核数据及核数据库介绍

核数据及核数据库介绍,中国原子能科学研究院核数据重点实验室阮锡超2013.7.24，四川绵阳,目录,反应截面简介核数据及核数据库简介核数据用途1）基础研究2）核能3）其他应用：治癌、单粒子效应等4）MC程序，几个MC程序介绍,反应截面简介,微观截面与宏观截面：,平均自由程：,各种反应截面：,化合物及混合物的截面：,1/v区,共振区,快区,56Fe的中子全截面：,核数据及核数据库简介,核数据简介核数据通常可以分为两类：一是用于描述入射粒子(中子、质子、伽马等)与原子核相互作用性质的核反应数据。如全套中子反应数据、激发函数、裂变产额等等。二是描述单个核基本性质的核结构与放射性衰变数据。如能级纲图、衰变数据等等。,10/48,核反应数据还可以按其他方式进行分类：,全套数据：一个中子入射到一个靶核上，所有可能发生的核反应的各种数据（反应截面、角分布、能量分布、双微分截面等）,激发函数：核反应截面随能量变化的曲线，按入射粒子的不同，分为中子和带电粒子激发函数,裂变产额：核裂变过程中产生某种裂变产物核素的几率独立裂变产额：在裂变碎片发生任何或衰变之前，裂变核中产生某种特定核素的几率。累计裂变产额：裂变中直接和经过它的先驱核衰变产生某种特定核素的几率。裂变链产额：衰变链中最后一个稳定核素的累积裂变产额。,群常数：在特定的能量间隔内，对随能量连续变化的核参数（截面、角分布、能谱等）进行适当的加权平均后的核参数,核数据库：上述各类数据根据不同的应用目的集合,核数据产生（测量与评价）流程,世界五大通用核数据库,美国：ENDF:/日本：JENDL：http:/wwwndc.jaea.go.jp/index.html欧洲：JEFF：/中国：CENDL：/俄国：BROND：/,核数据检索：实验数据-EXFOR,/exfor/exfor00.htm,核数据检索：评价数据,/exfor/endf00.jsp,评价数据格式介绍,详细的参考资料可从NNDC或IAEA的NDS网站上找到。这里仅做入门式的介绍。,MF：文档号截面、角分布、能谱分布、双微分、产额、协方差等,MT：反应号总截面、弹性散射、非弹、裂变等,MF=1总体情况介绍包括作者、文档、评价工具及方法、参考文献及其他相关信息。,MF=3反应截面,MAT,MT=1，总截面,能量,截面,MAT,MF,MT,En,表示角分布的勒让得多项式系数,读取评价库格式数据的常用工具：NNDC，IAEANDS，CEA网站提供的工具（如前所述）IAEA提供的免费软件ENDVER（可索取免费光盘）,ENDVER界面,核数据的用途介绍,1、基础研究（1）：核反应模型发展,唯象理论，通过拟合实验数据获得一系列参数，如光学模型势参数等。,Whatisdarkmatter?2.Whatisdarkenergy?3.Howweretheheavyelementsfromirontouraniummade?4.Doneutrinoshavemass?5.Wheredoultra-energyparticlescomefrom?6.Isanewtheoryoflightandmatterneededtoexplainwhathappensatveryhighenergiesandtemperatures?7.Aretherenewstatesofmatteratultrahightemperaturesanddensities?8.Areprotonsunstable?9.Whatisgravity?10.Arethereadditionaldimensions?11.HowdidtheUniversebegin?theNationalResearchCouncilsCommitteeonPhysicsoftheUniverse,11physicsquestionsforthenewcentury,1、基础研究（2）：核天体物理,Fe,Co,Ni,Rb,Ga,Ge,Zn,Cu,Se,Br,As,Sr,Kr,(n,g),(b-),(b+),r-only,p-only,BeyondIronmainlyneutroninduced,Reifarth/GoetheU.,S-only,Unknown,Nucleardataneedsforthemains-process,Weneedtomeasure(n,g)crosssectionsbetween0.1and500keV.,Betteruncertainties(1-3%)S-onlynucleiNucleiwithsmallneutroncrosssection(aroundneutronmagicnumbers),Nr=Nsolar-Ns,2、核数据在核能领域的应用,中子单粒子效应,单粒子效应（又称单事件效应，Singleeventeffect）是指高能带电在电子器件的灵敏区内产生大量带电粒子的现象。当能量足够大的粒子射入集成电路时，由于电离效应，产生大量电离空穴一电子对，使逻辑器件和存储器状态产生软错误（单粒子翻转），CMOS器件产生单粒子闭锁（CMOS器件固有的寄生双极晶体管被触发导通，在电源和地之间存在一个低阻通路，产生大电流，导致电路无法正常工作，甚至烧毁），甚至出现单粒子永久损伤的现象。,重离子-粒子-质子-中子外太空-航空-地面1960-1970-1980,3、核数据在其他领域的应用,中子能谱,中子与Si等核的