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第七章金属和半导体接触、冲击电子邮件： linshuo _ PV 、7.1金属半导体接触和频带图、1、本章内容摘要、金半接触和能量图整流特性小数注入和欧姆接触、2、金属-半导体接触、整流接触：微波金属和半导体的功，功：金属的电子必须从金属中逸出，向外提供足够的能量，这种能量的最低值称为功。金属功能函数Wm=E0-(EF)m，金属的电子势能井，半导体的功能和电子亲和力，E0是真空电子能级，半导体功能函数Ws=E0-(EF)s，电子亲和力=E0-EC接触电位差(肖特基模型)、金属和n型半导体接触能带(WmWs)(a)接触之前；(b)间隔大。(c)密切联系；(d)忽略间距，半导体电位增加，金属电位减少，平衡状态，费米能级相同，金半间距d大于原子间距时d，正负电荷密度增加，d，与原子间距相比，空间电荷形成(why)，表面电位，表面电位表面用电子电位井形成电导层(压敏电阻层)的金属和n型半导体接触带图(WmWs，带升，气穴，半导体表面高电导压力，p型压敏电阻层WmWs)，(Wm0)，电压主要降落在高电阻地区壁垒。 原半导体表面和内部之间的电位差，即表面电位(Vs0Ln时(2)热电子发射理论xdLn)，电子通过屏障区域发生多次碰撞，这种壁垒称为厚壁垒-适合扩散理论，Ln:电子的平均自由路径Xd:壁垒宽度，19，壁垒区域存在电场，电位计算通过塞鲁的电流时，要同时考虑漂移和扩散运动。通常，如果挡墙高度大于k0T，那么挡墙区域可能是几乎枯竭的层。在耗尽层中，载流量很少，对空间电荷的贡献也可以忽略。杂质全部电离，空间电荷完全由电离杂质的电荷形成。n型半导体的耗尽层，耗尽层宽度xd表示。考虑到半导体均匀掺杂，如果耗尽层的电荷密度均匀，qND，20，挡墙高度qVDk0T，则挡墙区域的载波浓度 0，21，22，挡墙区域的电位分布：半导体内的电场为0，e(xd)=0；如果金属费米级别位置为0电位，则v(0)=-ns；边界条件为e(xd)=0v(0)=-ns；23，vd，rectificationtheoryofmetal-semiconductor
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