1。结合使用各种防雷装置来弥补某一装置的缺陷。例如，MOV PTC:它能快速响应雷电波变阻器，并诱导雷电流入地面。PTC可以保护通信电缆。2.采用多设备多级保护。示例：气体放电管由于其能量释放大，可用作主要保护。变阻器适用于电源和内部设备的保护。用户设备1、传真机2、xDSL/Modem3、公共电话/无绳电话/手机/网络电话4、T1/E1/J15、ISDN设备6、SLIC本地设备1、PBX)2、互联网网关3、交换机/路由器/中继器(HUB)交换设备各种基站(卫星、微波；通信设备，用于通信产品，泰科公司提供固态过压保护装置。1、高速接口电路(USB2.0、IEEE1394、射频电路、千兆以太网、数字视频接口)、通用应用接口电路。2.中速接口电路(总线1.1、RS-485、以太网、视频/图像)，3。低速接口电路(RS-232、IEEE1284、按钮/开关、键盘)，应用1-移动电话，应用2-无绳电话，应用3-数码相机。*过流原因，负载过载或输出短路，整流装置故障，开关管故障，干扰等因素引起的误导通信，过流保护电路设计，(1)电流传感器检测过流保护电路，*组成，电流信号检测电路，过流信号处理电路，闭锁开关脉冲电路，*保护方法简单，采用熔断器，但动作慢，不足以实现快速保护，一般采用电子元器件组成的保护电路。*电流信号检测电路，开关管关断时，脉冲电流后沿尖峰由初级漏感和引线电感引起。(1)脉冲电流前沿峰值是由次级整流二极管反向恢复引起的变压器次级临时短路引起的。*过流信号处理电路，过流一般是异常现象或故障，所以过流保护不应该是自恢复的。(2)实施方式，反馈自锁。(3)加入两级滤波后，脉冲电流前后沿尖峰明显减小。(2)自动识别电源开关管的过流状态。*具有快速、可靠、方便的优点。(3)自锁处理电路：过流信号处理电路的输出可以加到集成脉宽调制控制器的保护信号输入上。*根据：GTR、g to、IGBT等的导通压降。与传导过程中的电流有关。当管中电流增加时，传导电压降也会显著增加。*功率金属氧化物半导体场效应晶体管是一个电阻性负载，传导电压降也与传导时的电流有关。比较器A用于输出过压判断。*比较器b用于输出欠压判断。*调整电阻器R1、R2、R3以改变保护点。*正常，UB= 0保护时，UB=1 。上限、下限、2保护，过压和欠压判断电路的输出被加到集成脉宽调制控制器的保护信号输入上。3、低功率电源中的过压保护*可通过使用齐纳二极管结合过流保护电路来实现。*选择稳压值UZ大于输出电压约1V的齐纳二极管。当过压发生时，齐纳二极管反向击穿，输出电压箝位在UZ，同时产生较大电流，使过流保护电路工作。*为瞬时尖峰干扰，吸收效应。3输入过压保护电路，1输入连续过压保护，(1)基本方法，*滤波电容器后采样，对瞬时过压没有影响。* R6、R5和T1可用于改变参考电压以避免振荡。*在保护期间，通过使用保护信号，可以阻止脉宽调制脉冲的输出，并且可以停止后面阶段的DC/DC转换器的操作。然而，如果输入电压继续上升超过滤波电容器的耐受电压值，滤波电容器将过压击穿。*判断保护后，同时发出保护信号，控制继电器或接触器动作，断开主电路；但是，当压力未超过时，继电器触点会被吸引，不会影响正常操作。*特性：完全保护，适用于中高功率电源；(2)电路复杂，成本高。输入瞬态过电压保护，(1)原因，(2)保护方法，*电网感性负载的开/关，雷电感应等。会在电网电压上产生尖峰电压，有些会达到几千伏。*这些峰值电压的能量强弱不同。一般来说，闪电产生的峰值电压能量很强，可能会损坏电源。*氧化锌压敏电阻在输入端并联。*交流尖峰电压串联时，通过电磁干扰滤波器后有一定的衰减；*如果衰减峰值仍然大于变阻器的连续工作电压值，变阻器的电阻值急剧下降，吸收峰值能量并保护电源。*为合理选择变阻器的连续工作电压值，一般高于连续工作电压上限的20%左右。嘿。4个软启动电路，1个软启动，*软启动是指电源启动时，其输出电压随时间缓慢增加，变化规律如图所示。*需要软启动，因为功率输出滤波电容较大，启动工作电容两端电压为零，没有储能；如果输出电压突然上升到额定值，将导致：*软启动时间，指输出电压上升到0.9U0时所需的时间，通常为数百毫秒。(1)在很短的时间内形成很大的充电电流，这会对整流二极管、电源开关和电容器造成严重的过流冲击。(2)容易造成过流或短路保护动作，影响电源的正常启动和使用寿命。嘿。2软启动过程，3软启动实现方法，*是指当电源启动时，功率开关管的驱动脉冲宽度从0慢慢加宽到相应的额定输出电压宽度。*软启动可以利用电容器的充电特性来实现。*在供电期间，参考电压UREF立即建立，但是电容器C的存在导致电压误差放大器的同相输入端的电压从零开始逐渐升高，并且脉宽调制脉冲宽度从零开始缓慢变宽。*在关机期间，电容C通过电阻R2放电，再次启动时仍具有软启动功能。软启动和输入浪涌电流抑制电路之间的关系，*在输入滤波电容充电且限流电阻短路之前，输出软启动电路不会开始工作。4软启动控制电路设计，*在各种脉宽调制控制芯片中，软启动控制电路通常可用，并且只需在设置端子外连接一个电容。*如果需要控制：(1)当x=1时，三极管导通，无脉冲输出；当x=0时，三极管关闭，开始正常工作。5过热保护，1热敏电阻，2温度开关，4.4热电路设计，半导体器件热设计的必要性，1器件芯片最高允许结温的限制，以及器件芯片的温度超过结温将导致器件的电或热不稳定并导致器件失效。一般来说，硅材料低于200，锗材料低于100。计算两个功率开关管的损耗，1个电阻负载开关管的开关损耗，2个半导体器件也受到温度变化的限制，并且半导体芯片通过焊料焊接到基底，因为它们的接触部分具有不同的热膨胀系数，所以外部温度的频繁变化将削弱结合表面材料，导致t，*开启，二极管在iC增加到iL之前仍然开启，uce=Ui，tvr之后只有iL=ic，二极管关闭，uce下降，tvf之后下降到零，然后关闭。*当集成电路关断时，集成电路稍有下降，二极管就开始导通，过一会儿uce上升到Ui，电流开始明显下降，过一会儿降至零，关断。对于GTR、GTO、IGBT、乌塞斯，开关管的传导损耗，*有一定的参考价值。*对于金属氧化物半导体场效应晶体管，一般给出Rds，其损耗为，4个开关管的截止损耗可忽略不计。计算2个二极管的损耗，1个二极管的反向恢复损耗，2个二极管的导通状态损耗，3个二极管的导通损耗，二极管的导通时间很短，导通损耗可以忽略不计。4、二极管截止损耗，二极管截止漏电流很小，截止损耗可以忽略。UDM二极管承受反向电压，三种热传递模式，热传递有三种形式：传导、对流、辐射。传导是热能从一个粒子传递到下一个粒子，而粒子保持静止的过程。1传导，*热传导类似于电传输：在上面的公式中，p是热流功率，a是导体的横截面积，l是导体的长度，温差在括号中。*K是材料的热导率，其尺寸为W/cm2。铜的导热系数是4.01。铝的导热系数是2.25。该公式类似于导体中的电流计公式，因此电路分析方法可用于分析热电路。我们都非常熟悉对流。天气的变化是一种对流，称为自然对流。还有强制对流，它迫使被加热的介质带走热量。对流，*加热的介质变轻，自然上升带走热量，这称为自然对流。*辐射*通过电磁波辐射热量。它与辐射表面的表面积、粗糙度和颜色有关。*三种传热模式往往同时存在，传热是多维的。*例如，从芯片到外壳的热传递主要是传导，对流和辐射可以忽略不计；在高海拔条件下，对流起次要作用，主要传导和辐射热量。四个热路径的欧姆定律，1热阻，*表示介质的传热能力，其含义是单位功耗引起的温度上升，用Rth表示。*热阻的单位是/W，*一般在描述热阻时，应该描述从某处到某处的热阻。热回路欧姆定律，*根据热电相似原理引入热回路的概念，*在热回路中，热流相当于回路中的电流，热阻相当于回路中的电阻，温差相当于电位差。*也就是说，当热量从物体a扩散到其周围的物体b时，物体a的温升等于物体a的加热功率和从a到b的热阻的乘积