PN8038M datasheet 中文版

PN8038M Chipown Rev2017 锡芯朋微电股份有限公司 Rev.1703 2017年3 1 / 8 宽输出范围隔离交直流转换芯宽输出范围隔离交直流转换芯 概述概述 PN8038M集成PFM控制器及 650V 雪崩能智能功率MOSFET，于外围元器件极精简的功率隔离开关电源。 PN8038M内置650V压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯提供了完整的智能化保护功能，包括过流保 护，压保护，过温保护。另外PN8038M的降频调制技术有助于改善EMI特性。 应领域应领域 隔离辅助电源 封装封装/订购信息订购信息 产品特征产品特征 内置650V雪崩能智能功率MOSFET 内置压启动电路 优化适于12V输出隔离应 半封闭式稳态输出功率7.2W230VAC 改善EMI的降频调制技术 优异的负载调整率和作效率 全的保护功能 ?过流保护（OCP） ?过温保护（OTP） ?压保护（UVLO） 订购代码封装 PN8038MNSC-T1DIP-7 典型应典型应 M PN8038M Chipown Rev2017 锡芯朋微电股份有限公司 Rev.1703 2017年3 2 / 8 管脚定义管脚定义 管脚名管脚名管脚标号管脚标号管脚功能描述管脚功能描述 GND1、2地 NC3空脚(建议悬空) VDD4芯电源脚 NC5空脚(可接SW压脚) SW6、7压MOSFET漏极脚 典型功率典型功率 产品型号产品型号输电压输电压稳态功率稳态功率(1)峰值功率峰值功率(2) 150-265VAC7.2W(12V600mA)9.6W(12V800mA) PN8038M 85-265VAC6.0W(12V500mA)8.4W(12V700mA) 备注： 1.稳态功率在半封闭式75环境下测试 (Buck/Buck-boost应)，持续时间于2时。 2.峰值功率在半封闭式75环境下测试 (Buck/Buck-boost应)，持续时间于1min。 功能框图功能框图 20V PN8038M PN8038M Chipown Rev2017 锡芯朋微电股份有限公司 Rev.1703 2017年3 3 / 8 极限作范围极限作范围 VDD 脚耐压.-0.340V SW 脚耐压.-0.3650V 结作温度范围厖.-40150 存储温度范围.-55150 管脚焊接温度（10秒） .260 封装热阻（DIP-7）.40/W 体模式 ESD 能(1)（HBM） .4kV 空模式ESD 能(2).8kV 漏极脉冲电流 pulse=100us） .5A 备注：1.产品委托第三严格按照芯级ESD标准(ESDA/JEDECJDS-001-2014)中的测试式和流程进测试。 2. 此项测试条件为静电测试仪对芯引脚直接放电，企业内部标准，结果仅供参考。 电特性电特性 (TA=25,除另有说明) 参数参数 符号符号 条件条件 最值最值典型值典型值最值最值单位单位 功率部分功率部分 功率管耐压BVDSSISW=250uA650690 关态漏电流IOFFVsw=500V100 A 导通电阻RDS(on)ISW=1A,TJ=25?C 2.0 压启动电压VSW_STARTVDD=VDDon-1V30 VDD电压部分电压部分 作电压范围VDDAfterturn-on1020V VDD启动阈值电压VDDon10.511.512.5V VDD压保护阈值电压VDDoff8.09.010.0 V VDD回差VDDhys2.5 VDD钳位保护电压VDDclamp182022 V VDD反馈基准电压VDD-REF12.3 VDD电流部分电流部分 启动管充电电流IDDchVsw=105V,VDD=10V - 2 mA 静态电流IDD0VDD=6V0.30.60.9 mA 作电流IDD1V DD=13V 1 .2 mA 保护状态时芯电流IDDFAULTVDD11V 1 mA 内部电流检测内部电流检测 尖峰电流限流值Ilimit1.481.651.82A 过流检测前沿消隐时间TLEB300ns 反馈输反馈输 最关断时间Toffmin182022 s 最开启时间Tonmax13 s 过温保护过温保护 过温保护温度TSD135150 过温保护回差THYST30 重启保护重启保护 异常重启时间TRESTARTCVDD=4.7F （T V V V V 3S PN8038M Chipown Rev2017 锡芯朋微电股份有限公司 Rev.1703 2017年3 4 / 8 特性曲线特性曲线 -50-250255075100125150 0 0 1 2 3 4 5 RDS(on)() JunctionTemperture() -50-250255075100125150 600 650 700 750 800 BVDSS(V) JunctionTemperture() (a)RDS(on)vsTj(b) BVDSSvsTj -50-250255075100125150 11.0 11.5 12.0 12.5 13.0 13.5 VDD-REF(V) JunctionTemperture() -50-250255075100125150 17 18 19 20 21 22 23 TOFFMIN(us) JunctionTemperture() (c)VREFvsTj(d) ToffminvsTj -50-250255075100125150 10.0 10.5 11.0 11.5 12.0 12.5 13.0 VDDON(V) JunctionTemperture() -50-250255075100125150 8.0 8.5 9.0 9.5 10.0 VDDOFF(V) JunctionTemperture() (e)VDDonvsTj (f)VDDoffvsTj Pn8038M Chipown Rev2017 锡芯朋微电股份有限公司 Rev.1703 2017年3 5 / 8 功能描述功能描述 PN8038M集成PFM控制器及650V 雪崩能智 能功率MOSFET，于外围元器件极精简的功率 隔离开关电源。 PN8038M内置650V压启动模块， 实现系统快速启动、超低待机功能。该芯提供了 完整的智能化保护功能， 包括过流保护， 压保护， 过温保护。另外PN8038M的降频调制技术有助于改 善EMI特性。 1.压启动压启动 2mA电流对 外部VDD电容进充电；当VDD电压达到VDD， ON 芯开始作，压启动管停对VDD电容充电。 启动过程结束后，输出通过隔离极管对VDD电 容提供能量，供芯继续作。 2.恒压作模式恒压作模式 芯通过VDD管脚对输出进电压采样， VDD电压经过内部分压电阻分压得到采样电压 VRF。当VRF低于内部基准电压V，芯开启集成 REF 的压功率管，对储能电感充电，当电感电流达到 内部基准电流I，芯关闭集成的压功率管， PEAK 由系统极管对储能电感续流。图2-1 和图2-2 分别 给出连续模式（CCM）和连续模式（DCM）下 系统关键节点作波形。同时芯集成负载补偿功 能，可以提恒压精度，实现较好的负载调整率。 DMOS DIODE Iout IL Ipeak Vout VRF VREF 图1-1连续模式下作波形 图1-2连续模式下作波形 实际应中VDD对输出的电压采样还受到隔 离 极 管 影 响 ， 因 此 芯 VDD-REF 设 置 为 12.3V(TYP)，以抵消隔离极管上的压降。 3.PFM 调制调制 芯作在PFM模式，同时内部设置IPEAK随 芯作频率FSW降低降低，芯开关周期每增 1us， Ipeak降低约27.9mA 。由于芯内置采样， 最 Ipeak 固定，当输出电压和输出电流固定时， 电感感量是唯调制作频率的参数。建议电感量 为0.6mH(EE-16),如果感量过，系统带载能会 偏，如果感量过，容易造成电感饱和，影响可 靠性。 4.软启动软启动 为了避免隔离系统启动阶段因进深度 CCM模式，带来较电流尖峰，PN8038M设置软启 动功能，通过限制Toffmin降低启动阶段的开关频 率。同时芯设计较的LEB时间（300ns）,以降 低LEB时间内能量， 避免系统启动时的电流 尖峰。 5.智能保护功能智能保护功能 PN8038M集成全的保护功能，包括：过温保 护、VDD压保护功能，并且这些保护具有恢 复模式。 过温保护-当芯结温超过150，芯进 过温保护状态，输出关闭，当芯结温低于120 度，芯重新启动。 VDD压保护-当芯VDD电压低于 VDDoff，芯重新启动。芯异常恢复的时间通 过VDD电容调整，VDD电容越，恢复时间越 长。 在启动阶段，内部压启动管提供 Pn8038M Chipown Rev2017 锡芯朋微电股份有限公司 Rev.1703 2017年3 6 / 8 典型应电路典型应电路 外围参数选择参考外围参数选择参考 为了更好体现 PN8038M的性能，请务必遵守以下规则： 1.为通过 2KV 以上的差模雷击，建议增加极管 D21N4007。 2.VDD 电容 EC3 应放置在距离 VDD 引脚和 GND 引脚最近的地。 M PN8038M Chipown Rev2017 锡芯朋微电股份有限公司 Rev.1703 2017年3 7 / 8 封装信息封装信息 DIP-7 封装外形及尺封装外形及尺 尺尺 符号符号 最最(mm) 中间值中间值 (mm) 最最(mm) 尺尺 符号符号 最最v 中间值中间值 (mm) 最最(mm) A3.603.804.00c10.240.250.26 A10.51-D9.059.259.45 A23.003.303.40E16.156.356.55 b0.44-0.53eA7.62BSC b10.430.460.48eB7.62-9.30 B11.52BSCeC0-0.84 c0.25-0.31L3.00- 表层丝印封装 PN8038M YWWXXXXX DIP-7 备注：Y：年份代码； WW：周代码； XXXXX：内部代码 备注: 1. 此制图可以不经通知进调整; 2. 器件本体尺不含模具飞边；