读写内部FLASH第3节_第1页
读写内部FLASH第3节_第2页
读写内部FLASH第3节_第3页
读写内部FLASH第3节_第4页
读写内部FLASH第3节_第5页
已阅读5页，还剩2页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

,读写内部FLASH,零死角玩转STM32,淘宝：,论坛：,扫描进入淘宝店铺,主讲内容,01,STM32的内部FLASH简介,03,查看工程的空间分布,04,操作内部FLASH的库函数介绍,02,对内部FLASH的写入过程,参考资料:零死角玩转STM32“读写内部FLASH”章节,05,实验：读写内部FLASH,读写内部FLASH,操作内部FLASH的库函数,为简化编程，STM32标准库提供了一些库函数，它们封装了对内部FLASH写入数据操作寄存器的过程。,1.FLASH解锁、上锁函数,解锁的时候，它对FLASH_KEYR寄存器写入两个解锁参数，上锁的时候，对FLASH_CR寄存器的FLASH_CR_LOCK位置1。,读写内部FLASH,2.设置操作位数及擦除扇区,解锁后擦除扇区时可调用FLASH_EraseSector完成：,该函数包含两个输入参数，分别是要擦除的扇区号和工作电压范围，选择不同电压时实质是选择不同的数据操作位数，参数中可输入的宏在注释里已经给出。函数根据输入参数配置PSIZE位，然后擦除扇区，擦除扇区的时候需要等待一段时间，它使用FLASH_WaitForLastOperation等待，擦除完成的时候才会退出FLASH_EraseSector函数。,读写内部FLASH,3.写入数据,对内部FLASH写入数据不像对SDRAM操作那样直接指针操作就完成了，还要设置一系列的寄存器，利用FLASH_ProgramWord、FLASH_ProgramHalfWord和FLASH_ProgramByte函数可按字、半字及字节单位写入数据：,读写内部FLASH,3.写入数据,从函数代码可了解到，使用指针进行赋值操作前设置了数据操作宽度，并设置了PG寄存器位，在赋值操作后，调用了FLASH_WaitForLastOperation函数等待写操作完毕。HalfWord和Byte操作宽度的函数执
人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论