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文档简介

光电激发简述,1,光电子能谱（）,发射光电子能量分部曲线Ip+IsIp：未受到非弹性散射的电子Is：受到散射作用的二次电子Ip=P*T*DP:原始激发光电子T：传输函数D：逃逸函数,2,三步模型,1.光电子激发：将电子从初态激发到非占据的终态2.传输过程：被激发光电子从终态传输到样品表面3.逃离过程：穿过表面势垒,3,光激发过程P,被激发光子动能入射光子能量为费米能级与电子初态能级差此过程对电子能谱的Ip结构起主要决定作用,4,传输过程,定义定义为电子的平均自由程或逃逸深度，衰减长度L：光线性吸收系数的倒数光的传输函数：T（电子平均自由程/衰减长度）在光激发深度为L的范围内，只有离表面距离小于时才能无碰撞达到固体表面T不对光电子的能量分部曲线的表达式引入特殊结构,5,平均自由程,其一：主要由两种作用使光电子传输过程受到散射影响其逃逸深度.电子与电子相互作用受晶格振动影响产生电子声子散射（电子能量较低）其二：与电子能量有关，总体有一个随着电子能量增加平均自由程先减小后增大的形式原因：光电子会引起等离子激元的激发而损失能量,6,平均自由程普适曲线,等离激元振荡频率主要由金属中自由电子的密度决定，不同金属大致相同。,7,逃逸过程,逃逸函数可表为阶跃函数（）（）也不会对光电子能谱引入特殊结构由于决定的三个函数中的，对光电子能谱的结构影响不大，故结构主要由原始激发过程决定的,8,光电子能谱是以光电发射的基本原理作为基础的。光电子能谱研究的主要是那些未发生非弹性碰撞的光电子。收集出射电子得到光电子能谱。利用能量守恒关系式通过末态电子能量可得知初态电子信息,9,影响能谱结构因素.电子初态结构电子各个占据态在受激发后到达真空被收集，在能谱中表现出不同的能谱结构。.入射光子能量入射光子能量较小时，价带中只有部分能态电子能直接跃迁出。入射光子能量较大时，结构中的任一初态电子均能有足够能量跃迁到末态，可将末态电子看成近
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