第2章-晶体管及其基本放大电路

2.1晶体管,2.2放大的概念及放大电路的性能指标,2.3共发射极放大电路的组成及工作原理,2.4放大电路的图解分析法,2.5放大电路的微变等效电路分析法,2.6分压式稳定静态工作点电路,2.7共集电极放大电路,2.8共基极放大电路,2.9组合单元放大电路,第2章晶体管及其基本放大电路,2.1晶体管,2.1.1晶体管的结构及类型,2.1.2晶体管的三种连接方式,2.1.3晶体管的工作方式,本节重点：1.从晶体管内部载流子的运动理解晶体管的电流控制与放大作用。2.掌握晶体管实现放大的内部条件与外部条件。3.掌握晶体管三极电流之间的关系。4.掌握晶体管的三种工作状态及其特点。5.熟记晶体管的伏安特性曲线6.晶体管三种状态的判断。,(SemiconductorTransistor),1.结构,发射极E,基极B,集电极C,发射结,集电结,emitter,base,collector,集电区体积较大,基区较薄，掺杂浓度低,发射区掺杂浓度最高,2.1.1晶体管的结构及类型,NPN型,PNP型,晶体管实现电流控制与放大作用的内部条件：结构上的特点,发射极E,基极B,集电极C,NPN型,PNP型,2.符号,箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向。,3.分类,按材料分：硅管、锗管,按功率分：小功率管1W,中功率管0.51W,2.1.2晶体管的三种连接方式,(a)共发射极(b)共集电极(c)共基极图2-3晶体管的三种连接方式,2.1.3晶体管的工作状态工作状态可分为三种：放大状态饱和状态截止状态1.放大状态（发射结正向偏置、集电结反向偏置）,晶体管放大的条件：,内部条件,发射区掺杂浓度高,基区薄且掺杂浓度低,集电区体积大,外部条件,发射结正偏集电结反偏,发射区正偏，发射区发射电子，形成电流IEN。,ICN,多数向BC结方向扩散形成ICN。,IE,少数与空穴复合，形成IBN。,IBN,基极电流,少数在基区与空穴复合形成的电流(IBN),集电区少子漂移(ICBO),ICBO,IB,即：,IB=IBNICBO,2)电子在基区的复合和传输,(1)放大状态下晶体管中载流子的传输过程,IE=IEN+IEPIEN,IEN,IEIEN=IBN+ICN,IC,3)集电结反向偏置形成集电极电流IC,IC=ICN+ICBO,穿透电流,（2）晶体管的电流分配关系,IB=IBNICBO,IC=ICN+ICBO,共射直流电流放大系数,IE=IC+IB,集电极收集到的电子数与在基区复合掉的电子数之比，意味着基区每复合一个电子，则有个电子扩散到集电区去。,IE=IC+IB,共基直流电流放大系数,的值小于1且接近于1，一般为0.950.99。,的关系,它是集电极收集的电子数与发射极发射的总电子数的比值,(3)晶体管的放大作用,放大状态各电极电位之间的关系是：NPN型：UCUBUEPNP型：UCUBUE,晶体管实现电流放大的外部偏置条件：发射结正偏，集电结反偏,电流放大作用的实质是通过改变基极电流IB的大小，达到控制IC的目的，而并不是真正把微小电流放大了，因此，晶体管称为电流控制型器件。定义：保持工作点处UCE不变，集电极电流变化量与基极电流变化量之比，称为共发射极交流电流放大系数。即,定义：保持工作点处UCB不变，集电极电流变化量与发射极电流变化量之比，称为共基极交流电流放大系数。即,在数值上,2.饱和状态(发射结正向偏置、集电结正向偏置),集电极电位低于基极电位，集电结正向偏置，不利于集电极从基区收集非平衡少数载流子，从发射区扩散到基区的非平衡少子在基区复合的数量增大，而进入集电区的数量减少，集电极电流不再随基极电流的增大而增大，基极电流失去了对集电极电流的控制作用（晶体管失去了放大能力），集电极电流好像饱和了。,2.饱和状态(两个结都正偏),IC主要受UCE的控制，随着UCE的增大，集电结由正向偏置向零偏变化过程中，集电区收集电子的能力逐步增强，集电极电流IC随UCE的增大而增大。,晶体管工作于饱和状态时的UCE称为集电极饱和电压降，记作UCES。处于深度饱和时，,锗管:,硅管:,3.截止状态（两个结都反偏）晶体管发射结反向偏置或零偏(UBE0)，集电结反向偏置(UBC0），不利于发射极多数载流子的扩散运动，发射极电流几乎为零，此时，集电极流过反向饱和电流IC=ICBO，基极电流：IB=ICBO，ICBO很小可忽略不计，认为晶体管处于截止状态。,例三极管3个电极的对地电位如图所示，试判断三极管的工作状态。,放大状态,截止状态,饱和状态,两个结正偏,两个结反偏,发射结正偏集电结反偏,解:(a)uBE=0.7V,uBC=-4.3V,发射结正偏,集电结反偏，三极管处于放大状态;(b)uBE=-1V,uBC0,条件：两个结正偏,特点：ICIB,临界饱和时：uCE=uBE,深度饱和时：CEBE,0.3V(硅管),UCE(SAT)=,0.1V(锗管),此区域中UCEUBE,集电结正偏，IBIC，UCE0.3V,较小时,管子的集电极电流基本上不随基极电流而变化,这种现象称为饱和。,饱和状态的晶体管等效为闭合的开关,两个结正偏,饱和状态：,4.击穿区：,条件：发射结正偏集电结反偏,特点：集电结发生了雪崩击穿,基极开路(IB=0)时，使集电极发生击穿的UCE值，记为U(BR)CEO。,输出特性三个区域的特点:,放大区条件：发射结正偏，集电结反偏。特点：IC=IB,且IC=IB,(2)饱和区：条件：发射结正偏，集电结正偏。特点：IBIC，UCEUCES,(3)截止区：条件：发射结反偏，集电结反偏。特点：IB=0，IC=ICEO0,集电结的空间电荷区变窄，内电场减弱，集电结收集载流子的能量降低，C不再随着B作线性变化，出现发射极发射有余，而集电极收集不足现象。,2.1.5晶体管的直流模型,输入特性近似,输出特性近似,由晶体管的伏安特性曲线可知，晶体管的输入输出特性是非线性的，它是一种复杂的非线性器件。当晶体管工作于直流时，其非线性主要表现为三种截然不同的工作状态，即放大、截止和饱和状态。在实际应用中，根据实现的功能不同，可通过外电路将晶体管偏置在需要的某一种状态。,截止状态模型,放大状态模型,饱和状态模型,1.截止状态直流模型当外电路使UBEUBE(on)时，发射结反向偏置，晶体管截止。此时，IB=0，IC=0，晶体管b、e极间和c、e极间相当于开路,截止状态模型,放大状态模型,饱和状态模型,2.放大状态直流模型当外电路使晶体管UBEUBE(on)，且UBEUCE时，则发射结正向偏置，集电结反向偏置，晶体管工作于放大状态。此时，一般认为晶体管发射结导通电压UBE=UBE(on)，集电极直流电流IC=IB，IC受IB的控制，晶体管c、e极间可等效为一个受IB控制的受控电流源IB,截止状态模型,放大状态模型,饱和状态模型,3.饱和状态直流模型当外电路使晶体管UBEUBE(on)，且UBEUCE时，则发射结、集电结均正向偏置，晶体管工作于饱和状态。此时，一般认为晶体管发射结导通电压UBE=UBE(on)，集-射极间电压为饱和压降UCES，晶体管c、e极间相当于接了一个恒压源UCES,2.1.6晶体三极管的主要参数,一、电流放大系数,1.共发射极电流放大系数,直流电流放大系数,交流电流放大系数,一般为几十几百,Q,在分立元件电路中,一般取在20100范围内的管子,太小电流放大作用差,太大受温度影响大,性能稳定性差.,2.共基极电流放大系数,1一般在0.98以上。,Q,二、极间反向饱和电流,CB极间反向饱和电流ICBO，,CE极间反向饱和电流ICEO。,(a)ICBO(b)ICEO图2-15晶体管极间反向电流的测量,ICEO=(1+)ICBO,集基反向饱和电流ICBO,发射极开路时,集电极和基极间的反向饱和电流.ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。锗管：ICBO为微安数量级，硅管：ICBO为纳安数量级。,集射反向饱和电流ICEO,基极开路时，集电极和发射极间的穿透电流.ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。,三、极限参数,1.ICM集电极最大允许电流，超过时值明显降低。,2.PCM集电极最大允许功率损耗,PC=iCuCE。,U(BR)CBO发射极开路时C、B极间反向击穿电压。,3.U(BR)CEO基极开路时C、E极间反向击穿电压。,U(BR)EBO集电极极开路时E、B极间反向击穿电压。,U(BR)CBO,U(BR)CEO,U(BR)EBO,已知:ICM=20mA,PCM=100mW，U(BR)CEO=20V，当UCE=10V时，ICmA当UCE=1V，则ICRS时，,3输出电阻:,从放大电路输出端看进去的等效电阻。,带负载时的输出电压,比空载时的输出电压,有所降低,方法一：,图2-23放大电路的输出电阻计算,方法二,求输出电阻Ro,将放大电路中信号源短路（即,=0，但保留RS）、负载开路（RL=），,，产生相应的电流,与,的比值即为输出电阻Ro,在放大电路的输出端外加电压,4.通频带,fBW=fHfL,fH上限截止频率,fL下限截止频率,fBW通频带:,基本放大电路的组成和工作原理,三极管放大电路有三种形式,共射放大电路,共基放大电路,共集放大电路,以共射放大电路为例讲解工作原理,本节重点:1.正确理解放大电路的组成原则。2.会画放大电路的直流通路与交流通路。3.会判断放大电路能否对交流信号进行放大。4.掌握放大电路的静态分析方法。4.正确理解放大电路的图解分析法。,2.3共发射极电路的组成及工作原理,2.3共发射极放大电路的组成及工作原理,放大电路要具有放大作用，必须满足三个组成原则：确保晶体管工作于放大区，即满足发射结正向偏置，集电结反向偏置的外部条件。确保被放大的交流输入信号能够作用于晶体管的输入回路。确保放大后的交流输出信号能够传送到负载上去。,输出不失真,发射结加正向电压,集电结加反向电压,ui,2.3.1共发射极放大电路的组成,1.确保晶体管工作于放大区,共射放大电路,集电极电阻，将变化的电流转变为变化的电压。,耦合电容：电解电容，有极性，大小为10F50F,作用：隔直通交隔离输入输出与电路直流的联系，同时能使信号顺利输入输出。,RB,+VCC,VBB,RC,C1,C2,T,+,+,2.确保输入交流信号作用于发射结,3.确保输出交流信号作用于负载,2.3.1共发射极放大电路的组成,(a)双电源供电(b)单电源供电图2-25基本共发射极放大电路的组成,2.3.2共发射极放大电路的工作原理,1.输入信号为零时的工作情况,当输入信号ui=0时，电路中各处的电压电流都是不变的直流信号，称为直流工作状态，也称静态。,UCE=VCC-RCIC,(a)工作电路(b)等效电路图2-26放大电路ui=0时工作情况,2.输入信号不为零时的工作情况,几点结论：(1)放大器输入交变电压时，晶体管各极电流的方向和极间电压的极性始终不变，只是围绕各自的静态值，按输入信号规律近似呈线性变化。(2)晶体管各极电流、电压的瞬时波形中，只有交流分量才能反映输入信号的变化，因此，需要放大器输出的是交流量。(3)将共射放大电路输出与输入的波形对照，可知两者的变化规律正好相反，通常称这种波形关系为反相或倒相。,当放大电路输入信号较小，BJT可按线性电路对待，利用叠加定理：分别分析电路中的交流单独作用产生的相应、直流单独作用产生的相应，再叠加。,直流通路(ui=0)分析静态。,直流通路：只有直流作用的通路。,画直流通路的原则：1、将交流电压源短路2、将电容开路,电感短路。,2.3.3直流通路和交流通路,交流通路(ui0)分析动态，只考虑变化的电压和电流。,交流通路：只有交流作用的通路。,(c)交流通路,(a)共射放大电路,(b)直流通路,【例】画出图中电路的直流通路和交流通路。,【例2-4】画出图2-29电路的直流通路和交流通路。,图2-29,解：直流通路:将图中ui短路，电容开路，电路其他部分保留。交流通路:将图中电容短路，直流电源对地短路，电路其他部分保留。,(a)直流通路,(b)交流通路,放大电路要具有放大作用，必须满足以下三个组成原则：确保晶体管工作于放大区，即满足发射结正向偏置，集电结反向偏置的外部条件确保被放大的交流输入信号能够作用于晶体管的输入回路。确保放大后的交流输出信号能传送到负载上去。,例2-5根据放大电路的组成原则，判断下图个电路对交流信号是否具有放大作用。,发射结没有正偏电压,（a）中发射结没有正向偏置电压，晶体管不能工作在放大区,（a）,（a）直流通路,否,解,基极无直流偏置,（b）C1有隔离直流的作用，晶体管基极无直流偏置,（b）直流通路,否,（b）,解,输入信号无法加到放大电路的输入端,（c）交流通路,（c）中旁路电容C1对交流输入信号短路，使得输入信号电压vi无法加到放大电路的输入端,解,（c）,否,无交流信号输出,（d）由于没有集电极电阻RC，只有信号电流，无交流电压信号输出,（d）交流通路,解,（d）,放大电路没有输入信号时(ui=0)的工作状态称为静态。,静态分析的任务是根据电路参数和三极管的特性确定静态值（直流值）UBE、IB、IC和UCE。可用放大电路的直流通路来分析。,2.4.1静态工作情况分析,2.4放大电路的图解分析法,画直流通路的原则：1、将交流电压源短路2、将电容开路,电感短路。,直流通路：只有直流作用的通路。,RB,为什么要设置静态工作点？,放大电路建立正确的静态工作点，是为了使三极管工作在线性区(放大区)以保证信号不失真。,将交流电压源短路将电容开路。,直流通路的画法：,一、静态工作点的估算,1.直流通路,静态工作点（IB、UBE、IC、UCE）,静态工作点（IB、UBE、IC、UCE）,2.估算,R,+VCC,RC,VT,ICQ,UBEQ,UCEQ,(ICQ,UCEQ),(IBQ,UBEQ),IBQ,+,+,-,-,（1）估算IB（UBE0.7V),RB称为偏置电阻，IB称为偏置电流。,（2）估算IC、UCE,IC=IB,例：用估算法计算静态工作点。,已知：VCC=12V，RC=4k，RB=300k，=37.5。,解：,请注意电路中IB和IC的数量级,UBE0.7V,R,+VCC,RC,T,ICQ,UBEQ,UCEQ,(ICQ,UCEQ),(IBQ,UBEQ),IBQ,+,+,-,-,二、用图解法确定静态工作点,BEQ=VBQRB,UCE=VCCICRC,1.在输入回路中确定(UBEQ,IBQ),根据输入特性曲线及直流负载线方程：,BEQ=VBQRB,输入回路图解,Q,静态工作点,VCC,VCC/RB,UBEQ,IBQ,O,可在输入特性曲线找出静态工作点Q(UBEQ,IBQ),UCE=VCCICRC,输出回路图解,VCC,VCC/RC,O,Q,UCEQ,ICQ,IBQ,根据输出特性曲线及直流负载线方程：,2.在输出回路中确定(UCEQ,ICQ),(IBQ,UBEQ)和(ICQ,UCEQ)分别对应于输入输出特性曲线上的一个点称为静态工作点。,直流负载线,+,-,IBQ,ICQ,UBEQ,UCEQ,+,+,-,-,ui=0时，电路中各极电压和电流都是固定不变的直流。,2.4.2用图解法确定动态工作情况,一.输出空载（RL=）时的动态,动态：ui0电路的工作状态。,重点：1正确理解作图的过程，明白动态时，电路中各极电流与电压的组成。2.掌握放大电路最大动态范围的计算方法。3.失真的判断。,2.4.2用图解法确定动态工作情况,1.根据ui在输入特性上画出ib和ube,0.7V,Q,ui,IBQ,uBE/V,uBE/V,2.根据ib在输出特性上画出ic和uce,交流负载线：ui0时由电路确定的ic和uce之间的关系曲线。,VCC,VCC/RC,2.根据ib在输出特性上画出ic和uce,0.7V,Q,ui,Ot,IBQ,Q,Q,Q,Ot,ICQ,UCEQ,说明uce（即uo）和ui反相，同时可以求出电压放大倍数,uo=uce,ui=ube,动态分析（ui0）RL=,各点波形,uo比ui幅度放大且相位相反,uo=uce,ube=ui,二、接上负载RL时的图解法,输出端接入负载RL，不影响Q，影响动态！,1.交流通路,对交流信号(输入信号ui),置零,1/C0,将直流电压源短路，将电容短路。,方法和步骤:,交流通路,注意：(1)交流负载线是有动态时iC与uCE之间的关系曲线。,(2)空载时，交流负载线与直流负载线重合。,2.交流负载线,(1)方程,其中：,交流量ic和uce有如下关系：,这就是说，交流负载线的斜率为：,(2)交流负载线的作法：斜率为-1/RL。（RL=RLRc）,经过Q点。,斜率为-1/RL。（RL=RLRc）,经过Q点。,注意：（1）交流负载线是有交流输入信号时工作点的运动轨迹。,（2）空载时，交流负载线与直流负载线重合。,交流负载线,直流负载线,斜率为-1/RC,计算交流负载线与横轴的交点：,交流负载线的具体画法：,2.4.3电路参数对静态工作点的影响,1.改变RB，其他参数不变,RBiB,Q趋近截止区；,RBiB,Q趋近饱和区。,2.改变RC，其他参数不变,RCQ趋近饱和区。,Q,Q,RCQ远离饱和区。,2.4.4非线性失真,1.“Q”过低引起截止失真,NPN管：顶部失真为截止失真。,PNP管：底部失真为截止失真。,不发生截止失真的条件：IBQIbm。,2.“Q”过高引起饱和失真,ICS,NPN管：底部失真为饱和失真。,PNP管：顶部失真为饱和失真。,IBS基极临界饱和电流。,不发生饱和失真的条件：IBQ+IbmIBS,3.选择工作点的原则：,当ui较小时，为减少功耗和噪声，“Q”可设得低一些；,为提高电压放大倍数，“Q”可以设得高一些；,为获得最大输出，“Q”可设在交流负载线中点。,静态工作点Q的位置应适中,2.4.5最大输出电压幅值,放大电路在电路参数确定的条件下，输出端不发生饱和失真和截止失真的最大输出信号电压的幅值称为最大不失真输出电压幅值(Uom)M。,(1)受截止失真限制,(2)受饱和失真限制,(Uom)M=minUR,UF,(3)最大不失真输出电压,优点:可以直观全面地了解放大电路的工作情况，通过选择电路参数在特性曲线上合理地设置静态工作点，分析最大不失真输出电压、失真情况并估算动态工作范围。缺点:在特性曲线上作图比较繁琐，误差大，信号频率较高时，特性曲线不再适用。因此图解法只适合分析输出幅值比较大且工作频率较低的情况。在分析其他动态指标，如输入电阻、输出电阻等时比较困难。,图解法的优缺点:,(1)在输出特性曲线上作出RB1=285k、RB2=570k时的静态工作点Q1、Q2，当开关S断开时，分别求出这两种情况下的最大不失真输出电压幅值(Uom)M1、(Uom)M2。(2)当开关S闭合、RB1=285k时，求出最大不失真输出电压幅值(Uom)M1。,VCC=12V，UBEQ=0.6V，UCES=1V,例2-6,直流负载线,交流负载线,输入回路满足：,当RB1=285k时：,当RB2=570k时：,输出回路满足：VCC=ICQRC+UCEQ12=4ICQ+UCEQ,Q1,Q2,(Uom)M1=UCEQ1-UCES=6-1=5V,(Uom)M2=VCC-UCEQ2=12-9=3V,当开关S断开，即空载时，,当开关S闭合，即带负载RL时，RB1=285k,例2-6解,【例2-7】放大电路如图所示，晶体管的输出特性和直流负载线MN、交流负载线,已知UBEQ=0.7V，试求：(1)基极电阻RB、集电极电阻RC、负载电阻RL的值；(2)最大不失真输出电压(Uom)M。,静态工作点Q在IBQ=40A的曲线上，对应UCEQ=4V，ICQ=2mA；直流负载线MN与横轴的交点N（10，0），电源电压VCC=10V；,交流负载线,=6V,输入回路满足：VCC=IBQRB+UBEQ,输出回路（即直流负载线MN）满足：VCC=ICQRC+UCEQ,=2V/2mA=1k,交流负载线,=6V,UCEQ=4V，ICQ=2mA,【例2-7】解,2.5微变等效电路分析法,2.rbe的求取,1.低频H参数电路模型,2.5.1晶体管的低频小信号微变等效模型,本节重点：1.熟记晶体管的简化微变等效模型及其模型中电阻rbe的计算公式。2.掌握放大电路的微变等效电路的画法。3.会用微变等效电路计算放大电路的动态性能指标：放大电路的电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。,晶体管是一个非线性元件，含有晶体管的放大电路是一个非线性电路，分析非线性电路较为复杂。为了寻求更为有效的分析方法，提出了微变等效电路分析法。指导思想是在放大电路输入信号很小（微变）时，晶体管在小范围内的输入、输出特性曲线可近似用直线来代替，即在一个很小的范围内，可认为晶体管的电压、电流变化量之间的关系是线性的，这样就可以给晶体管建立一个小信号的线性模型，把晶体管近似用一个等效的线性电路来代替，将晶体管这个非线性元件进行线性化处理，从而把含有非线性元件晶体管的放大电路，转化为人们熟悉的线性电路来分析。,微变等效电路分析法,1.低频H参数电路模型,可以用一个线性的二端口网络来等效非线性的晶体管。,根据晶体管端口电压、电流关系可导出晶体管的H参数电路模型。,2.5.1晶体管的低频小信号微变等效模型,（a）晶体管二端口有源网络（b）二端口有源网络图246共发射极晶体管二端口网络,在小信号情况下，对上两式取全微分得,对于BJT双口网络，输入输出特性曲线如下：,求变化量之间的关系,用小信号交流分量表示,输出端交流短路时的输入电阻；,H参数的含义和求法,输入端电流恒定（交流开路）的反向电压传输比,输出端交流短路时的正向电流传输比或电流放大系数；,输入端电流恒定（交流开路）时的输出电导。,四个参数量纲各不相同，故称为混合参数（H参数）,（a）H参数微变模型,（b）简化H参数微变模型,（c）输入正弦信号H参数微变模型,2.rbe的求取,(1)发射结电阻,发射结电流,为发射结的电压，IS为发射结的反向饱和电流，UT，所以,求导得,根据输入电阻的定义,实验表明：,IEQ有一定的适用范围，0.1mAIB硅管I1=（510）IBQ锗管I1=（1020）IBQ（2）VBUBE硅管VB=（35）V锗管VB=（13）V,三、静态分析求Q点（IBQ、ICQ、UCEQ）求法：画出直流通路求解方法有二：1、估算法2、利用戴维南定理,VBQ=VCCRB2/(RB1+RB2),1、估算法,UCEQ=VCC-ICQ/(RC+RE),2、用戴维南定理,VBB=VCCRB2/(RB1+RB2),RB=(RB1/RB2),开路求等效电压,去源求等效电阻,等效电路,四、动态分析求Au、Ri、RO1、画出微变等效电路（1）画出交流通路,（2）画出放大电路的微变等效电路,2、计算动态性能指标,（1）计算Au,“-”表示Uo和Ui反相。Au的值比固定偏流放大电路的Au小了。,Au,（2）计算输入电阻,Ri,RoRc,（3）计算输出电阻Ro,Ro基本不变。,同固定偏置放大电路相比较静态工作点稳定Au，Ri，Ro基本不变,结论,分压式偏置稳定静态工作点的电路,如何提高电压放大倍数Au,？,在RE两端并联一个电容，则放大倍数与固定偏置放大电路相同。,举例讨论,2.6.3带旁路电容的射极偏置稳定电路,例=100，RS=1k，RB1=62k，RB2=20k,RC=3k，RE=1.5k，RL=5.6k，VCC=15V。求：“Q”，Au，Ri，Ro。,1)求“Q”,解,微变等效电路,RE两端并联一个电容,CE的作用：交流通路中，CE将RE短路，RE对交流不起作用，放大倍数不受影响。,Ro=RC=3k,2)求Au，Ri，Ro，Aus,小结,分析了固定偏置放大电路产生失真的原因。分析了射极偏置放大电路稳定静态工作点的原理。重点分析计算了分压式偏置放大电路的性能指标。深入讨论了射极电阻对静态和动态的影响，为今后学习反馈建立基础概念。,2.7共集电极放大电路,2.7.1共集电极放大电路,IBQ,IEQ,+,C1,RS,+ui,RE,RB,+VCC,C2,RL,+,+uo,+,us,IBQ=(VCCUBEQ)/RB+(1+)RE,ICQ=IBQ,UCEQ=VCCICQRE,一.静态分析,二.动态分析,微变等效电路,RL=RE/RL,1,电压放大倍数：,输入电阻：,3.输出电阻：,RS=Rs/RB,射极输出器特点:,Au1输入输出同相,Ri高,Ro低,用途：输入级、输出级、中间隔离级、电压跟随器,共集电极放大电路,射极输出器的输出电阻很小，带负载能力强。,输入电阻较大，作为前一级的负载，对前一级的放大倍数影响较小。,例=120，RB=300k，r