电子技术 模拟部分 第一章 基本放大电路

课程介绍，模拟电子技术，基本放大电路，集成运算放大器及其应用，DC电源，晶闸管电路，数字电子技术，基本门电路，组合逻辑电路，触发器时序逻辑电路，课程要求，教学内容：1。基本部件的工作原理2。基本电子设备的特性和应用。基本电路分析。简单电路的设计和测试内容：1。基本放大器电路测试2。集成运算放大器的使用。对整流和滤波的理解。基本门电路、组合逻辑电路、时序逻辑电路和评估方法的测试。1.闭卷考试(80%)2。家庭作业(10%)3。实验(10%)，第一章基本放大电路，第一节PN结，1。半导体，1。纯半导体(硅、锗)中的载流子(电子和空穴)，(1)成对的电子和空穴是在外部能量的作用下产生的。(2)在电场作用下，电子形成电子流，空穴形成空穴流。(3)电子和空穴成对结合。n型半导体中的电子数比空穴多得多。多能是电子(其数量主要取决于杂质的掺杂浓度)，少数是空穴(其数量主要取决于环境温度)，(1)N型半导体(硅(锗)掺杂有五价元素(磷、砷等)。在杂质半导体中，p型半导体中的空穴数量远远大于电子数量。多能是空穴(其数量主要取决于杂质的掺杂浓度)，少数是电子(其数量主要取决于环境温度)，(2)P型半导体(掺杂有三价元素(硼、铟等)。)在硅(锗)、空穴、多道和(2) PN结及其单侧导电性，(1) PN结形成，(1)多道扩散逐渐加宽空间电荷层(耗尽层、阻挡层)，形成逐渐加强和阻碍多道扩散和空间电荷层加宽的内部电场。(2)少数载流子在内部电场的作用下漂移，削弱内部电场，使势垒层变窄；(3)多载流子扩散和少数载流子漂移最终达到动态平衡，空间电荷层相对稳定。扩散电流和漂移电流大小相等，方向相反，PN结电流为零。PN结的单向导电性(1)PN结加上直流电压(正向偏置)、限流电阻、外加电场削弱了内部电场，从而增强了多光子扩散。多道向耗尽层的扩散缩小了空间电荷层；缩小空间电荷层更有利于少数载流子的扩散，抑制少数载流子漂移；多子扩散电流称为正向电流，此时称为PN结导通；PN结正向偏置：PN结导通，电阻很小，正向电流大；外部电场增强了内部电场，从而阻碍了许多儿童的扩散，并增强了少数儿童的漂移，从而加宽了空间电荷层。少数载流子漂移电流，称为反向饱和电流；反向饱和电流很小，当外加电压超过一定值时，它基本上不随电压的增加而增加。(2)PN结加反向电压(反向偏置)。PN结反向偏置：PN结关断，高电阻，低反向电流；第二节半导体二极管，1。二极管结构，1。PN结、阳极引线、阴极引线和外壳；(2)分类点接触类型(图a)高频、工作电流小表面接触类型(图b)低频、大工作电流，(2)符号(图c)，(2)二极管的伏安特性，(3)正向特性，死区电压：硅：0.5V锗：0.1V管正常工作期间的压降硅：0.7V锗：0.3v，(2)反向特性，由少数载流子形成的反向电流，因此反向电流通常非常小；低功率硅管：小于1微安；低功率锗管：几十微安；3、反向击穿特性，反向击穿：当外加电压达到一定值时，在PN结中形成强电场，迫使大量电子和空穴产生，导致反向电流急剧增加；4、脾气的影响最大整流电流if，意思是：在长期运行期间允许通过二极管的最大平均正向电流；2，最高反向工作电压URM，意思是：二极管工作时允许施加的最大反向电压；URM通常承担一半的反向击穿电压；3、反向电流IR，意思是：二极管在室温下不击穿时的反向电流；红外越小，二极管的单向导电性越好。4，最高工作频率fM，意思是：二极管正常工作时所施加电压的最大频率；调频受到PN结结电容的限制，与结电容成反比。例1-1ui=10sinwt(v)E=5vR=1k ohm忽略二极管的