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文档简介

.,简单NMOS和CMOS器件平面工艺,.,复习：工艺流程图,晶片准备,平面工艺,封装测试,.,硅片的类型标志,.,微电子制造工艺的主要内容,衬底制备单晶生长；晶片的切、磨、抛；薄膜技术氧化、外延、蒸发；掺杂技术扩散、离子注入；图形加工制版、光刻（曝光、腐蚀）热处理退火、烧结、去除光刻胶,.,简单NMOS和CMOS器件平面工艺,.,SimpleNMOSTechnology,Nchannel4-mask1metallayer,.,单晶硅,掩膜版,.,.,Note!,.,.,0.55:0.45,.,.,.,.,.,.,.,noteselfalignment,.,.,?,.,.,.,.,.,SimpleCMOSTechnology,4-Metal12-Polysilicon3-Diffusions1-Tub(N-well),.,CMOSInverter,cutline,.,N-wellMask,.,ActiveMask,.,PolyMask,.,N+SelectMask,.,P+SelectMask,.,ContactMask,.,MetalMask,.,OtherCutawayViews,SiO2,剖面图,.,.,ULSI技术中较为典型的双阱CMOS工艺制造的CMOS集成电路的一部分,标准埋层双极集成电路工艺制造的集成电路的一部分,外延、氧化、扩散、离子注入、气相淀积、光刻腐蚀以及金属化等工艺,总结一下：,.,现代工艺概要,.,双阱工艺,氮化物,.,隔离槽技术STI（shallowtrenchisolation）,USG：外层二氧化硅，防止吸潮，抗氧化,氧化物平坦化,槽刻蚀,氧化物填充,.,SOI工艺,埋层SiO2,.,多层技术化及焊球制备,SOD：旋凃绝缘介质,.,多芯片模组技术MCM,.,当前热点,SoC-SystemonaChip系统芯片技术MEMS-MicroElectroMechani
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