电子元器件检测（三极管器件）

第五章晶体管识别和检测，晶体管(称为晶体管)具有3种操作状态(放大、饱和、闭合)，因此晶体管()是放大电路的关键组件，具有电流放大能力，是理想的非接触开关组件。5.1晶体管分类，晶体管种类更多。晶体管制造材料、硅胶管和锗管；根据NPN和PNP的内部结构；根据晶体管工作频率，有低频管和高频管。有晶体管除以允许耗散的功率的小功率管、中央功率管、大功率管。5.1.1一些常见的晶体管形状和特性，1 .低功率晶体管，通常是收集器最大允许耗散功率小于PCM 1W的晶体管。2 .中功率晶体管、中功率晶体管主要用于驱动和激励电路，为高功率放大器提供驱动信号。通常，集电极最大允许耗散功率PCM将1 10w的晶体管称为中等功率晶体管。3 .高功率晶体管，集电极最大允许耗散功率PCM大于10W的晶体管称为高功率晶体管。5.1.2补丁晶体管的形状和特性，使用表面安装技术SMT(SurfaceMountedTechnology)的晶体管称为补丁晶体管。补丁晶体管有3个针脚，4个针脚。具有四个针脚的晶体管中较大的针脚是集电极，两个连接的针脚已经是发射极，其馀的是基极。5.1.3几种特殊晶体管形状和特性，1 .结合了阻尼晶体管、阻尼二极管、保护电阻包的特殊晶体管(经常用于彩色电视和计算机显示器的线路扫描电路)。2 .差分对管、差分对管是封装两个具有相同性能参数的晶体管的电子设备，通常用作音频放大器或仪表输入电路中的差分放大器。3 .达灵顿管，达灵顿管是复合管的连接形式。连接两个或多个晶体管集电极的同时，将第一个晶体管传输极直接连接到第二个晶体管基极。4 .电阻晶体管(包括电阻晶体管)在基座和发射极之间有一个或两个电阻器，并且与晶体管封装在一起的晶体管。波段电阻晶体管通常用于数字电路，因此波段电阻晶体管也称为数字晶体管或数字晶体管。5.2晶体管标识、字母“q”、“v”或“VT”以及电路中用数字表示的晶体管。5.2.1国内晶体管模型命名方法，国内晶体管模型命名由5部分组成，如下所示：例如：1)晶体管3AD50C:锗材料PNP类型低频大功率晶体管；2)晶体管3DG201B:硅材料NPN型高频低功耗晶体管图(b)中所示。5.2.2外国晶体管命名方法，1 .日本半导体器件模型命名方法是以下特征：(1)模型的第一部分是指示设备的类型和有效电极数的数字。例如，二极管表示为“1”，晶体管表示为“2”。屏蔽接地电极不是有效电极。(2)第二部分是字母s，表示日本电子行业协会注册产品，不表示材料或极性。(3)第三部分表示极性和类型。例如，将PNP型高频管显示为a，将p型凹槽场效果晶体管(j)显示为j。但是，第三部分不表示材料或功率的大小。(4)第四部分仅表示在日本行业协会(EIAJ)中注册的顺序号，不反映该设备的性能，顺序号旁边的两个设备的性能之一可能会有很大差异。例如，2SC2680类型的最大额定耗散功率为200mW，2SC2681的最大额定耗散功率为100W。但是，注册顺序编号可以反映产品时间的顺序。注册序号的数字越大，成为最近的产品。(5)第六、七部分的符号和意义在不同的公司完全不同。(6)日本部分半导体个别装置外壳上显示的模型经常采用省略2S的简化标记方式。例如，2SD764简化为D764，2SC502A简化为C502A。，2 .美国晶体管模型命名方法的特点：(1)模型命名方法提前规定，没有改进，模型内容非常不完整。例如，材料、极性、主要特征和类型不会反映在模型中。例如，2N可以从普通晶体管或fet开始。因此，一些企业还在根据自己制定的模型命名法命名。(2)配置模型的第一部分是前缀，第五部分是后缀，中间三部分是模型的基本部分。(3)除前缀外，型号以1N、2N或3N ，(4)第四个数字仅表示注册序列号，不包含其他含义。因此，序号相邻的两个装置可能具有显着的性质差异。例如，2N3464是硅NPN，高频大功率管，2N3465是n通道fet。(5)不同制造商生产的性能基本上使用相同的设备。同一模型中某些参数的差异通常用后缀字符表示。因此，具有相同型号的设备可以通用。(6)注册序列号多的通常是最近的产品。5.2.3晶体管封装形式和针脚识别，晶体管封装形式表示晶体管外形，即用于安装半导体晶体管的外壳。材料的晶体管封装形式主要是金属、陶瓷、塑料形式；结构上，晶体管封装为TOXXX，XXX表示晶体管形状。装配方法包括插入通孔(通孔)、安装表面(补片)和直接安装。接脚造型包括长引线直线、短引线或无引线放置。常用的晶体管封装类型包括TO-92、TO-126、TO-3和TO-220TO。晶体管针脚排列有一定的规律。对于国内低功耗金属封装晶体管，将底部视图位置放置在构成等腰三角形的顶点处，从左到右依次为e、b、c。如图(a)所示，具有管键的管从管键顺时针排列为e、b、c。在国内中小型功率塑料晶体管(p)中，如果半圆朝内，3针朝上放置，则从左到右放置ebc，针脚识别度继图(b)之后，目前使用范围更广的晶体管9011 9018系列是高频低功率管，9012和9015具有除PNP型管以外的其他NPN型管。通常为9011到9018，1815系列晶体管针脚排列。平面面向磁，接脚朝下，从左到右，e，c，b，也就是1已经是推进剂e，2是收集器c，3是基座b。补丁晶体管有三个电极和四个电极。通常由三个电极组成的面片三极管从上往下看，上面只有一发收集器，下面的两发分别是低音和颂极。四个电极的面片晶体管中较大的针是晶体管的集电极，其他两个针已经是发射极，剩下的针是基极。5.2.4晶体管主要规格，1 .电流放大系数，电流放大系数是表示晶体管放大能力的电流放大倍数。根据晶体管运行状态，电流放大系数分为直流放大系数和交流放大系数。直流放大系数是静态没有输入波动信号时晶体管收集器电流IC和基准电流IB的比率，也称为直流放大或静态放大系数，通常表示为hFE或。交流电流放大系数，也称为动态电流放大系数或交流放大系数，表示交流电状态下晶体管集电极电流变化量与基准电流变化量的比率，通常用表示。是反映晶体管放大能力的重要指标。2 .耗散功率PCM，也称为集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数的变化不超过规定的允许值时的最大集电极耗散功率。3 .频率特性、晶体管电流放大系数与工作频率相关，超过晶体管工作频率范围会降低放大能力，甚至失去放大效果。4 .集电极最大电流ICM，集电极最大电流表示晶体管集电极可以通过的最大电流。如果集电极电流IC上升，则晶体管下降，下降到正常值的三分之二，则集电极电流变为ICM。5 .最大反向电压，最大反向电压是晶体管在工作时允许的最大工作电压。最大反向电压包括收集器-发射极反向击穿电压UCEO、收集器-基地反向击穿电压UCBO和发射极-基地反向击穿电压UEBO。6 .反向电流，晶体管反向电流包含收集器-基座之间的反向电流ICBO和收集器-发射极之间的反向电流ICEO。5.3晶体管检测，5.3.1指针万用表检测晶体管，1 .指针万用表测试一般晶体管，指针万用表一般晶体管三个电极，极性和R1k块，在判断是否好的时候，往往分两个阶段进行测量判断。(1)三个反转，寻找低音；测量时(例如PN接头、固定极、晶体管内部等效图)，您可以始终思考此图并掌握它。基点，查找极轴测量图，(2)发射极，确定收集器-箭头，大偏转；不可测量，移动，找到基座后PNP型或NPN型判定，寻找发射极和集电极。2 .电阻晶体管检测，电阻晶体管检测基本上与普通晶体管检测相似，但由于内部有电阻，检测的电阻大小略有不同。在下图中，以NPN型晶体管为例，选择了接脚万用表，并将范围放置在R1K文件中，如果电阻管正常，b和e极之间的正向和反向电阻较小(测量与内部电阻相关)，但是b和e极之间的正向电阻(黑色笔b，红色笔e)稍小，因为在测量正向电阻时发射绑定起作用。b、c极之间的正向(黑色笔为b，红色笔为c)电阻较小，反向电阻接近无穷大。e，c极之间的正向和反向阻力(黑色笔连接c，红色笔连接e)接近无穷大。如果测试结果与上述不同，可以通过电阻晶体管损坏来判断。3 .阻尼晶体管检测，阻尼晶体管检测基本上类似于普通晶体管测试，但检测到的电阻大小稍有不同，因为内部连接了阻尼二极管。在上图中，以NPN型晶体管为例，选择指针万用表作为R1K文件中的范围，阻尼晶体管(b，e极之间的正向阻力和反向阻力)较小，而正向阻力(黑色笔b，红色笔e)略小。b，c极之间的正向阻力(黑色笔为b，红色笔为c)较小，反向阻力接近无穷大。e，c极之间的正向阻力(黑色笔连接c，红色笔连接e)接近无穷大，反向阻力小(因为阻尼二极管传导)。如果测试结果与上述不同，则可以判断为存在阻尼晶体管损坏。4 .达林顿(复合管)晶体管测试，例如NPN型达林顿晶体管、指针多用表选择，范围放置在R10K文件中，达林顿晶体管正常，e、c极之间的正向和反向电阻接近无穷大。如果测试结果与上述不同，则可以判断为达林顿晶体管损坏。5.3.2数字万用表检测晶体管，数字万用表可以检查晶体管针脚极性，测量管的总发射极电流放大系数hFE，以及硅管和锗管。数字万用表电气切断由于测试电流小，不适合晶体管测试，应使用二极管块或hFE齿轮进行测试。b，e极之间的正向阻力(黑色笔为b，红色笔为e)较小，但反向阻力无限。b，c极之间的正向阻力(黑色笔为b，红色笔为c)较小，反向阻力接近无穷大。将二极管放在二极管针脚上，红色笔固定针脚，黑色笔依次接触其他两个针脚，如果显示值小于1V或显示溢出符号“OL”或“1”，则红色笔指向底座b。如果两个测试显示溢出符号“OL”或“1”(取决于数字多页)，则红色笔的针脚不是base b，因此必须替换另一个针脚重新测量，直到找到base b为止。，如果基准确定后，底座用红色笔连接，黑色笔依次接触其他两个针脚，并且显示值显示为0.6000.800V，则测量的晶体管类型属于硅NPN型，低功率管。其中，黑笔有爪的发射杆较大。如果显示器显示0.400到0.600V的所有值，则测量的晶体管属于硅NPN型高功率管。其中，价格较大的是继黑笔之后的一个大头针，已经是推进杆了。红色笔作为基准，黑色笔接触其他两个插针，如果两次都显示溢出符号 OL 或 1 ，则更换笔测量。也就是说，黑色笔底座、红色笔接触其他两个针脚，并且显示数值大于0.400V，则正在测量的三极管是硅PNP类型，此时用红色笔连接的针脚已经是推进剂。在数字万用表测量过程中，如果显示器的显示值小于0.400V，则测量的晶体管属于锗管。5.3.3晶体管几个参数检测，1 .锗晶体管和硅晶体管、指针万用表的电阻文件不能