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光刻实验一实验目的了解光刻在样品制备工艺中的作用，熟悉光刻工艺的步骤和操作。二实验原理 光刻是一种复印图象与化学腐蚀相结合的综合性技术，它先采用照像复印的方法，将光刻掩模板上的图形精确地复制在涂有光致抗蚀剂的SiO2层或金属蒸发层上，在适当波长光的照射下，光致抗证剂发生变化，从而提高了强度，不溶于某些有机溶剂中，未受光照射的部分光致抗蚀剂不发生变化，很容易被某些有机溶剂（如显影液）溶解。然后利用光致抗蚀剂的保护作用，对SiO2层或金属蒸发层进行选择性化学腐蚀，从而在SiO2层或金属层上得到与光刻掩模板相对应的图形。将掩模板覆盖在光刻胶上在紫外光下曝光显影后经腐蚀得到光刻窗口在SiO2衬底上涂覆光刻胶 （一）光刻原理图 晶片表面必须有如照相底片般的物质存在，属于可感光的胶质化合物（光刻胶），经与光线作用和化学作用方式处理后，即可将掩膜版上的图形一五一十地转移到晶片上。因此在光刻成像工艺上，掩膜版、光刻胶、光刻胶涂布显影设备及对准曝光光学系统等，皆为必备的条件。三、实验药品及设备化学药品：光刻胶（正胶）、正胶显影液、丙酮、酒精、去离子水等实验仪器：匀胶台、烘胶台、光刻机等四实验步骤1. 准备样品，甩胶注意事项：保证样品表面的干净在使用之前确保匀胶机正常工作在事先要把烘胶台的温度设定到实验需要的温度2. 光刻注意事项：首先检查变压器是否工作，指针需要指在110V曝光结束后要按下“fan as”键，是光刻机自行冷却下来长时间不用光刻机时不要忘了关干泵防止其过热烧坏3. 显影注意事项：显影过程应在曝光过后立即操作显影液不宜放置时间过长，以免其变质后影响实验结果4. 整理光刻间，保持实验场所的干净整洁五. 实验结果工艺参数：样品名称：5mm5mm Si片光刻胶：AZ1500匀胶台：600r10s，3000r60s烘胶台：902min显影液：正胶显影液在操作之前，首先对硅片进行了洁净处理。具体步骤如下：1. 在丙酮中用超声清洗10分钟2. 在酒精中用超声清洗10分钟3. 放在去离子水里清洗4. 放在酒精中清洗5. 用氮气吹干清洗完硅片过
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