二次电源常用器件介绍

二次电源常用器件介绍,二次电源开发部王丽,二次电源常用器件,二次电源常用IC二次电源常用MOSFET二次电源常用二极管二次电源常用三极管二次电源常用电容二次电源常用电阻二次电源器件选型指导,二次电源常用器件,一、二次电源常用电路图（典型单端正激电路）,二次电源常用器件,二、二次电源料本构成（以AVE150-48S03为例）,二次电源常用器件,二次电源常用IC二次电源常用MOSFET二次电源常用二极管二次电源常用三极管二次电源常用电容二次电源常用电阻二次电源器件选型指导,二次电源常用IC介绍,一、PWM控制芯片(隔离模块)1、39110096PWM控制芯片-3843-PWM控制芯片-可调整-SO82、39110302PWM控制器-ISL6843-电流型-单端输出-SO8-有铅工艺-BiCMOS工艺3、39110189PWM控制芯片-38C43-PWM控制芯片-可调整-SOIC84、39110309PWM控制器-LM5025A-电压型-有源嵌位输出-TSSOP165、39110314PWM控制器-LM5034-电流型-双路有源嵌位输出-TSSOP20-ROHS-多功能集成,二次电源常用IC介绍,一、PWM控制芯片(非隔离模块)6、39110225PWM控制芯片-SP6120EY-同步BUCK型控制器-TSSOP16（注：AVN20B降压系列使用）7、39110246PWM控制芯片-MIC2185BM-同步BOOST型控制器-SOIC16（注：AVN20B升压使用）二次电源PWM芯片选用发展趋势：高速、低功耗；功能强大集成度更高，尽量减少模块外围器件数量，提高电源的功率密度。为了实现向外部通讯等功能，也有向数字化方向发展的趋势。,二次电源常用IC介绍,二、基准.1.24V基准系列1.39110272电压基准源-AZ431L-分流可调型-1.24V-0.5%-SOT-23-18Vmax-0.1mAmin2.39110252电压基准源-HA17L431A-可调基准-1.24V-1%-16Vmax-1mAmin-SOT23-53.39110217电压基准源-LM4041-固定基准-1.225V-0.5%-SOT-234.39110154电压基准源-HA17L431-可调基准-1.24V-1.5%-SOT-89（MD）,二次电源常用IC介绍,二、基准.2.5V基准系列1、39110268电压基准源-HA17431H-分流可调型-2.5V-1%-SOT-23-36Vmax-1mAmin2、39110224电压基准源-SPX2431-可调基准-2.5V-1%-SOT-233、39110251电压基准源-SPX431B-可调基准-2.5V-1%-37Vmax-1mAmin-SOT-894、39110097电压基准源-HA17431-可调基准-2.5V-3%-SOT-89(MD)二次电源基准选用发展趋势：高精度、小封装、低功耗。,二次电源常用IC介绍,三、运放1、39080072运算放大器-LM2904DGKR-双-通用运放-7mV-0.7MHz-0.3V/us-VSSOP82、39080058运算放大器-TS321I-单运放-SOT23-53、39080026运算放大器-MC33172D-低功率单电源双运算放大器-SO-84、39080011运放-LM358-低噪声双运放-SOIC8(Tape)5、39080003运算放大器-LM324D-四运放-SOP14二次电源运放选用发展趋势：低功耗、小封装，随着开关电源频率的增大，要求运放响应速率快和频带宽。,二次电源常用IC介绍,四、光耦1、39100025光耦-单路-三极管输出无基极-CTR100300-tp2/3S-3750Vac-SOP42、39100056光耦-双路-三极管输出无基极-CTR100200-tp5/4uS-2500Vac-SOP83、39100068光耦-PS2801-单路-三极管输出无基极-CTR150300-tp3S-tp5S-2500-HSO4-UL-无二次电源光耦选用趋势：响应速度快、小封装，为了设计方便，尽量减少光耦的光电传输比的范围。,二次电源常用IC介绍,五、IC常用封装知识,SOP-16,SOT-89,TSSOP-20,SOP-8,TSOP6,SOT-23,SC-70,SOT-23-5,Micro8,Time,二次电源常用IC介绍,六、IC解剖内部（以MIC38C43为例）,二次电源常用器件,二次电源常用IC二次电源常用MOSFET二次电源常用二极管二次电源常用三极管二次电源常用电容二次电源常用电阻二次电源器件选型指导,二次电源常用MOSFET介绍,一、原边MOS管介绍1、15060175绝缘栅场效应管-N沟道-150V-6.7A-0.050-20V-PowerPAKSO-8-ROHS2、15060088场效应管-200V/18A/0.15/20V/D2PAK3、15060045场效应管-200V/7A/0.40/30V/TO-252(DPAK)4、15060116场效应管-200V/20A/130m/20V/DPAK5、15060146绝缘栅场效应管-N沟道-200V-4ATc=25-0.065typ.Vgs=10V-20V-SO-8二次电源MOSFET的选用趋势：1、低的导通电阻R(vds)on和栅极电荷Qg,综合考虑两者的影响。2、小封装，散热效果好，低功耗，高可靠性。,二次电源常用MOSFET介绍,二、副边MOS管介绍1、15060184绝缘栅场效应管-N沟道-30V-50A-2.2m-20V-P-TDSON-82、15060177绝缘栅场效应管-N沟道-30V-40A-4.2m-20V-WPAK3、15060105场效应管/30V/140A/6m/16V-D2PAK4、15060114场效应管/30V/13A/8m/20V/SO-85、15060122场效应管-30V-15A-4m-20V-SO-86、15060128场效应管/30V/13A/8.5m/25V/SO-8,二次电源常用MOSFET介绍,三、MOS管封装介绍,D2PAK,DPAK,SO-8,LFPAK,SMB,SMA,SOT-89,SOT-23,SC75,Time,二次电源常用IC介绍,六、MOSFET解剖内部图（以AVQ100中PSMN130-200D为例）,二次电源常用器件,二次电源常用IC二次电源常用MOSFET二次电源常用二极管二次电源常用三极管二次电源常用电容二次电源常用电阻二次电源器件选型指导,二次电源常用二极管介绍,一、功率二级管1.15010217肖特基二极管-100V-2*6A-0.65V-DPAK2.15010185肖特基二极管-35V/25A/0.55V-D2PAK3.15010183肖特基二极管-100V/2*10A/0.64V-D2PAK4.15010182二极管-35V/2*5A/0.41V/125-DPAK,二次电源功率二极管的选用趋势：1、由于二次电源输出电压不断下降，目前多使用同步整流技术，功率二极管的使用多出现在一些高压输出的产品中，所以应用范围较窄。2、小封装，散热效果好，通态压降低。,二次电源常用二极管介绍,二、信号二极管1、15010231开关二极管-70V/0.2A/4nS/SOT323/共阴-ROHS2、15010151开关二极管-200V/2*125mA/1.00V/50ns/并联-SOT1433、15010040开关二极管/70V/0.2A/6ns/共阳/SOT-234、15010041开关二极管-70V/0.2A/6nS/SOT-23/共阴5、15010042开关二极管/70V/0.2A/4ns/SOT-23二次电源二极管和三极管的选用趋势：1、此类器件不断地向高性能方向发展，包括大电流，低损耗，高增益，宽频率响应，低热阻。2、由小封装向微封装方向过渡。,二次电源常用三极管介绍,一、信号三极管1.15050026NPN三极管-40V/0.6A/350mW/SOT-232.15050072PNP三极管/40V/600mA/0.35W/SOT-233.15050099NPN三极管/20V/2.5A/625mW/SOT-23(MD)4.15050100PNP三极管/20V/1.5A/625mW/SOT-23(MD)5.15050142NPN三极管/40V/1A/300mW/SOT236.15050144PNP三极管/40V/1A/300mW/SOT237.15050098NPN三极管/80V/1A/1W/SOT-898.15050141PNP三极管/80V/1A/1W/SOT-89,二次电源常用器件,二次电源常用IC二次电源常用MOSFET二次电源常用二极管二次电源常用三极管二次电源常用电容二次电源常用电阻二次电源器件选型指导,二次电源常用电容介绍,一、瓷片电容I高压电容：用于隔离和输入1、08070439片状电容器-2KV-1000pF20%-X7R-1206-高压电容2、08070437片状电容器-2KV-3300pF10%-X7R-1812-高压电容3、08070580片状陶瓷电容器-100V-1u-10%-X7R-1210-4、08070438片状电容-100V-0.68uF10%-X7R-18125、08070511片状陶瓷电容器-100V-0.47uF-10%-X7R-1210-ROHS二次电源电容发展趋势：高压电容方面，目前我司正在逐步淘汰大尺寸瓷片电容如1812，向小尺寸如1210、1206转移，原因是1812电容在成本和质量两方面都存在问题。,二次电源常用电容介绍,一、瓷片电容II低压电容：用于输出滤波1、08070584片状陶瓷电容器-25V-10uF-10%-X7R-1210-ROHS2、08070422片状电容器-25V-10F10%-X5R-1812-ROHS3、08070590片状陶瓷电容器-16V-10uF-10%-X7R-1210-ROHS4、08070613片状陶瓷电容器-10V-22uF-20%-X7R-1210-ROHS-5、08070585片状陶瓷电容器-10V-10uF-10%-X7R-1206-ROHS6、08070601片状陶瓷电容器-6.3V-100uF-20%-X6S-1210-二次电源电容发展趋势：瓷片电容特点是精度高；温度、耐压特性好。缺点是容量很难做大，大部分应用需要多个并联试用。目前业界不断在往大容量方面发展。,二次电源常用电容介绍,二、钽电容1、08020083片状钽电容器-10V-220F20%-7.3*4.3*3.1-LowESR2、08020085片状钽电容器-6.3V-220F20%-7.3*4.3*2.8-LowESR3、08020070片状钽电容器-25V-33F20%-7.3*4.3*4.0(2.8)-LowESR4、08020087片状钽电容-35V-33uF20%-7.3*4.3*4.1-低ESR5、08020093钽电容器-4V-330F-20%-高分子-7.3*4.3*2.8(mm)-40m6、08020084钽电容器-2.5V-470uF-20%-有机聚合物-7.3*4.3*3.0-40m二次电源电容发展趋势：坦电容的特点是ESR小，容量大。近期还有有机高分子固体铝电容出现，可以提供更小的ESR，更加优良的性能。,二次电源常用电阻介绍,一、特殊用途电阻1、07090691片状电阻器-1W-5.6m1%-2512(分流器）2、07091014片状厚膜电阻器-1W-10m-1%-25123、07050021热敏电阻-47k5%-NTC-0805,分流器主要用于副边电流检测，在现有的二次电源产品中应用不广泛。目前我们主要进行的是原边电流检测。对于热敏电阻，在二次电源常用产品中应用广泛，但在数字保护芯片PIC12F675使用后，将逐步被替代。,二次电源常用电阻介绍,二、普通电阻1、07090581片状电阻器-1/10W-3301%-08052、07090362片状电阻器-1/10W-751%-08053、07090257片状电阻器-1/16W-100k5%-06034、07090275片状电阻器-1/10W-4705%-06035、07090980片状厚膜电阻器-1/16W-1K1%-0402二次电源电阻发展趋势：小封装(由0603逐步过渡到0402），精度高，品种齐全。,二次电源常用器件,二次电源常用IC二次电源常用MOSFET二次电源常用二极管二次电源常用三极管二次电源常用电容二次电源常用电阻二次电源器件选型指导,二次电源器件选型指导,一、器件降额应用原则降额应用可以降低器件的失效率，提高产品可靠性例如：钽电容如果电压降额50使用，失效率将下降150倍！铝电解电容温度每升高10，寿命将缩短一半！半导体器件结温每升高4050，寿命将下降一个数量级！1、器件使用时要注意降额，但同时注意降额要适度，否则会引起成本的增加。2、结温降额是各类器件降额的重点。3、注意分析器件在异常状态下的降额状态。,二次电源器件选型指导,二、器件替代原则1、器件替代原因：引入竞争，降低采购成本。引入第二供应商，降低采购风险。2、对通用器件，在电路设计时尽量减小