第二章三极管要点.ppt

晶体管基础，晶体管，学习要求：1。掌握晶体管的结构特点和类型。2.掌握三极管的电流分布。3.了解并掌握三极管的放大条件。要点：三化物的结构特征和扩增条件。半导体三极管也叫晶体管(三极管)，俗称晶体管，或双极晶体管。它是一种通过一定的制造工艺将两个PN结结合在一起的器件，两个PN结相互作用使三极管成为一个具有控制电流功能的半导体器件。晶体管可以用来放大微弱信号，也可以作为非接触开关。二极管和三极管的结构与二极管的结构比较：结型三极管有33，360个电极区，一、二、二、二结和三个电极区，介绍，发射极结、集电极结、集电极区、基极区、发射极区，NPN三极管的结构和符号，发射极结、集电极结、集电极区、基极区、发射极区，PNP三极管的结构和符号，工艺特性，工艺特性。三极管具有电流放大功能是其内部条件。基区较薄，掺杂浓度较低，集电极区较大，发射极区较大，掺杂浓度较高，三极管的结构特点，三极管的类型按半导体材料分类：硅三极管锗三极管，按功率分类：小功率管中功率管高功率管，按工作频率分类：低频管高频管超高频管，按应用分类：放大器管开关管，按结构和工艺分类：合金管扁管，想想看，1。两个二极管可以组合成三极管吗？为什么？2.三极管的集电极C和发射极E可以切换吗？为什么？3.三极管的内部结构必须具备哪三个特征？三极管的放大原理和电流分布，为了实现三极管的电流放大效果，除了满足内部结构特性外，还必须对三极管的每个电极施加正确的电压。三极管放大的外部条件是直流电压(正偏压)必须施加到发射极结，反向电压(反向偏压)必须施加到集电极结。其值应大于发射极结的死区电压。也就是说，发射极结正向偏置，集电极结反向偏置。三极管放大时各极电位的关系，利用三极管放大发射结的正偏置、集电极的反向偏置特性，VCVBVE、VCIB以及集成电路和IB的比值大致相等。结论是，当基极电流有轻微变化时，它会引起集电极电流的较大变化。集电极电流和基极电流之间的乘幂关系称为直流放大系数(无单位)。=IC/IBIC=IB，集电极电流变化和基极电流变化率称为交流放大系数。=IC/IB，一般认为，电路中 、三极管有三种连接方式，三极管有三种连接方式：共发射极连接、共基极连接和共集电极连接。公共极是电路的公共端。共发射极、共基极、共集电极、1。相同的通电原理要使三极管正常放大，必须发射结正向偏置，集电极结反向偏置。2.目前各级的分配规律都是一样的。三极管的连接方式不同，三极管的内部结构没有改变。目前的关系仍然存在：工业工程=集成电路IBIC=IB3。电流的实际方向不会因不同的连接方式而改变。三极管电流放大原理，由于基极电流IB的变化，使集电极电流IC发生较大变化。也就是说，基极电流IB的小变化控制集电极IC的大变化，这是三极管的电流放大原理。三极管放大的电流集成电路是由电源提供的，而不是集成电路。可以看出，这是用小电流控制大电流的功能。它并没有真正把IB放大成IC，而是根据IB的变化规律，通过三极管的特殊关系把DC能量转换成幅度较大的交流能量。三极管不产生能量。这就是三极管电流放大功能的本质。(1)三极管应具有放大功能，发射极结应为正向偏置，集电极应为反向偏置如果三极管的基极电流为20uA，发射极电流为1mA，三极管的集电极电流为()，电流的放大系数为()，1.95毫安，40毫安，1.02毫安，51.2。图中的三极管处于放大状态，测量所有电平的电位。尝试判断三极管类型(NPN或PNP)、材料(硅或锗)和发射极。三极管的特性曲线三极管的特性曲线是指三极管施加的电压和电流之间的关系曲线，它反映了三极管的性能和特性，是三极管电路分析和设计的重要依据。包括输入特性曲线和输出特性曲线。以NPN硅三极管为例。三极管的输入特性曲线，(1)输入特性曲线是指在一定集电极和发射极电压UCE下，三极管的基极电流IB与发射极结电压UBE之间的关系曲线。实验测得的三极管输入特性曲线如图所示。1。发射极结电压的正偏置电压必须大于死区电压，三极管将出现基极电流IB，2。当三极管开始导通时，电流缓慢增加，但UBE变化稍高，电流迅速增加。当三极管正常放大时，UBE变化很小，硅管约为0.7v，锗管约为0.3v.3.当三极管工作时，可以测量UBE，知道它是否正常工作。它是指某一基极电流IB、三极管集电极电流IC和集电极结电压UCE关系曲线。实验测得的三极管输出特性曲线如图所示。(2)输出特性曲线，三极管的输出特性曲线，从图中可以看出三极管的输出特性曲线分为三个区域：1。截止区域，2。放大区域，3。饱和面积，1。截止区当三极管工作在截止状态时，它具有以下特点：(a)发射极结和集电极结都被反向偏置；(b)如果排除穿透电流ICEO，IB和IC约为0；三极管的集电极和发射极之间的电阻很大，三极管相当于一个开关断开。在图1.31中，输出特性曲线近似平坦的区域称为放大区域。当三极管工作在放大状态时，它具有以下特征：(a)三极管的发射极结正向偏置，集电极结反向偏置；基极电流IB的微小变化将导致集电极电流IC的大变化，其具有电流关系：Ic=Ib；(c)对于NPN三元组，有一种潜在的关系：UCUBUE；(d)对于NPN硅三极管，有一个发射结电压UBE0.7V；对于NPN锗三极管，UBE0.2V可用。一般来说，三极管的输出特性分为三个工作区，如下所述。(3)在饱和区工作的三极管具有以下特性：(a)三极管的发射极结和集电极结正向偏置；三极管的电流放大能力下降，通常是集成电路IB；(c)ce接近短路，因此当三极管饱和时，它相当于接通。三极管的三种不同工作状态，三极管的主要参数和选择，1。