LTSpice学习笔记

LTspice1 .变压器模拟的简单步骤：a .为每个变压器绕组绘制一个电感器b .使用互感(k )的记述句，通过SPICE命令结合K1 L1 L2 1k句的最后一项是耦合系数，其变化范围在0到1之间，1意味着没有漏电感。 在实际电路中，建议以耦合系数=1为起点。每个变压器只需要一个k语句。LTspice将单个耦合系数应用于变压器内部的所有电感器。 以下是上述句子的等价句子：K1 L1 L2 1K2 L2 L3 1K3 L1 L3 1c .使用“移动”(F7)、“旋转”(ctr )和“镜像”(ctre )命令调整电感器的位置以匹配变压器的极性。 添加k语句后，将显示包含的电感器的相位调整点。D. LTspice不是使用变压器的匝数比，而是使用个别组件值(这种情况下为个别电感器的电感)进行变压器的模拟。 电感比与匝数比对应关系如下电感对匝数比例如，对于1:3和1:2的匝数比，输入电感值以确定1:9和1:4的比2 .一般来说，压力是对地的，但是如果想知道某个元件两端的电压的话，可以设定参考点，首先点击小人物，然后在电路图的空白点上单击鼠标右键，找到黑白笔Setprobereference，也可以从VIEW中找到。 按键盘上的ESC可以去黑白笔。3. DieImpulsantwort脉冲响应。4.tocreateanttitspecemodelofagivenmosfet，youneedtheoriginaldatasheet和pspicemodelofthatmosfet。thepreserferenteddtodefinitamosfetinltspicearefollows :rggateohmic电阻drainohmic电阻(thisisnottherdson，but the resistance of the bond wire )Rs Source ohmic resistanceVto Zero-bias threshold voltage .Kp - Transconductance coefficientlambdachangeindraincurrentwithvdscgdmaxmaximumgatetodraincapacitance。cgdminminimumgatetodraincapacitance。Cgs Gate to source capacitanceCjo Parasitic diode capacitance。isparasiticdiodesaturationcurrent .Rb Body diode resistance。Rg，rdandrsarretheressancesofthe键盘wiresconnectingthedietothepackage。vtoistheturnonvoltageofthemosfetppisthettransconductanceofthemosfet.thisdeterminesthedrrincurrentheforaviengatesourcevoltage .拉姆达isthechangindrrincrurrentwithdrinsourcevervementationandisusedwithkptoderementherdson .cgdmax和cgdminaretheminimminityandminityandminityversofthegatedraincapacitance和aremanitylighpagedinthemosfetdatasheetcrss.ta erlyprortionaltothedinstitsplates.whenthesmosisturnedon docentitionbethegateandtheconductringchannelentothedritionsisquetothein aincapacitanceishigh.whenthemosfetisturnedoff，the gate drain region is large，maingthegatedraincapacitancelow.thiscanbeseeontheplotorcgsisthegatesourcecapacitance.although it更改为gatesourcevoltage，LTspice assumes it is constant。isistheparasiticbodydiodesaturationcurrent .rbistheseriesresistanceofbodydiodethefairildfds6680amosfet的定义是什么. model FDS 6680 avdm cos (rg=3rd=5MSAs=1mvto=2.2KP=63 cgd max=2ncgdmin=1ncgs=1.9ncjo=1ndis=2.3prb=6mm mfg=故障DVDs=30 Ron=15 mmqg=27 nNote: the characteristics Vds，罗恩和qgarerementyoredbytheserarelededtoadidtheusertocomparemosfets。thereforeanexampletemplatemosfetmodelis. modelxxxxvdmos (rg=rd=5rs=1vto=KP=cgd max=cgd mmin=cgs=cjo=is=Rb=)werarewirenowgingontoconstructionamissofthesum 75 n 06 andsum 110 n 04 lowonresistancemosfetsfromvishay. models um75 n 06-09 lmvdos (rg=1.5 rd=0Mrs=25 mmv to=2.0 KP=75 cgd max=1.2 cgd mmin=150 cgs=2cs jo=1.2 nchis=1bprb=0). models um 110 n 04 VDM cos (rg=1.5rd=0mmrs=0. 86 mmv to=1. 85 KP=180 cgd max=3ncgdmmin=900 PPC GS=14.5 npjo=4.9nmis=33.4 pprb=0)使用thespecesmodescanthebetestjigs :RDSon test jig为了测试MOSFET的RDSON，在LTspice中引入测试电路。 bethedraincurrent.editthedraincurrenticonstoreadv (drain )/id (m1) . thischangesonoftheasesstoredeapserformingtheperatepplicatellightlytomatchthesdatasheetperformance。切换时间测试jig与tottesttthesingtheingthemodeltotthespecestttchedatatestitythesingthesingthemodeltoth实体之间存在be the current.zoominontherisingedgeofthegate/drainwaveorms.lethedriclickonthedrrincreasandresetheasbastomerimeslightlyoverthecurrentdesiredincurrent.thetimingscan立即测量snormallmeasurtedover 10 % to90 % ofthedesiredvoltageswing.youmayhavetochangethemodelcapacaticanceslightlytomeetdatasheetperformancc5. delete复印movecomponentwithoutwires连接movecomponentswithwiresattached还原shift重做rotestcomponent (onceithasbeenselectedusing )mirrorsconomponent (onceithasbeenselectedusing )按住ALT键的同时，在线上按一下滑鼠左键，绘制该线的电流波形。 按住ALT键并在元件上按一下滑鼠左键，即可在组件中显示瞬时功率。6 .生成lt spice tutorial :效率报告要生成效率报告，请选择simulate-editsimulationcmd-mulatinifsteadystateistdetected .返回到模拟界面，然后单击view-efficiencyreport-showonn (请注意，要创建：效率报告，只有一个电压源被视为输入，电流源或负载可能被称为Rload。 中所述情节，对概念设计中的量体体积进行分析7. LTspice Tutorial 3:使用数学函数来计算效率为什么你不能使用thitspecestoexaminineefficiency和indingthissanefectiveryofmetheefficiencyofamultioutputsystem8 .如果想知道电路中有哪些寄生参数，按h键，在电路图中高亮显示哪个元件中有寄生参数，点击取消。9 .如何将第三方模型导入LTspice下载SPICE模型，单击SPICE directive并将其保存到要模拟的电路的相同路径，然后添加以下SPICE命令. include DI_BAT54.txt打开SPICE(.txt )模型(in this case it is DI_BAT54 )，注意模型的名称，然后在快捷键二极管符号和文本DI_BAT54上单击鼠标右键将其粘贴到Value字段中，如图1所示。10 .结温终端(Tj )可用于读取结温或读取固定结温。 该终端可以是浮动的；壳体温度端子(Tc )