项目参考4-TRX降低返修率.ppt

6黑带项目-降低TRX维修率，解决TRX发布问题，演讲者：XX，日期：2020年6月10日，修订版：1.0版，项目经验，无16sigma必须自上而下推进，没有您的领导支持，不要尝试做6sigma！26西格玛需要有足够的信心和勇气来迎接挑战！确定CTQ，外部客户VOC:为什么你的基站总是崩溃？这太过分了。我们有太多的抱怨要回答！而一个失败是一个很大的领域，严重影响我们用户的满意度，造成我们用户的巨大损失，你必须赔偿我们的损失！针对内部客户的挥发性有机化合物服装：TRX版本的丢弃是一个常见的问题。后台查询版本是555，我们都麻木了。我们不知道为什么。有时候改变它更好。你们中的一些人也反馈说在复试中没有错误。领导：TRX已经通过了几轮检查和故障分析，但版本下降仍时有发生。布吉生产也有版本下降。我希望借此机会总结大多数TRX问题，解决大多数版本丢弃问题。从2005年4月到6月，TRX单板的长期收益率仍然很高，并且该单板的出货量非常大。作为TOP5单板，部门和部门的压力非常大.-从CDMA工程返修图表分析月报200506，1。确认CTQ.-从下图可以看出，经过几次大的修改后，单板的初始收益率和年收益率仍然很高.-从CDMA工程返修图表分析月报200507，1。确认ctq.事业部修复单板的正常复试率较高.-从CDMA工程返修图表分析月报200507，1。确定CTQ，从7月份生产部维修组维修报告开始，TRX修复单板不能检测的故障率大于35%，其中MTRX大于60%，不能检测的正常复试率相当，正常复试中再次闪光燃烧后的正常率很大，二次修复次数增加，这三个比率有一定的联系。1。确定临界质量，1。确定CTQ，将TRX重烧闪存的正常失败率降低到目前的三分之一水平，即单板失败率从最初的4.83%(第一年)40/151=1.28%，降低到三分之一以内或1.28% 1/3=0.43%，预计财政收入为167万元。1.28%，2005/12，2。项目启动(1)，批准，团队，时间点，3。SIPOC、康迅设计开发部、国内外市场服务人员、器件板设计文件、康迅生产的TRX板、改良的TRX板、布机试验、老化、S、I、P、O、C、要求、测量指标、交货和运输等。项目描述)1问题陈述)2004年8月至2005年7月的统计数据显示，TRX版本的故障率平均为1.92%。2声明自2005年12月以来，目标已降至原来水平的1/3以下。定义阶段总结，客户：生产、开发、市场、服务部CTQ:TRX版本失败率降至0.43%以下，团队成员，项目范围，本项目涉及：设计来料加工，项目进度计划的定义阶段：2005年8月5日至2005年8月20日的测量阶段；2005年8月20日至2005年8月31日的分析阶段；从2005年9月7日到2005年9月23日的改进阶段；控制阶段从2005年9月23日至2005年9月30日。主办单位：黑带：项目负责人：鸟泉财务确认：郑、张项目负责人黑带指导老师廖辉项目计划制定与实施资源配置、技术支持曾洪项目计划制定与实施王布什项目计划制定与实施数据采集崔卓资源配置、技术支持郑小敏项目计划制定与实施、测量、4。根据墨菲定律：有缺陷的机会，它肯定会发生，关键就在那里。在不在办公室和生产调试线上，不在办公室的故障将减少到原来水平的1/3，而不在办公室的故障原因很难测量和收集，这可以转换成将生产发现的不在办公室的模块减少到原来水平的1/3！Y项目，Y95%没有问题。重复性95%，kappa0.7，没问题。该项目的数据收集计划和MSA的检查员准确率为95%，kappa为0.7%，计算错误率在5%以内，6。与真实值kappa0.7相比，项目的数据收集计划和MSA的检查值为95%根据以上分析结果，该测量系统合格可用。7.Y项目数据，Y项目2004年11月至2005年9月数据，8。Y项目的过程能力，长期过程能力：2.47。结论：处理能力很低！DPU=D/U=47/6921=0.006790926 DPMO=D/U * 1000000=6790.926167，9。Y项目的改进目标，Y项目的改进目标：提高至少一个西格玛水平，M阶段总结，确定Y项目的绩效指标以确定Y项目，分析Y项目的测量系统，测量系统的过程能力分析(2.47西格玛)为Y数据的合格收集提出Y、分析和10的改进目标(3.47西格玛)。10.1.1单板机原理框图，图1RFS结构图，码分多址数字蜂窝移动通信系统(BSS)分为两大部分：基站控制器BSC和基站收发信机BTS。基站分为TFS时钟子系统、基带数字子系统和射频子系统。射频系统由射频控制模块(RFCM)、射频收发器(TRX)、射频前端(RFE)、高功率放大器(HPA)、基站测试模块(BTM)、功率放大器电源模块(PPM)和天线馈电系统组成。结构图如左图10所示。整理所有的10.1.2单板原理框图，以及图2RCM组成框图。RFCM和TRX物理上位于同一个TRX腔中，在BTRX背板上工作。RFCM通过数字帧中的射频接口模块(RFIM)完成与CCM的数据和信令交互。RFCM与TRX的发射、接收(主、分集)、输入、q、FS板相连，完成频率分配、正向和反向模拟信号传输以及增益控制等功能。RFCM和RFE同时联动，完成报警采集功能。10。整理所有的X，10.2版本的故障性能类型，故障现象1:工程修复“未检测到”，重测正常，或芯片重烧后正常。故障现象2:生产中发现版本，版本信息读取555。对于这两种故障，我们的项目组邀请了硬件专家、TRX软件专家、信号完整性专家和前RFCM同事进行头脑风暴。10.整理所有的X，10.3.1头脑风暴，a:单板内部SI引起的芯片擦除，可能的情况：a)单片机工作时钟信号质量问题；(b)读写单片机的时间；c)时钟抖动对电路的影响；d)逻辑解码时钟(33.3M)信号的信号完整性分析，以及可能出现的问题，如地址解码或由异常引起的数据读取异常；e)逻辑输出解码信号不好；f)外围总线信号的总线冲突；g)逻辑和单片机系统的电压不稳定性对最小系统的影响；h)喂狗和复位电路的可靠性；I)当单片机掉电时，当单片机没有掉线时，单片机进入异常状态，芯片被擦除；j)16芯片时钟和PP2S抖动效应；外部电磁场干扰和辐射效应.10.整理所有的X，10.3.1头脑风暴，b:在单板中飞行的单片机程序导致芯片的错误擦除和写入，可能：a)运行到不响应HIRS帧命令的程序段；b)进入调试模式，版本被擦除；c)软件飞行；d)读取内存错误，导致程序异常.c:由于链路原因芯片被擦除，可能的情况：a)时钟信号质量问题；来自b)RFIM的数据信号质量问题；c)来自CCM的错误命令，重新下载版本.10。对所有x，10.4鱼骨图进行排序。由于头脑风暴的原因太多，隶属关系也不清楚，要核实每个原因需要很多时间。我们需要一张鱼骨图。10.整理所有的X，10.5FMEA，因为每一个理由验证，都会浪费很多资源，我们需要FMEA，首先初步筛选KPIV。结论通过FMEA，我们计划分析六种潜在的KPIV病：用单片机读写随机存储器的时序；单片机读写闪存时序；电力供需的影响；级别不匹配；闪光灯不好；温度效应。11.确定几个重要的X和11.1.1继续筛选从6 KPIV读写随机存储器的时序，包括数据总线、地址总线、随机存储器_CE、245_OE、WR、RD和其他信号；单片机读写FLASH的时序包括数据总线、地址总线、WR、RD、FLASH_CE、WRI_EN等信号。如果每个信号都被设计成一个因素，即使只取两个水平，那么实验的数量将会是惊人的。我该怎么办？11.确定少量重要的X和11.1.2从6 KPIV继续筛选，并采用近似工程方法：选择一个好的模块和一个有故障的模块在读写闪存和内存的4个时序中进行测试。如果好模块和坏模块的时序没有不同，都满足要求，并且裕量大，时序可以认为不是一个关键因素；如果某个信号的裕量很关键，或者好模块和坏模块之间的定时差很大，那么相应的定时将被视为关键因素！同样，测试两个模块的通电和断电波形！11.确定几个重要的X，11.1.3测量的时间序列波形图，11。确定几个重要的X，11.1.4测试过的道具和结论。结论：读写闪存和随机存储器的四个时序符合要求。好模块和坏模块之间没有明显的区别，并且利润非常大。这可以被认为不是一个关键因素！同样，排除功率因数！11.确定几个重要的X，11.2.1DOE，并确定剩余的KPIV: 1级；2.闪光；3.温度。DOE设计：因素1:输入电压分为3级：高电压(6.5V)、低电压(4.5V)和正常电压(5V)；因素2:从工程维修中提取5个闪存，从整机维修中提取5个闪存，从生产线中提取5个闪存，共3个级别。因素3:温度。由于高低温箱资源短缺，只能使用常温和高温。-关于6sigma，谁说如果设备简单简陋，问题就无法解决！因素4:对5个闪存块进行编号对于更大的样本容量以及测试和数据填充的便利性没有实际意义。需要对芯片进行100次读写，并计算错误数量。-将分散的数据转换为连续的数据。虽然吹风机很小，但它对我帮助很大！11岁。11.2.2确定几个重要的X的实验数据并进行分析，误差数不服从正态分布采用多总体非参数检验克鲁斯卡-沃利斯检验，11。11.2.3实验数据分析，确定几个重要的X，主要影响图，交互图，芯片类型对读写错误的数量有很大影响，其他影响不大！互动非常小！11岁。11.2.4实验结果的分析，H0:在芯片类型对实验结果的贡献方面没有显著的差异，P0.05，原始假设不能被拒绝。MINITAB计算结果如下：Kruskal-WallsTest :读取100伏电压输入时的错误数Kruskal-WallsTest读取100伏电压输入时的错误数Nmedianaaverinkz 4.5V 306 . 00046 . 10 . 165 . 0V 303 . 50044 . 8-0 . 196 . 5V 303 . 00045 . 60.03整体9045.5h=0.04df11.2.6对实验结果的分析，H0:温度输入对实验结果的贡献没有显著差异0.05，无法拒绝原始假设，MINITAB计算结果如下：Kruskal-WallsTest :读数误差数100与温度Kruskal-WallsTest读数误差数100温度NMedianAveRankZ正常温度453.00045.3-0.07高温454.00045.00000005942h=0.01df=1p=0.938(调整后的40度)，11。11.3.1确定几个重要的X，并与制造商确认，并于2002年9月9日与制造商的技术人员沟通，地址为：713三楼，主持人：张，于2002年9月13日与制造商的技术人员沟通，主持人：张。最初，制造商否认这是芯片的原因，认为这是我们的应用环境问题，即闪存中某些引脚的电平不符合推荐要求。我们展示了我们的DOE结果，并确认了与电压的关系非常小。制造商承认芯片设计中存在问题，这是由。33流程到。26流程。11岁。确定几个重要的X，11.3.2，并与制造商GlitchisFoundDuringRead确认。FailureRateIsinLowppmLevel，Read00，Readff，11。确定几个重要的X，11.3.3，并与制造商确认。这里是显示灵敏度电路和实际范围的高级blockdiagram。circuitchangeinthecolumndecoderdrivercircuitseliminates ethenoseglitche Sseen .11岁。确定几个重要的X，11.3.4，并与制造商确认。在A阶段总结，通过头脑风暴法、鱼骨图法、工程逼近法、将离散数据转换成连续数据的方法、FMEA法、DOE法、假设检验法，确定影响Y的主要因素有：闪存芯片、改进法和13。提出的解决方案是从以下几个方面进行改进：在RFCM版本中，增加电平转换器件，使单片机等器件的5V电平不能直接加到闪存的引脚上，提高器件应用的可靠性；根据目前SST公司有缺陷的芯片，在燃烧组做筛选；通过分析和验证，向其他制造商寻求替代模型；敦促制造商改进设计，消除缺陷，并尽快向我们提供样品进行验证；14.实验解决方案14。实验解决方案14。实验方案14.1作为临时方案，10月底交付的RFCM烧芯片增加了检查措施，发现3个芯片异常。这批总共有450个芯片被跟踪。生产线上未发现RFCM单板异常。短期Y的短期指数提高到0%。我们相信解决方案是有效的！一期总结，改进方案