射频微波隔直耦合电容的选择VIP

耦合电容的选择在电路中，耦合和间隔电容成行连接，如果适当选择耦合电容，则可以最大限度地提高RF能量的传输。实际电容可以根据频率变化的电容器相关参数(串行谐振频率FSR、并行谐振频率FPR、纯阻抗、等效串行电阻ESR、插入损耗IL和质量系数q)满足电路耦合要求。上图50电路中的两个RF放大器相对于并联谐振频率FPR以耦合电容器Co连接，Rs为ESR，Ls为ESL，Cp为寄生并联电容。阻抗振幅：大部分取决于纯电抗，设计者需要知道整个波段电容器的阻抗振幅。串联谐振频率：与自谐振频率、固有容差Co相关；在此频率下，耦合电容器阻抗的实际部分是ESR，虚拟部分是0。ATC耦合电容相关参数如下：其中，陶瓷介质电容器ATC100A101(100pF)的FSR=1GHz，ESR=0.072，Z-F曲线如下图所示。频率低于FSR时，电容纯阻抗为电容，阻抗振幅为双曲线。在高于FSR的频率下，电容器纯阻抗为地壳，阻抗振幅为直线。测量电容的S21可以找到：在FSR中，电容器提供最小阻抗通道。在FPR中，电容阻抗突然增加，造成巨大损失。在耦合线上，工作频率比FSR稍高。此时，除非电容的纯阻抗(地壳)很高，否则不会影响电路性能。确定并行谐振频率FPR，电容的波段插值损耗。当FPR在工作频带内时，检查电路的衰退槽口深度，以确定电容器的FPR是否有明显的衰退槽口。通常允许数十dB的插入丢失。ATC100A101(100pF芯片电容器，水平安装，电容器板与电路板平行)插入损耗和频率关系如下图所示。在上图中，200MHz到1.5GHz之间的容量插入损失为0.1dB；垂直安装电容使电容板垂直于电路板，可以抑制1.6GHz下的并行谐振窗口，电容器的可用范围扩展到2.4GHz左右。因此，改变宽带耦合电路的安装方向扩展电容的适用频率范围。等效串行电阻ESR和质量系数q:ESR是电容器内所有串行损耗的总和，由介电损耗和金属损耗组成，通常是m级。由介质材料特性确定的介质损耗对于每个介质材料都有其自己的损耗系数，通常称为损耗切向或耗散系数(DF)。损失产生介质列，极端情况下使组件失效。耗散系数(DF)是油田损失的良好表示，通常在低频(1MHz)测量，因为此损失在低频中起主导作用。金属损耗，由电极板、端子、阻断剂等电容使用的金属材料的电导率决定，发生电容发热，极端情况下零件故障。在高频中，这种损失包括“皮肤效应”，损失程度和频率关系。产品说明中的“ESR-frequency”曲线通常集中在金属损失的频率范围内，介质损失可以忽略。质量系数：即电容纯电抗与ESR之比。设计师需要知道，电容在整个工作频带(尤其是高于FSR的ESR)中，皮肤效果开始影响损失时，皮肤效果与ESR成比例是主要损失原因。衰减槽口在FPR中生成，槽口深度与ESR成反比，因此电容的ESR对FPR中的衰减槽口有很大影响。直接电容器值： (旁路电容也按此)从100MHz导入1000pF在400MHz下使用100pF在900MHz下使用33pF在1.2GHz下使用10pF2.5GHz下使用5pF从10GHz导入1到2pF0.8pF2GHz以上采用陶瓷微波芯片电容经验公式：f是要通过的最小频率。100kHz信号测量为0.01uf电容的输出为-5dbm，替换为0.1uf，输