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文档简介

1,1)清华工艺录像,N阱硅栅CMOS工艺流程,2,初始氧化,3,光刻1，刻N阱,4,N阱形成,N阱,5,Si3N4淀积,6,光刻2，刻有源区，场区硼离子注入,N阱,7,场氧1,N阱,8,光刻3(N阱场区磷离子注入),N阱,9,场氧2,N阱,10,栅氧化,N阱,11,多晶硅淀积,N阱,12,光刻4，刻NMOS管硅栅，磷离子注入形成NMOS管,用光刻胶做掩蔽,13,光刻5，刻PMOS管硅栅，硼离子注入及推进，形成PMOS管,用光刻胶做掩蔽,14,磷硅玻璃淀积,N阱,15,蒸铝、光刻7，刻铝、光刻8，刻钝化孔（图中展示的是刻铝后的图形）,16,N阱硅栅CMOS工艺流程,17,CMOS集成电路工艺-以P阱硅栅CMOS为例,1、光刻I-阱区光刻，刻出阱区注入孔,18,2、阱区注入及推进，形成阱区,19,3、去除SiO2，长薄氧，长Si3N4,20,4、光II-有源区光刻，刻出PMOS管、NMOS管的源、栅和漏区,21,5、光III-N管场区光刻，N管场区注入孔，以提高场开启，减少闩锁效应及改善阱的接触。,22,6、长场氧，漂去SiO2及Si3N4，然后长栅氧。,23,7、光-p管场区光刻（用光I的负版），p管场区注入，调节PMOS管的开启电压，然后生长多晶硅。,24,8、光-多晶硅光刻，形成多晶硅栅及多晶硅电阻,25,9、光I-P+区光刻，刻去P管上的胶。P+区注入，形成PMOS管的源、漏区。,26,10、光-N管场区光刻，刻去N管上的胶。N管场区注入，形成NMOS的源、漏区。,27,11、长PSG（磷硅玻璃）。,28,12、光刻-引线孔光刻。,29,13、光刻-引线孔光刻（反刻Al）。,30,2)简化N阱CMOS工艺演示,31,氧化层生长,32,曝光,33,氧化层的刻蚀,光刻1，刻N阱掩膜版,34,N阱注入,光刻1，刻N阱掩膜版,35,形成N阱,36,氮化硅的刻蚀,N阱,37,场氧的生长,N阱,38,去除氮化硅,N阱,39,重新生长二氧化硅（栅氧）,N阱,40,生长多晶硅,N阱,41,刻蚀多晶硅,N阱,42,刻蚀多晶硅,N阱,43,P+离子注入,N阱,44,N+离子注入,N阱,45,生长
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