可靠性试验标准(参考JEDEC)

试验项目试验项目 试验参数试验参数 循环湿热偏循环湿热偏 压寿命试验压寿命试验 试验时间 1008 (-24, +168)小时，相对湿度 90% to 98%。 本试验适用于非密封空封器件。 稳定湿热偏稳定湿热偏 压寿命试验压寿命试验 温度：852（干箱） ；81（湿箱） 相对湿度：855% 气压：7.12/49.1（psia/kPa） 试验时间：1000（-24，+168）小时 本试验适用于非密封器件。 加偏压要求最小功耗。 高速湿热寿高速湿热寿 命应力试验命应力试验 温度（干箱）温度（湿箱）相对湿度（%）气压（psia/kPa）试验时间 h 1302 124.7 85 5 33.3/230 96 (-0, +2) 110 2 105.2 85 5 7.7/122 264 (-0, +2) 本试验适用于非密封器件。 加偏压要求最小功耗。 本试验和温态湿热偏压寿命试验激发的失效机理相同。 可根据实际情况选择不加偏压。 高压水高压水 煮试验煮试验 温度（） 相对湿度（%） 气压（psia/kPa） 试验时间（h） A 24(-0,+2) B 48(-0,+2) C 96(-0,+5) 121 2 100% 29.7/205 D 168(-0,+5) E 240(-0,+8) F 336(-0,+8) 本试验适用于非密封器件。 典型试验时间 96h。 高温工作高温工作 寿命试验寿命试验 温度：125 试验时间：1000h 加最大偏压。 低温工作低温工作 寿命试验寿命试验 温度：-10 试验时间：240h 加最大偏压。 本试验适用于设计尺寸1 um的CMOS器件。 高温存高温存 储试验储试验 温度： A: +125(-0/+10) B: +150(-0/+10) C: +175(-0/+10) D: +200(-0/+10) E: +250(-0/+10) F: +300(-0/+10) G: +85(-0/+10) 典型条件温度 B 时间 1000 小时。 低温存低温存 储试验储试验 温度： A: -40(-10/+0) B: -55(-10/+0) C: -65 -10/+0) 典型条件温度 A 时间 168 小时。 温度循环温度循环 温度循环试验条件： 试验条件 Ts(min)() Ts(max)() A -55(+0,-10) +85(+10,-0) B -55(+0,-10) +125(+15,-0) C -65(+0,-10) +150(+15,-0) G -40(+0,-10) +125(+15,-0) H -55(+0,-10) +150(+15,-0) I -40(+0,-10) +115(+15,-0) J -0(+0,-10) +100(+15,-0) K -0(+0,-10) +125(+15,-0) L -55(+0,-10) +110(+15,-0) M -40(+0,-10) +150(+15,-0) N -40(+0,-10) +85(+10,-0) 浸透模式条件： 浸透模式 浸透时间（minutes） 1 1 2 5 3 10 4 15 试验频率和试验条件对应的浸透模式： 试验条件 循环/小时 浸透模式 A 23 1,2&3 B 23 1&2 C 2 1&2 G 12 1,2,3&4 H 2 1&2 I 12 1,2,3&4 J 13 1,2,3&4 K 13 1,2,3&4 L 13 1,2,3&4 M 13 1,2,3&4 N 13 1,2,&3 常用条件： -55(+0,-10) +125(+15,-0) 1000次 -65(+0,-10) +150(+15,-0) 500次 热冲击热冲击 试验条件 Ts(min)() Ts(max)() A -40(+0,-10) +85(+10,-0) B -0(+0,-10) +100(+10,-0) C -55(+0,-10) +125(+10,-0) D -65(+0,-10) +150(+10,-0) 高低温转换时间不超过 20 秒。 常用条件： -55(+0,-10) +125(+15,-0) 100次 -65(+0,-10) +150(+15,-0) 500 次 功率温功率温 度循环度循环 试验条件 端点温度 最大转换时间 最小停留时间 A -40(+0,-10)+85(+10,-0) 20 分钟 10 分钟 B -40(+0,-10)+125(+10,-0) 30 分钟 10 分钟 本试验适用于经受温度漂移和需要在任何温度下能够完成功率开关的器件。 预处理预处理 样品在进行稳定湿热偏压寿命试验， 高速湿热寿命应力， 试验高压水煮试验， 温度循环试验前做预处理。 可焊性可焊性 预处理条件 条件 预处理类型 持续时间 A 蒸气预处理 1h5min B 蒸气预处理 4h10min C 蒸气预处理 8h15min D 蒸气预处理 16h30min 150烘烤 16h30min 方法1：浸渍观察试验 助焊剂类型 ROL1 助焊剂沉浸时间 5 - 10 s 焊料类型 无铅 焊料温度 245 5 焊料沉浸时间 5 0.5 s 焊料沉浸拿出速率 1.00 0.25in/s (25.46.4mm/s) 方法2：SMD工艺模拟试验 封装类型 SMD 助焊剂类型 ROL0 焊料类型 SnAgCu 回流工艺 对流红外箱 蒸气 预热温度 160 180 预热时间 50 70 s 回流温度 230 245 230 245 回流时间 50 70 s 30 60 s 机械冲击机械冲击 试验条件 等价掉落高度 速度改变 加速度峰值 脉冲时间 inches/cm (in/s)/(cm/m) G ms H 59 / 150 214 / 543 2900 0.3 G 51 / 130 199 / 505 2000 0.4 B 44 / 112 184 / 467 1500 0.5 F 30 / 76.2 152 / 386 900 0.7 A 20 / 50.8 124 / 316 500 1.0 E 13 / 33.0 100 / 254 340 1.2 D 7 / 17.8 73.6