【国家标准】SJT 10056-1991 电子元器件详细规范 2CZ59型管壳额定硅整流二极管

58, 59, 60型管壳额定硅整流二极管1991华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范2 10056是按照35100括雪崩整流二极管)空白详细规范标准制订的，符合589. 1半导体器件分立器件和集成电路总规范) 华人民共和国机械电子工业部1991 10056B 导体器件总规范2560半导体器件分立器件和集成电路57/T 10056581导体分立器件外形尺寸中1)型的规定。出端的识别(如图所示)箭头指向负极端。管壳颇定整流二极管半导体材料:硅封装:空腔应用:)1-(A)100621 10056非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。条文号符号 管亮温度贮存温度有效结温电压反向重复峰值电压1飞。昌口走，月月勺月J月2270 阻性负载的条件下，正弦彼的导通角为180重复)浪涌电流在最大平均正向电流下连续工作之后加的正弦半波(50H. 10.)电流的最大允许值。0最大值，不加反向电压(初始结温T cp = 25C )sN文号特性和条件除非另有规定25，时的电压最大值(反向电流在额定电压，反向峰值电流I。的最大值在， 极性与第1章规定相反，应在型号后加“(R)”以示区别。制造单位、代号或商标。其他。号、. 其他。7订货资料产品名称、型号、质量评定类别。订货数量。产品的详细规范号。其他。非另有规定，引用的条文号应对应于589. 1的条文号，测试方法引自023半导体分立器件第2部分:整流二极管。批所有试验都是非破坏性的(6 )一24一 10056批只有标明(D)的试验是破坏性的(6 )见本规范第10章15矩(D)937a=2937 3. l. 1937 10-I.,938023 2. 3023 3高温反偏50681,弦半波I,. = 60=v.(正弦半波50;.;:5,937半导体分立器件机械和气候试验方法。2) 938半导体分立器件接收和可靠性期只有标明(D)的试验是破坏性的(验或试验符号引用标准条件除非另有规定了，ra，023 150=V.(正弦半波5一 1005625向峰值电压反向峰值电流艾:023 023 1-=420正弦半波50H.)023 R /试一正向峰值电压反向峰值电流一938023 R023 R =1500001弦半波50-= 60弦半波50H.);.;: 10)最后测试:正向峰值电压反向峰值电流V,937 023 023 s= 1000111,.=、干一一一0. 24定批准试验检验或试验 符号!引用标准条件除非另有规定了 25 小值最大值023 h 10056检验要求极 023 2. =.(正弦半波作检验用). 2外形图们f s 117. 0桥D:9 h . 26笋了3. 27一 10056标准由青岛电器元件厂负责起草。本标准主要起草人:郭美琪。请回顾一下内容请回顾一下内容请回顾一下内容请回顾一下内容请回顾一下内容请回顾一下内容请回顾一下内容请回顾一下内容请回顾一下内容请回顾一下内容请回顾一下内容请回顾一下内容请回顾一下内容请回顾一下内容请回顾一下内容请回顾一下内容请回顾一下内容请回顾一下内容请回顾