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文档简介

.,1,第三节CMOS门电路,CMOS反相器的工作原理,CMOS反相器的静态输入、输出特性,CMOS反相器的动态特性,其他类型的CMOS门电路,MOS管的开关特性,CMOS电路的正确使用,下页,总目录,推出,.,2,下页,返回,上页,一、MOS管的开关特性,1.MOS管的结构和工作原理,当vDS0,但vGS=0时,D-S间不导通,iD=0。当vDS0,且vGSvGS(th)(MOS管的开启电压)时,栅极下面的衬底表面形成一个N型反型层。这个反型层构成了D-S间的导电沟道,有iD流通。,.,3,下页,返回,上页,2.MOS管的输入特性和输出特性,共源接法下的输出特性曲线又称为MOS管的漏极特性曲线。,表示iD与vGS关系的曲线称为MOS管的转移特性曲线。,.,4,下页,返回,上页,恒流区,截止区,漏极特性曲线分为三个工作区。,.,5,下页,返回,上页,3.MOS管的基本开关电路,若参数选择合理输入低电平时MOS管截止,输出高电平。输入高电平时MOS管导通,输出低电平。,当vI=vGSvGS(th)并继续升高,VOL0,D-S间相当于一个闭合的开关。,.,6,返回,4.MOS管的开关等效电路,CI代表栅极的输入电容,CI的数值约为几皮法。RON为MOS管导通状态下的内阻,约在1k以内。,下页,上页,.,7,返回,二、CMOS反相器的电路结构和工作原理,当vI=VIL=0时,T1导通,T2截止,输出为高电平VOHVDD。,当vI=VIH=VDD时,T2导通,T1截止,输出为低电平VOL0。,输入与输出之间为逻辑非的关系。,CMOS反相器的静态功耗极小,1.电路结构,下页,上页,.,8,T2的开启电压,T1的开启电压,阈值电压VTH,AB段:T1导通,T2截止,VO=VOHVDD。,CD段:T2导通,T1截止,VO=VOL0。,BC段:T1、T2同时导通,为转折区。,2.电压传输特性,下页,返回,上页,.,9,下页,返回,上页,3.电流传输特性,AB段:T2截止漏极电流几乎为0,CD段:T1截止漏极电流几乎为0,BC段:阈值电压附近电流很大,CMOS电路不应长时间工作在BC段。,.,10,VDD=15V,适当提高VDD,可提高CMOS反相器的输入噪声容限。,4.输入噪声容限,下页,返回,上页,.,11,下页,返回,上页,三、CMOS反相器的静态输入、输出特性,1.输入特性,因为MOS管的栅极和衬底之间存在输入电容,绝缘介质又非常薄,极易被击穿,所以必须采取保护措施。,.,12,下页,返回,上页,输入特性曲线,.,13,下页,返回,上页,2.输出特性,低电平输出特性当输出为低电平时,工作状态如下图所示。,.,14,下页,返回,上页,高电平输出特性当输出为高电平时,工作状态如下图所示。,.,15,下页,返回,上页,四、其他类型的CMOS门电路,在CMOS门电路的系列产品中,除反相器外常用的还有:与非门、或非门、与门、或门、与或非门、异或门等几种。,1.其他逻辑功能的CMOS门电路,.,16,当A,B两个输入端全为“1”时,T1和T2都导通,T3和T4都截止,输出端为“0”。,当输入端有一个或全为“0”时,T1或T2(或都)截止,T3或T4(或都)导通,输出端Y为“1”。,(1)CMOS与非门电路,下页,返回,上页,VDD,缺点:1.输入端的工作状态不同时影响电压传输特性。2.输出的高、低电平受输入端数目的影响。,3.它的输出电阻受输入状态的影响。,.,17,当A,B两个输入端全为“1”或其中一个为“1”时,输出端为“0”。只有当输入端全为“0”时,输出端才为“1”。,(2)CMOS“或非”门电路,下页,返回,上页,存在和与非门类似的问题。,.,18,下页,返回,上页,2.带缓冲级的CMOS门电路,电路构成:在门电路的每个输入端、输出端各增设一级反相器,加进的这些反相器具有标准参数,所以称为缓冲器。优点:这些带缓冲级的门电路,其输出电阻和输出的高、低电平以及电压传输特性将不受输入端状态的影响,电压传输特性的转折区也变得更陡。,.,19,下页,返回,上页,3.漏极开路的门电路(OD门),用途:输出缓冲/驱动器;输出电平的变换;满足大功率负载电流的需要;实现线与逻辑。,.,20,下页,返回,上页,.,21,下页,返回,上页,4.CMOS传输门和双向模拟开关,时,传输门导通。,时,传输门截止。,.,22,下页,返回,上页,利用CMOS传输门和CMOS反相器可以组合成各种复杂的逻辑电路,如异或门、数据选择器、寄存器、计数器等。,用反相器和传输门构成异或门电路,.,23,下页,返回,上页,传输门的另一个用途是作模拟开关,用来传输连续变化的模拟电压信号。,C=0时开关截止。,C=1时开关接通。,模拟开关的导通内阻为RTG。,.,24,下页,返回,5.三态输出的CMOS门电路,时,输出呈现高阻态。,时,反相器正常工作。,上页,三态输出的CMOS反相器,动画,.,25,下页,返回,上页,用三态输出反相器接成总线结构,用三态输出反相器实现数据双向传输,.,26,下页,返回,五、CMOS电路的正确使用,1.输入电路的静电防护,为防止静电电压造成的损坏,应注意以下几点:1)在存储和运输CMOS器件时,不要使用易产生静电高压的化工材料和化纤织物包装,最好采用金属屏蔽层作包装材料。2)组装、调试时,应使电烙铁和其他工具、仪表、工作台台面等良好接地。操作人员的服装和手套等应选用无静电的原料制作。,上页,3)不用的输入端不应悬空。,.,27,下页,返回,2.输入电路的过流保护,由于输入保护电路中的钳位二极管电流容量有限,所以在可能出现较大输入电流的场合,必须采取以下保护措施:1)输入端接低内阻信号源时,应在输入端与信号源之间串进保护电阻,保证输入保护电路中的二极管导通时电流不超过1mA。2)输入端接有大电容时,应在输入端和电容之间接入保护电阻。,上页,3)输入端接长线时,应在门电路的输入端接入保护电阻。,.,28,返回,3.CMOS电路锁定效应的防护,锁定效应或称为可控硅效应,是CMOS电路中的一个特有问题

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