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微电子加工技术总复习,微电子加工技术,微电子制造引论(第1章)热氧化工艺(第4章)扩散工艺(第3章)离子注入工艺(第5章)RTP工艺设备(第6章)真空技术与等离子体简介(第10章)化学气相淀积工艺(第13章),参考资料:微电子制造科学原理与工程技术,物理气相淀积工艺(第12章)外延生长工艺(第14章)光刻工艺(第7、8章)刻蚀工艺(第11章)金属化工艺(第15章)工艺集成(第15、16章),参考资料:微电子制造科学原理与工程技术,微电子加工技术,一、微电子制造引论,1、IC制造的步骤,2、IC制造中的单项工艺,3、微电子工艺举例,电阻分压器,二、热氧化工艺,1、二氧化硅在IC中的主要用途,2、热氧化原理(Deal-Grove模型),b.计算热氧化工艺生长SiO2厚度的方法,a.主要结论,3、热氧化工艺(方法)和系统,4、热氧化工艺的质量检测,三、扩散工艺,1、扩散工艺在IC制造中的主要用途,2、扩散原理(模型与公式),a.费克一维扩散方程,b.扩散的原子模型、Fair空位模型,c.费克第二定律的分析解,预淀积扩散,推进扩散,3、影响实际扩散分布的因素,4、扩散工艺质量检测,四、离子注入工艺,1、离子注入工艺设备及其原理,2、射程与入射离子的分布,a.离子源,b.质量分析器,c.加速管,d.终端台,e.离子注入工艺控制参数,根据离子注入条件计算杂质浓度的分布,3、实际的入射离子分布问题,4、注入损伤与退火,五、RTP工艺设备,1、RTP与传统退火工艺的比较,2、RTP设备与传统高温炉管的区别,3、RTP设备的快速加热能力,4、RTP设备的关键问题,六、真空技术与等离子体简介,1、真空基础知识,2、等离子体简介,a.直流等离子体的组成,b.射频放电等离子体,七、化学气相淀积工艺,1、CVD工艺的主要特点,2、CVD工艺原理,a.简单的SiCVD反应器,b.反应腔内的化学反应,c.反应腔内的气体流动,3、CVD淀积速率与温度的关系,a.化学反应速率限制区,b.质量输运速率限制区,4、CVD技术分类,a.常压化学气相淀积,b.低压化学气相淀积,c.等离子体增强化学气相淀积,5、典型物质(材料)的CVD工艺,a.二氧化硅的淀积,b.多晶硅(Poly-Si)的淀积,c.氮化硅(Si3N4)的淀积,d.金属材料的CVD淀积,八、物理气相淀积工艺,1、蒸发工艺,a.蒸发工艺的淀积速率,b.常用蒸发系统(加热器),c.蒸发工艺的限制因素,2、溅射工艺,a.溅射原理,b.淀积速率与溅射产额,c.溅射薄膜形貌与台阶覆盖,d.常用溅射工艺,九、外延生长工艺,1、外延工艺的分类,2、气相外延生长的热动力学,a.Deal模型,b.连续步骤模型,c.超饱和度模型,d.薄膜生长的三种模式,3、外延层的掺杂与缺陷,4、硅的气相外延工艺,十、光刻工艺,1、光刻工序:,2、掩膜版,3、光刻机,a.主要性能指标,b.曝光光源,c.三种光刻机,4、光刻胶,5、典型的光刻工艺流程,正性胶和负性胶,十一、刻蚀工艺,1、湿法刻蚀,2、干法刻蚀,c.物理化学性刻蚀。,a.物理性刻蚀,b.化学性刻蚀,十二、金属化工艺,1、形成欧姆接触的方法,2、常用的金属化材料,a.Al,b.重掺杂多晶硅,c.难熔金属硅化物

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