航空航天工业标准规范文件：QJ 10006-2008

中华人民共和国航天行业标准中华人民共和国航天行业标准 FL 6130 QJ 100062008 宇航用半导体集成电路通用规范 General specification for semiconductor integrated circuit of space applications 20080216 发布 20080601 实施 国防科学技术工业委员会发 布 QJ 100062008 I 目 次 前 言.II 1 范围.1 2 规范性引用文件.1 3 要求.1 3.1 总则 .1 3.2 生产线认证和资格维持.2 3.3 鉴定或认定.2 3.4 结构分析.2 3.5 设计与结构.3 3.6 禁用工艺.3 3.7 外购芯片.4 3.8 批失效处理.5 3.9 生产控制.5 3.10 承制方外协控制.7 3.11 信息交换与失效报警要求.7 3.12 外购材料控制要求.7 3.13 可追溯性要求.8 3.14 可交付的器件要求.8 3.15 标志.8 3.16 使用方监制和验收.10 4 质量保证规定.11 4.1 总则 .11 4.2 检验分类.11 4.3 破坏性试验和非破坏性试验.11 4.4 试验和检验的环境条件.11 4.5 使用方监制.11 4.6 承制方筛选.12 4.7 鉴定或认定检验.14 4.8 质量一致性检验.14 4.9 使用方验收.19 4.10 使用方补充筛选.22 5 交货准备.24 5.1 包装和标识.24 5.2 运输、贮存.24 5.3 发货时应提供的文件.25 6 说明事项.25 6.1 采购文件要求.25 6.2 术语和定义.25 附 录 A（规范性附录）数据文件要求.28 QJ 100062008 II 前言 本规范的附录A为规范性附录。 本规范由中国航天科技集团公司提出。 本规范由中国航天标准化研究所归口。 本规范起草单位：中国航天科技集团公司第五研究院、中国航天标准化研究所。 本规范主要起草人：朱恒静、江理东、夏泓、宁永成、管长才、蔡娜、周倜、王敬贤。 QJ 100062008 1 宇航用半导体集成电路通用规范 1 范围 本规范规定了宇航用半导体集成电路生产、鉴定、质量一致性检验以及使用方认定、采购、监制、 验收、补充筛选等质量保证的通用要求。 本规范主要适用于按照国家军用标准 GJB 597A1996半导体集成电路总规范进行质量控制的 半导体集成电路（以下简称器件或产品） ，按照其他标准进行质量控制的器件亦可参照执行。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有 的修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方 研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。 GB 3431.11982 半导体集成电路文字符号 电参数文字符号 GJB 548 微电子器件试验方法和程序 GJB 597A1996 半导体集成电路总规范 GJB 1420A1999 半导体集成电路外壳总规范 QJ 1906A1997 半导体器件破坏性物理分析(DPA)程序和方法 QJ 3065.31998 元器件监制与验收管理要求 QJ 31642004 宇航用元器件供货单位质量保证能力的审查与认定 QJ 100042008 宇航用半导体器件总剂量辐照试验方法 QJ 100052008 宇航用半导体器件重离子单粒子效应试验指南 QPL 0082006 军用电子元器件合格产品目录 3 要求 3.1 总则 器件承制方应满足 GJB 597A1996 和本规范的规定，应具备满足本规范规定的生产设备、试验设 备和质量保证大纲，或者具备对器件生产设备、试验设备和质量保证大纲控制的能力和手段。器件应符 合 GJB 597A1996、本规范及相应详细规范规定的所有要求，当本规范的要求与详细规范不一致时， 应以详细规范为准。 为确保解释的统一性和在文件之间出现抵触时理解的统一性，应遵循以下优先顺序： a) 采购文件 b) 按照本规范制定的详细规范； c) 本规范； d) GJB 597A1996； e) 本规范引用的其它文件。 根据对器件质量保证的严格程度，质量保证等级从高到低分为 YA 级、YB 级和 YC 级。 QJ 100062008 2 3.2 生产线认证和资格维持 应由国家授权的机构按照 GJB 597A1996 中 3.4.1 的规定对器件生产线进行认证。 生产线认证维持按照 GJB 597A1996 中 3.4.1 的规定。 YA 级器件生产线认证按照 GJB 597A1996 中 3.4.1.2.2 的规定，YB 级器件、YC 级器件生产线认 证按照 GJB 597A1996 中 3.4.1.2.1 的规定。 3.3 鉴定或认定 本规范规定的器件应通过鉴定或认定。 3.3.1 鉴定 应由国家授权的机构按照 GJB 597A1996 规定对器件的质量进行鉴定。YA 级器件的鉴定级别为 GJB 597A1996 规定的 S 级；YB 级器件的鉴定级别为 GJB 597A1996 规定的 B 级；YC 级器件的鉴 定级别为 GJB 597A1996 的 B1 级或以上。鉴定合格产品的资格维持按照 GJB 597A1996 中 4.4.3 的 规定。 3.3.2 认定 认定由使用方根据宇航任务对器件的质量要求， 对承制方的生产能力进行考察， 对器件进行评估并 对器件的质量进行认定检验。若鉴定能够满足宇航任务对器件的质量要求，可不再进行认定。对已经认 定合格的产品，出现重大质量问题或连续 2 年以上未供货时，由使用方重新进行认定。 认定的内容包括以下方面： a) 承制方评价。按照 QJ 31642004 的规定，对承制方的组织机构、生产能力进行考察，确定是 否适合生产宇航用器件。评价应至少包括生产试验工具、设备、组织管理机构，承制方对生 产线的检查和控制能力、生产线的鉴定情况； b) 器件评估。对器件的整体情况进行评估，至少包括建立器件评估程序、确定器件评估试验方 法、需要包括在过程识别文件（PID）中的内容； c) 器件试验评估。对器件评估试验的结果进行评估，确定是否满足预定的需求。 3.3.3 鉴定或认定合格产品的更改 鉴定合格产品的更改按照 GJB 597A1996 中 3.4.2 的规定。更改批准后承制方在 5 个工作日内将 更改、批准的相关信息书面通知使用方。 非鉴定合格产品的更改应遵循以下原则： a) 承制方在对产品或质量保证大纲做出任何重大更改以致会影响产品的性能、质量、可靠性、辐 射强度保证（有要求时） 、静电放电敏感度等级或互换性时，应事先通知使用方。通知书应包 括更改的详细说明，承制方提供相关的试验数据或拟采用的试验方案，以证明更改将不致影响 产品的性能、质量、可靠性或互换性、辐射强度保证和静电放电敏感度，并证明更改后的产品 仍能满足规范的要求； b) 使用方同意之后，方可进行更改； c) 重大更改以及更改项目的试验指南可参考 GJB 597A1996 中 3.4.2 的规定； d) 与更改相关的试验完成之后，承制方应在 5 个工作日内将试验结论通知使用方； e) 更改后，应重新通过使用方的认定。 3.4 结构分析 使用方根据需要制定结构分析方案，进行结构分析；分析器件的设计、工艺和材料等是否满足使用 QJ 100062008 3 方的要求。如鉴定或认定时，未进行结构分析或结构分析不能满足使用方要求，应补做结构分析。 3.5 设计与结构 3.5.1 总则 器件的设计与结构应符合 GJB 597A1996 中 3.5 和本规范的规定。 3.5.2 封装材料和涂覆 3.5.2.1 封装材料 封装材料应满足 GJB 597A1996 中 3.5.1 的要求。 3.5.2.2 外引线或引出端材料 外引线或引出端材料应尽可能从下述型号和成分的材料中选择： A 型：铁镍钴合金（29%Ni，17%Co 余量 Fe） ； B 型：铁镍合金（41%Ni，余量 Fe） ； C 型：共烧金属化（例如纯钨） ； D 型：铜芯铁镍（50.5%Ni） ，芯材料为无氧铜； E 型：铜芯合金，芯材料为无氧铜； F 型：无氧铜，这种材料不适用于玻璃金属密封结构的零件； G 型：铁镍合金（50.5%Ni，余量 Fe） 。 3.5.3 玻璃钝化 芯片表面应采用钝化保护。 对 SiO2钝化层厚度不得小于 600nm，对 Si3N4钝化层厚度不应小于 200nm。对于 QPL 器件，钝化层的成分和厚度应经鉴定机构批准。 3.5.4 YA 级器件内引线和金属化层 3.5.4.1 内引线直径不得小于 0.03mm，芯片金属化层所用金属应与内引线相同。 3.5.4.2 金属化层的厚度、单层金属化厚度和多层布线金属化的顶层厚度不得小于 800nm，多层布线金 属化层顶层以下的各层不得小于 500nm。 3.5.5 芯片安装 禁止采用纯玻璃进行芯片的安装。 如果有鉴定机构的批准， 可以采用金属玻璃或银浆进行芯片安装。 在GaAs芯片背面可电镀金，其他芯片的背面不应电镀金和化学镀金。 3.5.6 封装 3.5.6.1 除非详细规范另有规定，器件应为气密封装，并应具有硬玻璃密封的金属体或具有陶瓷体。器 件外壳的封盖工艺应为熔焊、钎焊、预成型锡焊或玻璃熔接。 3.5.6.2 对金属、陶瓷或玻璃封装，器件封装内部不得使用有机或聚合物材料。 3.5.6.3 不允许用聚合物材料对器件的外壳进行浸渍处理 （即用有机或聚合物进行填充、 涂覆等来完成、 改善或修复外壳的密封） 。 3.5.6.4 含有氧化铍的封装不得研磨、喷沙、切削或进行其他产生氧化铍或铍粉尘的操作，也不允许将 氧化铍封装放入酸类液体中，以防产生蒸汽。 3.5.6.5 YA 级器件封装禁止使用干燥剂。 3.6 禁用工艺 3.6.1 总则 不应采用已经有明确数据表明不适合的工艺；不得采用 GJB 597A1996 明确规定不允许的工艺。 QJ 100062008 4 3.6.2 涂覆 不应采用纯锡作为引线和壳体的最后涂覆。 除非另有规定，不应使用锌、铬作为引线和壳体的最后涂覆。 化学镀镍不应用于易弯或半易弯曲引线，只能用于不能弯曲的引线或除引线外的其他封装的器件。 3.6.3 YA 级器件禁用工艺 不应使用激光划片技术进行划片。对蓝宝石上硅（SOS） ，从背面划片时可采用激光划片技术。 3.7 外购芯片 3.7.1 总则 承制方采用外购芯片时，应遵循以下原则： a) 应获得鉴定机构的认可； b) 外购芯片的生产线应经过国内或国外鉴定机构的认证， 外购芯片的生产过程控制应符合鉴定机 构以及本规范的规定； c) 外购芯片应为已知合格芯片（KGD） ，并按照 3.7.4 的规定进行芯片评价。否则，除按照 3.7.4 的规定进行芯片评价之外，还应对每晶片批按照 4.7 的规定进行鉴定检验； d) YA 级器件不得采用外购芯片。 3.7.2 外购芯片相关信息 承制方应对以下各个方面掌握足够的资料。当使用方有要求时，提交使用方审查。 a) 外购芯片的质量和可靠性历史； b) 外购芯片供方的历史； c) 外购芯片供方生产线状况； d) 外购芯片供方与器件承制方的合作情况。 3.7.3 外购芯片质量等级要求 外购芯片质量等级要求如下： a) YB 级采用外购芯片时， KGD 的质量等级可为以下之一： 1) GJB 597A1996 规定的 B 级或 B 级以上； 2) MILM38510 规定的 B 级或 B 级以上； 3) MILPRF38535 规定的 Q 级或 Q 级以上 4) 满足 ESCC 9000 规定。 b) YC 级采用外购芯片时， KGD 的质量等级可为以下之一： 1) GJB 597A1996 规定的 B1 级或 B1 级以上； 2) MILM38510 规定的 B 级或 B 级以上； 3) MILPRF38535 规定的 Q 级或 Q 级以上； 4) 满足 ESCC 9000 规定。 3.7.4 外购芯片评价要求 按照表 1 的要求，对每个晶片批的外购芯片进行评价。 3.7.5 器件标识 器件采用外购芯片时，按照 3.15.3.1 的规定在器件外壳进行标识。 QJ 100062008 5 表 1 外购芯片评价要求 质量保证等级 GJB 548 分 组 YB级 YC 级 试验项目 方法 条件 样本大小 （接收 数） 或抽样要求 芯片内部结构检查 a 10（0） 1 芯片尺寸测量（长、宽、厚度）b 10（0） 2c 电参数测试 按照适用的详细规范 25 100% 3d 内部目检 2010 条件 A 100% 4e 不合格品率计算 PDA=20% 100% 稳定性烘焙 1008 150 96h 温度循环 1010 条件 B 机械冲击 或恒定加速度 2002 2001 条件 E，Y1 方向 条件 D，Y1 方向 中间电参数测试 按照适用的详细规范 55C、25C、 125C 老炼 1015 125 240h 125 96h 老炼后测试 按照适用的详细规范 55C、25C、 125 稳态寿命 1005 125C 1000h 5 最终电参数测试 按照适用的详细规范 55、25、 125 10（0） 6 f 引线键合强度评价 2011 15（0） 7g 扫描电子显微镜检查 （SEM） 2018 见方法 2018 a 检查芯片版图结构是否符合预定要求。按每晶片批抽样，样品尽量分布在每个晶片。 b 检查芯片尺寸是否符合要求。按每晶片批抽样，样品尽量分布在每个晶片。 c 每个芯片均应按照适用的详细规范进行测试。 d 每个芯片均应进行目检。 e 第 2、3 分组记入 PDA。 f 对每个晶片批，至少抽取 5 只器件上的 15 根引线。 g 要求每个晶片随机抽取 1 只。 3.8 批失效处理 批失效可发生在生产控制、 筛选试验、 鉴定或认定检验、 质量一致性检验以及使用方的验收过程中。 若这种失效发生于鉴定、鉴定维持或已列入 QPL 中器件的采购，承制方应将有关失效数量、失效 模式和可能的失效原因在 5 个工作日内以书面方式通知鉴定机构（如鉴定机构有要求时）和使用方。对 失效批次涉及的器件不得进行后续试验。 若这种失效发生于非 QPL 器件的采购，承制方应将有关失效数量、失效模式和可能的失效原因在 5 个工作日内以书面方式通知使用方。若使用方无明确意见，对失效批次涉及的器件不得进行后续试验。 3.9 生产控制 3.9.1 总则 生产过程的最低要求规定于 PID 中。 除非详细规范另有规定，提交鉴定或认定、鉴定维持或认定维持、质量一致性检验和交付的所有器 件均按照相应质量保证等级的规定，按照图 1 的要求，进行生产控制。 若发生了批失效，承制方应按 3.8 进行处理。 在组装过程中不应对内引线进行再键合。 QJ 100062008 6 a 抽样进行。 b 承制方应担保，不需试验。 c 若详细规范有规定或采购文件有要求。 d YA级、YB 级器件要求。 e 使用方监制合格，可进行筛选试验。 图 1 生产控制 3.9.2 特殊的过程控制 3.9.2.1 封装前检验 封装前检验应进行内部目检、键合强度和芯片剪切强度试验。 键合强度和芯片剪切强度试验只要有 1 个样品不通过， 则该批应视为失效。 这些试验被视为破坏性 的，因此经过试验的样品不得进入交付批。试验样品应从通过内部目检的器件中随机抽取，键合强度和 芯片剪切强度试验可使用同一组样品。抽样要求如下： a) 若内部键合引线数为 8 或更少，试验样品数为 3，试验对所有键合进行； b) 若内部键合引线数为 9 到 24，试验样品数为 2，试验对所有键合进行； 器件生产控制 晶片质量控制 3.9.3.1 3.9.3.2 3.9.3.3 过程监督评审 d SEMa d 总剂量辐射试验 a c 特殊的过程控制 3.9.2.1 3.9.2.1 3.9.2.1 3.9.2.2 3.9.2.3 键合强度(封装前检验) a 芯片剪切强度(封装前检验) a 封装 尺寸检查 a 重量 b 筛选试验 e 器件生产控制 晶片质量控制 3.9.3.1 3.9.3.2 3.9.3.3 过程监督评审 d SEMa d 总剂量辐射试验 a c 特殊的过程控制 3.9.2.1 3.9.2.1 3.9.2.1 3.9.2.2 3.9.2.3 键合强度(封装前检验) a 芯片剪切强度(封装前检验) a 封装 尺寸检查 a 重量 b 筛选试验 e 内部目检(封装前检验) QJ 100062008 7 c) 若内部键合引线数为 25 或更多，试验样品数为 2，试验对 50%键合进行。 3.9.2.2 尺寸检查 仅对 3 个样品，按照详细规范的要求实施。 只要有 1 个样品不通过，就应对整批进行尺寸检查。 3.9.2.3 重量 应确保详细规范规定的器件最大重量。 3.9.2.4 文件 特殊的过程控制文件应按附录 A 中 A.2.5 编制。 3.9.3 晶片质量控制 3.9.3.1 过程监督评审 过程监督评审要求适用于 YA 级器件。 过程监督评审应按 PID 中描述的承制方统计过程控制（SPC）规则实施。 若一个或多个过程控制参数超出了 PID 规定的允许分布，相关晶片批应被拒收。 3.9.3.2 扫描电子显微镜检验 扫描电子显微镜检验要求适用于 YA 级和 YB 级器件。 按本规范供货器件的芯片所属晶片批应已按 GJB 548 方法 5007 进行检验，并通过了扫描电子显微 镜检验。 3.9.3.3 总剂量辐射试验 按照详细规范的规定或采购文件的要求，并按照本规范 E 组检验的规定进行总剂量辐射试验，总 剂量量级按详细规范或采购文件的规定。 3.9.3.4 文件 晶片质量控制的文件应按附录 A 中 A.2.6 编制。 3.10 承制方外协控制 器件生产、质量保证过程应由器件承制方完成。如果某些项目需要外协，器件承制方应建立合格外 协单位管理制度，对外协单位的资质进行审查，形成合格外协单位名录。 YA 级器件承制方的外协单位发生变化时，应征得使用方的同意。YB 级和 YC 级器件承制方的外 协单位发生变化时，应通知使用方。 3.11 信息交换与失效报警要求 批失效报告按照 3.8 的规定处理。 对于使用方使用过程中反馈的失效问题， 承制方应在 5 个工作日内， 将失效问题以及处理结果通报 使用方。 使用方补充筛选过程中，如发现器件失效属于固有问题，承制方有责任对失效原因进行分析。在失 效模式、失效原因明确后，承制方 2 个工作日内将失效分析结论通知所有使用方。承制方应针对失效模 式和失效原因确定改进措施，并在改进措施确定后的 5 个工作日内，以书面方式通知所有使用方。 3.12 外购材料控制要求 3.12.1 总则 承制方应对外购材料生产厂的生产和鉴定资格进行确认。 外购材料至少包括外壳、 晶片、 粘接材料、 键合丝、盖板等。 QJ 100062008 8 应制定外购材料入厂检验文件，文件中应说明检验的方式，抽样与检验的程序，接收、拒收的判据 以及试验实施的周期。 3.12.2 管壳要求 YA 级、 YB 级器件要求采用按照 GJB 1420A1999 要求认证合格的管壳， 并按规定进行入厂检验。 对 YC 级器件若暂无按照 GJB 1420A1999 要求认证合格的管壳，则应按 GJB 1420A1999 规定的检 验要求进行入厂检验。 3.12.3 材料状态 对非 QPL 器件，材料状态变化时，承制方在 5 个工作日内，将状态变化的相关信息书面通知鉴定 机构（如鉴定机构有要求）和使用方； 对 QPL 器件，材料状态变化时，承制方在 5 个工作日内，将状态变化的相关信息书面通知使用方。 3.13 可追溯性要求 3.13.1 外购关键材料 外购关键材料应能追溯到其生产批、 检验批或其他规定的编组。 外购关键材料入厂检验报告应在承 制方至少保存 20a。 3.13.2 生产过程 对交货的每个器件都应可追溯到封装批和晶片批。 批流程卡应在承制方至少保存 20a。 3.13.3 质量一致性检验样品和试验报告 质量一致性检验样品和试验报告（含测试数据）应在承制方至少保存 20a。 3.13.4 筛选试验报告 筛选试验报告（含测试数据）应在承制方至少保存 20a。 3.13.5 验收报告 交收报告、验收试验数据以及 DPA 报告在承制方至少保存 20a。 3.14 可交付的器件要求 3.14.1 总则 按本规范交付的器件，应按相关的 PID 进行制造和检验。按本规范交付的器件应已顺利完成所有 要求的试验。 3.14.2 材料和涂覆 对材料和涂覆的要求应符合本规范以及适用的详细规范的要求。 3.14.3 器件总剂量辐射试验 对于 QPL 及 QPL 维持，若详细规范有要求，应按详细规范的规定进行电离总剂量辐射试验； 若采购文件要求，应按详细规范规定的量级或采购文件规定的可选量级进行电离总剂量辐射试验。 被采购器件的鉴定状态不受所施加总剂量量级变化的影响。 未通过所要求量级总剂量辐射试验的器件，若试验结果满足较低量级要求，可按该辐射量级接收。 在此情况下，该批标识中的总剂量辐射量级字母应作相应改变。 3.15 标志 3.15.1 总则 器件上的标志应满足 GJB 597A1996 中 3.6 和本规范的如下规定： QJ 100062008 9 a) 器件识别号； b) 定位点； c) 批识别代码或日期代码； d) 承制方名称或商标； e) 序号； f) 特殊标志； g) 静电放电敏感度（ESDS）识别。 3.15.2 标志的顺序及次序 除非另有规定， 器件识别号、 批识别代码和 ESDS 识别标志应标在扁平封装或双列封装的顶面或圆 柱形封装的顶面或侧面。当封装尺寸有限，不足以标志所有内容时，可将部分标志标在封装的底面，但 ESDS 识别标志必须标在顶面。对 16 条引线或少于 16 条引线的扣盖式扁平式封装，可将该识别标识标 志在陶瓷上，禁止用导电性或电阻性的墨汁在封装体背面标志。 如果器件封装尺寸不允许标志所有内容时， 允许对标志内容进行简化， 原则是简化后的标志必须能 够清楚地表示出器件的型号、批次和质量保证等级，并和器件有唯一的对应关系，简化后的标志在详细 规范中规定。 3.15.3 器件识别号 3.15.3.1 总则 对 QPL 器件，器件识别号应按照 GJB 597A1996 的规定， 并增加宇航用标志“YA”、 “YB”或“YC”， 如果采用了外购芯片，还应增加外购芯片标识，器件识别号如下： YX J C4049 B H 或 F C Q 宇航用标志 军用标志 器件型号 器件鉴定 RHA标志 封装形式 引线镀涂 外购芯片 见 3.15.3.2 见GJB597A 1996 见GJB597A 1996 保 证 等 级 见3.15.3.3 见GJB597A 1996 见GJB597A 1996 空 ： 自 产 3.6.2.1 3.6.2.2 见 GJB597A1996 3.6.2.5 3.6.2.6 3.6.2.3 对非 QPL 器件，器件识别号参照 GJB 597A1996 的规定，并增加宇航用标志 “YC”，如果采用了 外购芯片，还应增加外购芯片标识。器件识别号如下： YC C4049 H 或 F C Q 宇航用标志 器件型号 RHA标志 封装形式 引线镀涂 外购芯片 见 3.15.3.2 见GJB597A 1996 见3.15.3.3 见GJB597A 1996 见GJB597A 1996 空 ： 自 产 3.6.2.2 3.6.2.5 3.6.2.6 3.15.3.2 宇航用标志 根据器件的质量保证等级，在器件封装上打印宇航用标志。规定如下： a) 质量保证等级为 YA 级的器件，宇航用标志为 YA； QJ 100062008 10 b) 质量保证等级为 YB 级的器件，宇航用标志为 YB； c) 质量保证等级为 YC 级的器件，宇航用标志为 YC。 质量保证过程中任何试验项目失效时，或与本规范或器件详细规范不一致时，应去除器件的宇航 用标志。 3.15.3.3 辐射强度保证等级 辐射强度保证等级的规定如下： 辐射加固保证等级 抗电离总剂量辐射能力(Gy(Si) 未进行辐射强度保证 M 30 D 102 P 3102 L 5102 R 103 F 3103 G 5103 H 104 3.15.4 定位点 表明引线编号或机械取向的起始位置的标志点。等边三角形（）可作为静电敏感器件的标志，也 可以同时作为第一引出端的识别标志。 3.15.5 批识别代码 器件应标出能够识别最后密封周的识别代码。识别代码中，最前两位数字为年份的最后两位数，第 三和第四位数字表示该年的周数；当周数是一位数字时，第三位数字为零。如果质量一致性检验是在一 个检验批的基础上， 由两个或更多不同的检验子批完成的， 则具有相同器件识别号的每个器件应标有相 同的识别代码，但应在其识别代码后增加识别字母。 3.15.6 承制方名称或商标 器件上应标出承制方名称或商标。 3.15.7 序号 每个器件上应标上唯一的连续给定的序号。 3.15.8 特殊标志 如器件的封装含有氧化铍，则该器件应标上“BeO”标志。 3.15.9 静电放电敏感度（ESDS）识别 ESDS 识别标志按照 GJB 597A1996 中 3.6.7.2 的规定。 3.16 使用方监制和验收 3.16.1 总则 使用方有权对与产品技术、质量有关的任何试验和检验进行检查，但产品的质量由承制方负责。 使用方进行监制和验收工作时，承制方应提供相应器件的 PID。 使用方派质量代表到器件承制方， 根据采购文件规定的品种及技术条件， 对制造中的器件进行质量 检验、控制和对提交的完成生产的合格品进行验收，并了解承制方的质量管理情况。在监制或验收过程 QJ 100062008 11 中出现严重质量问题或不合格器件比例较大时， 应停止监制或验收工作， 并责成承制方重新检验或拒收 有质量问题的批次。监制和验收的管理应符合 QJ 3065.31998 的规定。 3.16.2 使用方监制 监制可采用以下两种方式： a) 监制人员对器件承制方的重点工序进行逐批监控； b) 监制人员驻厂，从投料开始对器件生产全过程进行监督。 监制工作至少包括封帽前内部目检，监制工作按照 4.5 的规定进行。 3.16.3 使用方验收 除非另有规定，器件在筛选、质量一致性检验后由使用方进行验收，验收的项目和要求按照 4.9 的 规定。 4 质量保证规定 4.1 总则 对器件的质量保证应按 GJB 597A1996 第 4 章以及本规范的要求实施。 4.2 检验分类 本规范规定的检验分类如下： a) 使用方监制； b) 承制方筛选； c) 鉴定或认定检验； d) 质量一致性检验； e) 使用方验收； f) 使用方补充筛选。 4.3 破坏性试验和非破坏性试验 除非另有规定， 按照 GJB 597A1996 中 4.3.2.2 和 4.3.2.3 的规定区分破坏性试验和非破坏性试验。 除非另有规定， 承受了破坏性试验的器件不能作为合格品交付使用。 承受了非破坏性试验的电路通 过验收可作为合格品交付使用。 4.4 试验和检验的环境条件 试验和检验的环境条件要求如下： a) 电测量环境温度要求：25 +3 - 5； b) 其它试验环境温度要求： （2510）； c) 环境气压：86kPa106kPa。 4.5 使用方监制 4.5.1 监制内容 监制内容至少包括下列方面： a) 了解承制方当时的生产工艺状态和重点工序的质量控制状态； b) 核对器件的生产过程、结构与 PID 规定的一致性； c) 对承制方内部目检合格的器件，由使用方进行封帽前镜检。YA 级器件、YB 级器件按照 GJB 548 方法 2010A 条件 A 的要求进行，YC 级器件按照 GJB 548 方法 2010A 条件 B 的要 求进行； QJ 100062008 12 d) 监制人员在工作过程中， 负责向承制方解释所执行的标准， 并向承制方质量管理部门和检验人 员及时反馈监制工作中发现的质量问题； e) 必要时，监制人员应在产品工艺流程卡上签字，以便验收时，对产品的监制情况进行确认。 4.5.2 监制问题的处理 在监制过程中出现严重质量问题或不合格器件比例较大时， 应停止监制检验工作， 并责成承制方重 新检验或拒收有质量问题的批次。 4.6 承制方筛选 4.6.1 总则 除非详细规范另有规定，在鉴定或认定检验、质量一致性检验之前对全部器件进行筛选。 在试验和检验前所有器件均应编序列号。除非详细规范另有规定，试验的顺序应按表 2 的规定。不 满足规定要求的所有器件均应剔除，且不得再次提交筛选。 本规范规定的筛选试验要求为总要求，包括承制方筛选和使用方补充筛选。有些筛选试验项目，可 在质量保证的不同阶段实施一次