各式扫描探针显微镜.ppt

目錄,掃描探針顯微術(SPM)簡介掃描穿遂顯微術(STM)原子力顯微術(AFM)橫向力顯微術(LFM)磁力顯微術(MFM)總結參考資料,掃描探針顯微術(SPM)簡介,掃描探針顯微技術（SPM）具有原子級表面形狀解析度，並可檢測多種奈米級表面特性，如力學特性、磁性、電性、熱性、光特性等，許多研究學者已將掃描探針顯微技術廣為應用在奈米尺度至微米尺度的表面量測。掃描探針顯微技術（SPM）主要優點包括儀器體積小、樣品無須特殊處理，可在任何環境下進行處理等優點；其主要缺點則是掃描速度慢、資料重現率差及缺乏成份分析功能等。,掃描穿遂顯微術(STM),STM之簡介,STM全名為ScanningTunnelingMicroscopy，是在金屬探針及導電樣品間加上小電壓，並將兩者距離維持在數埃至數十埃間，使探針尖端原子團與樣品表面的量子穿隧電流保持定值，而測得表面結構形狀，具有原子解析度。在SPM技術中具有最佳解析度，但由於無法在非導體上操作，故目前主要應用於基礎性學術研究。,掃描穿隧顯微儀之主要原理是利用金屬針尖在樣品之表面上進行掃描，根據量子穿隧效應產生穿隧電流，由於產生之穿隧電流主要發生於針尖上最突出的一顆原子上，因此STM具有原子級的橫向解析力，利用穿隧電流作為測量訊號，即可獲得樣品表面之圖像，因此探針與樣品必須能導電，同時樣品表面必須平整，如此STM的應用範圍因而受到限制。,STM之工作原理,STM之基礎架構,穿遂效應,電子穿隧現象乃量子物理的重要內函之一，在古典力學中，一個處於位能較低的粒子，根本不可能躍過能量障礙到達另一邊，如下圖所示。除非粒子的動能超過Vo，才有可能。但以量子物理的觀點來看，卻有此可能性。所謂的穿隧效應，就是指粒子可穿過比本身總能高的能量障礙。穿隧的機率和距離有關，距離愈近，穿隧的機率愈大。當兩個電極，相距在幾個原子大小的範圍時，電子能從一極穿隧到另一極，穿隧的機率和兩極的間距成指數反比的關係。,STM之工作模式,一、定電流取像法：以設定的穿隧電流(約1nA)為回饋訊號。由於探針與樣品表面的間距，和穿隧電流有十分靈敏的關係，設定穿隧電流值，即鎖定探針和樣品表面之間距。當探針在樣品表面掃描時，探針必須隨表面之起伏調整其高度(即z值)；因此，以探針的高度變化來呈像，就反映出樣品表面的形貌。,二、定高度取像法：直接以穿隧電流值來呈像。當探針以固定的高度掃描樣品表面時，由於表面的高低變化，導致探針和樣品表面的間距變化，穿隧電流值也隨之改變。,定電流模式,定高模式,STM之掃描模式優缺點比較,STM之應用,利用STM進行原子表面修飾和單原子操縱，具有十分廣泛的應用前景。它已經在製作單分子、單原子和單電子器件，大幅度提高資訊儲存量，生命科學中的物種再造，以及材料科學中的新原子結構材料的創製等領域，都有很深刻的應用背景。單原子操縱主要包括三個部分，即單原子的移動、提取和放置，這些技術也是今後應用單原子操縱，在表面上進行原子尺度的結構甚至器件加工所必須的。原子操縱術最主要的應用是，奈米級或原子級結構的製造，在這方面一個直接的用途是，記憶體的製造與讀取，前述IBM科學家展示搬移氙原子的能力，就可視為原子級記憶體的製造與讀取，每個有原子的位置相當於零。這樣的記憶體密度是前所未有的，遠遠超過現今半導體及磁碟的記憶密度；而且STM可輕易取得這些原子影像，相當於原子級位元資料的讀取，此讀取密度也是其他技術所無法比擬的。,原子操縱術,1990年IBM研究人員首度在金屬鎳表面用35個惰性氣體氙原子組成“IBM”三個英文字母。後來，又搬移近百顆鐵原子形成中文原子二字。此結果成為雜誌及國際研討會的封面圖案。,原子力顯微鏡(AFM),AFM之簡介,AFM全名為AtomicForceMicroscopy原子力顯微鏡，其主要以量測原子間凡得瓦力為主，來得到表面原子排列的圖像，又可適用於各種的樣品，不分導體或非導體，因此消除STM對試片必須要為導體及表面必須平整的要求限制。,AFM之工作原理,利用探針與表面原子之作用力，造成懸臂樑偏移，進而得到原子影像。,AFM之基礎架構,當以低功率雷射光打在懸臂末端上，利用一組感光二極體偵測器，測量雷射光反射角度的變化。當探針掃描過樣品表面時，由於反射的雷射光角度的變化，感光二極體之電流也會隨之不同，藉由量測電流的變化，可推算出懸臂被彎曲或歪斜的程度，經輸入電腦計算，可產生樣品表面三維空間的影像。,AFM掃描模式比較,AFM探針與量測結果比較,接觸式掃描成像,敲拍式掃瞄成像,經敲拍式量測之後探針尖端損耗,AFM之運用,下圖為使用AFM尖端，對病毒分子進行彎曲與旋轉動作之實驗。圖(A)到(D)則為探針對分子進行逆時針旋轉的實驗，黑色箭頭則為施力方向。(A)為起始狀態；(D)為旋轉動作結束後的影像,利用AFM做力量之量測,下圖為以AFM之尖端，進行DNA切斷的力量量測實驗之影像圖。圖(a)中的箭頭方向表示探針的移動方向（由右向左切劃），而圖(b)則表示切劃過後，所留下的一個15nm的空隙(DNA分子長度為372nm)。,(LFM)側向原子力顯微鏡,LFM之簡介,LFM全名為LateralForceMicroscopy側向原子力顯微鏡，是掃描探針顯微儀的一種，它的作用方式主要是使探針與樣品表面接觸並在表面上平移，利用探針移動時所承受樣品表面摩擦力以及樣品表面高低起伏造成懸臂的偏斜量來探知樣品的材質與表面特性。,LFM之工作原理,探針受力狀況,探針受不同表面時所發生情況,LFM量測結果,ThesampleisthemonolayerLangmuir-Blodgett(LB)filmdepositedonsiliconsurface.Itwasobtainedbyscanningfromlefttorightineachscanline(thefastscanningdirection).Theoppositefastscanningdirection(fromrighttoleft)leadstoinverseimage.,(MFM)磁力顯微鏡,MFM之簡介,MFM全名MagneticForceMicroscopy磁力顯微鏡，它是指利用磁性探針與樣品間的磁交互作用，去取得表面磁化結構的表面檢測技術。,MFM之工作原理,主要的裝置與原子力顯微鏡相同，不同的地方在於所使用磁性探針及掃出影像的作用力為磁力梯度變化。基本原理是利用磁性探針和磁性樣品表面間的磁作用力來感應磁力梯度之變化，樣品表面產生的游離磁場會作用在磁性探針上；且利用偏移感測器偵測探針偏移，因此能測出作用力或作用力強度梯度的變化。採取兩段式掃描，利用原子力顯微鏡得到樣品外形輪廓，然後再把探針拉高，使探針沿著原路徑的軌跡作第二次掃描，然後記錄探針振動頻率、相位或振幅變化，以此方式同時量取表面變化及磁力影像。,MFM測量模式,直流模式的掃描方式，類似於非接觸式原子力顯微鏡，差異點僅在於探針與樣本之間作用力的不同。所應用的理論，是由Zeeman能量法獲得，亦即磁力是磁矩(m)乘以磁場的空間梯度(H)，磁力的大小可由懸桿的偏移量乘以懸桿的彈性係數而得知。,交流模式的掃描方式，利用輕敲式原子力顯微術的成像原理，並利用掃頻機制，對探針震盪器輸入最佳的電壓訊號，使探針可以達到最大振幅，以獲得較高解析度。藉由測量懸臂振幅或及頻率的改變量，可得知樣品表面磁力梯度(Fz)大小，藉以得到樣品表面磁場(H)分布。,MFM與一般電子顯微鏡比較,MFM/AFM圖形比較,此樣本為在Ni薄膜上放置Cu,總結,以上所介紹各式顯微鏡，近年來用以物理工程，化學、化工及生物科技等，都有相當大的幫助，因為它們都有一個共通的特性就是都能測量或者移動、固定尺寸達到奈米或者更低的尺寸，而這也是未來科技的趨勢。,參考資料,J.Colchero,H.Bielefeldt,A.Ruf,M.Hipp,O.Marti,andJ.Mlynek,ScanningForceandFrictionMicroscopy,Phys.Stat.Sol.(a),131,1992,73-75.S.N.Magonov,M.-H.Whangbo,SurfaceanalysiswithSTMandAFM,VCH,Weinheim,1996,323p.R.M.Overney,E.Meyer,J.Fro