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文档简介

-,1,AES分析方法原理AES谱仪基本构成AES谱仪实验技术AES谱图分析技术,俄歇电子能谱（AES）大本讲义,SIMS基本结构及技术特点XPS/AES/SIMS方法比较,二次离子质谱分析技术,-,2,离子溅射过程：一定能量的离子打到固体表面引起表面原子、分子或原子团的二次发射溅射离子；溅射的粒子一般以中性为主，有1%的带有正、负电荷二次离子；二次离子质谱：利用质量分析器接收分析二次离子质量电荷比值（m/Z）获得二次离子质谱，判断试样表面的元素组成和化学状态；溅射产额：影响二次离子产额因素与入射离子能量、入射角度、原子序数均有一定关系，并与靶原子的原子序数、晶格取向有关；,离子溅射与二次离子质谱,-,3,聚苯乙烯的二次离子质谱,-,4,离子源,质量分析器,检测器,二次离子质谱,二次离子深度分析,二次离子分布图像,二次离子质谱系统结构示意图,1,2,3,4,5,-,5,初级离子枪：热阴极电离型离子源，双等离子体离子源，液态金属场离子源；离子束的纯度、电流密度直接影响分析结果；二次离子分析器：分析质荷比磁偏式、四极式（静态SIMS）、飞行时间式（流通率高，测量高质量数离子）质量分析器；分析能力取决于分析器的穿透率及质量解析能力；离子探测器：离子流计数高离子电流采用法拉第杯；低离子电流采用电子倍增管；数据采集和处理系统：控制分析工作的进行与数据处理；主真空室：10-7Pa保持清洁表面；辅助装置：电子中和枪分析绝缘样品时，表面局部带电会改变二次离子发射的中和表面的荷电效应；,二次离子质谱仪基本部件,-,6,可以在超高真空条件下得到表层信息；可检测包括H在内的全部元素；可检测正、负离子；可检测同位素；可检测化合物，并能给出原子团、分子性离子、碎片离子等多方面信息；可进行面分析和深度剖面分析；对
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