第二章-MOS晶体管.ppt_第1页
第二章-MOS晶体管.ppt_第2页
第二章-MOS晶体管.ppt_第3页
第二章-MOS晶体管.ppt_第4页
第二章-MOS晶体管.ppt_第5页
已阅读5页，还剩12页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

第二章MOS晶体管,一、MOSFET的结构MOS晶体管是一种场效应管（英文全称为Metal-Oxide-SiliconFieldEffectTransistor），它是电压控制电流器件，既可以用于模拟电路，也可以用于数字电路。在模拟电路中，由于MOS晶体管具有很高的输入阻抗，从而可提高它作为电压放大器的性能。而在数字电路中，MOS晶体管广泛用作基本存储器件或逻辑器件。可以说MOS晶体管是MOS管集成电路的主要器件。,2.1MOS晶体管结构和工作原理,一、MOSFET的结构MOSFET是Metal-Oxide-SiliconFieldEffectTransistor的英文缩写，平面型器件结构，按照导电沟道的不同可以分为NMOS和PMOS器件。MOS器件基于表面感应的原理，是利用垂直的栅压vGS实现对水平iDS的控制。它是多子（多数载流子）器件。用跨导描述其放大能力。,2.1MOS晶体管结构,根据导电沟道的不同，MOS晶体管可分为P沟道MOS晶体管（简称为PMOS管）和N沟道MOS晶体管（简称为NMOS管），而根据在没有外加电压条件下导电沟道形成与否又可分为耗尽型MOS管和增强型MOS管。图2.1.1所示的是一只增强型NMOS管，它是在适度掺杂的P型衬底上制作两个掺杂浓度较高的N型区，分别作为漏区和源区，在漏区和源区之间的区域上面制作一层绝缘层（一般是二氧化硅物质），绝缘层上面沉积一层多晶硅作为栅区。我们把源区和漏区两个掺杂区之间的距离称为沟道长度L，而垂直于沟道长度的有效源漏区尺寸称为沟道宽度W。,图2.1.1NMOS晶体管,图2.1.2NMOS管截面图,图2.1.3实际的NMOS管衬底引线,（a）增强型（b）耗尽型图2.1.4MOS管在电路中的符号,耗尽型MOS管与增强型MOS管不同之处在于，耗尽型MOS管在vGS=0时，导电沟道已经存在，它是通过加工过程中的离子注入方式形成的。,图2.1.5PMOS晶体管,2.2MOS晶体管工作原理,图2.2.1导电沟道没有形成,当MOS管栅极上没有外加电压时，MOS管的漏区和源区被两个二极管隔开，如图2.2.1所示，源区和漏区之间没有导电沟道形成，呈现出高阻状态。这时候，如果在漏极和源极间外加电压vDS，漏区到源区之间始终不会有电流流过。,图2.2.2栅-源电压vGS控制导电沟道宽窄,（a）,（b）,（c）,图2.2.3NMOS管的工作状态示意图,2.3MOS晶体管的电流电压关系,1、非饱和区（线性电阻区）,（2.3.8）,（2.3.9）,2、饱和区（线性放大区）,3
人人文库> 全部分类> 应用文书 > 研究报告

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论