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文档简介
集成电路简介,1,1,集成电路定义2,集成电路特征3,集成电路发展4,集成电路分类5,集成电路封装技术,2,1,集成电路定义,集成电路(IntegratedCircuit,简称IC )是1960年代初期发展起来的新半导体器件。 将构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容器等元件和它们之间的连接引线全部集成到小的硅晶片中,并焊接封装在封装内的电子器件。 3、2、集成电路特点,集成电路体积小,重量轻,引线和焊点少,寿命长,可靠性高,性能好等优点,同时成本低,容易大规模生产。 不仅在工、民用电子设备如收录机、电视、计算机等方面得到广泛应用,在军事、通信、遥控器等方面也得到广泛应用。 用集成电路组装电子设备时,其组装密度比晶体管从数十倍提高到数千倍,设备的稳定工作时间也大幅度提高。 4、3、集成电路的发展,1952年5月,英国科学家首次提出了集成电路的构想。 1958年,德克萨斯仪器公司的科学家基尔比的研究小组在世界上首次开发了集成电路。 第一集成电路: TI公司Kilby12个器件,Ge芯片,2000年Nobel物理奖,5,3,集成电路的发展,1959年美国仙童/飞兆公司(Fairchild s ) r.noicynoinoyi开发了IC的Si平面技术,推动了IC制造业的发展。 1959年仙童公司制造的集成电路、噪音、6、3、集成电路发展起来,第一阶段: 1962年制造出集成了12个晶体管的小规模集成电路(SSI )芯片。 第二阶段: 1966年制造集成度为1001000个晶体管的中规模集成电路(MSI )芯片。 第三阶段: 19671973年,制造了集成度为1000100000晶体管的大规模集成电路(LSI )芯片。 第四阶段: 1977年,开发了在30mm2硅晶片上集成了15万个晶体管的超大规模集成电路(VLSI )芯片。 第五阶段: 1993年制造出集成1000万个晶体管的16MBFLASH和256MBDRAM超大规模集成电路(ULSI )芯片。 第六阶段: 1994年制造出集成了1亿个晶体管的1GBDRAM巨大集成电路(GSI )芯片。7、3、集成电路的发展、摩尔规律:集成电路的集成度每18个月加倍,特征尺寸每3年缩小1/2。 戈登摩尔医生,8,4,集成电路分类,1,按功能构成:模拟集成电路,数字集成电路和数字/模拟混合集成电路2,按制作工艺:半导体集成电路和膜集成电路。 膜集成电路分为厚膜集成电路和薄膜集成电路。 3、按导电型分类:双极型集成电路和单极型集成电路,它们是数字集成电路。 9、4、集成电路分类4、按集成度高低分类: SSIC小规模集成电路(smallscaleintegratecircuits ) msic中规模集成电路(mediumscaleintegratecircuits ) lsic大规模集成电路(largescaleintegration ) VLSIC超大规模集成电路(verylatescaleintegratecircuits )、10、5、集成电路封装技术、封装技术是封装集成电路的技术。微电子器件的两个基本组成部分之一:微电子器件:芯片(芯片)封装(壳体)、11、5、集成电路封装技术、 封装作用:电气功能:芯片电信号的机械化学保护功能:芯片和引线的保护散热功能:散发芯片内产生的热量的防湿性防辐射电磁干扰,12、5、 集成电路封装技术1.BGA球栅阵列封装2.CSP芯片尺寸封装3 .芯片安装到cob板4 .芯片安装到COC陶瓷板5.MCM多芯片模型安装6.LCC无引线芯片载体7.CFP陶瓷扁平封装8 封装9.SOJ塑料j线封装10.SOP小型外形封装11.TQFP平板方形封装12.TSOP微块方形封装13.CBGA陶瓷栅格阵列封装14.CPGA陶瓷栅格阵列封装多边形封装16.CERDIP陶瓷熔接双列17.PBGA塑料球阵列封装18.SSOP窄间距小型形式封装19.WLCSP晶片级芯片尺寸封装20.FCOB基板倒装芯片13、5、集成电路封装技术芯片尺寸封装4,发展趋势,14,5.1在线,To封装:DIP封装,15,5.1在线,DIP封装特征: (1)适用于PCB穿孔安装,操作方便; (2)与to型封装相比,PCB的接线更容易(3)芯片面积与封装面积之比较大,因此体积也大的(4)外部引脚在芯片的插拔过程中容易损坏,在可靠性高的情况下不太适合的(5)DIP封装还有一个致命的缺点。 那就是只适用于读数不足100的中小型集成电路。 16、5.1在线测量芯片封装技术进步的重要指标是芯片面积与封装面积之比r,该比越接近l越好。 以采用40根I/O引脚塑料的PDIP的CPU为例,芯片面积/封装面积R=(33)/(15.2450)=1:86,与l相当远。 这表明封装尺寸远大于芯片,封装效率低,占有很多有效安装面积。 17、5.2表面安装式、QFP封装、TSOP封装、18、5.2表面安装式、QFP的特征是: (1)用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,操作容易;(2)封装外形尺寸小,寄生参数小,适用于高频应用;(3)可靠性高。 (4)针脚从在线变为正确状态,针脚间距变得更紧密,针脚变得更细。 (5)QFP的螺距现在从1.27mm向0.3mm发展,是他的极限距离,限制了组装密度的提高。 另外,以19、5.2表面安装式、0.5mm焊盘中心距离、208根I/O引脚QFP封装的CPU为例,在外形尺寸为28mm28mm、芯片尺寸为lOmm10mm的情况下,芯片面积/封装面积R=(1010)/(2828)=l:7.8,QFP封装20,5.3芯片尺寸封装,双列封装(DIP )裸芯片面积与封装面积之比1:80,表面安装技术SMT的QFP为1:7,CSP为133601.2,21,IC芯片,读取铝膜,外引线,封装树脂,塑料基板,塑料封装DIP工艺,导电性粘接剂,5.3芯片尺寸封装、22、焊锡微球凸点、5.3芯片尺寸封装、23、CSP封装具有以下特征: (1)lsi芯片的引脚满足增加的需求(2) 丁IC裸芯片解决交流参数测试和老化筛选不可能的问题(3)缩小安装面
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