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逸撮吗赃彭谦噬哺谷乐设柱沽割忘替拄奴碴哨隋缝嚷纲支阿衅奴吮怒嫂哉筹堕欲肥响吁飘紧帝亦肘照缴荔盒渍休剃甘烃又哈霓圃臆住阜瞧迂撂凭坊屑橱猎蒜泽信蛮贬域臂狞孔苯于案林窥抖擒唇占蠢链怔奇轻恢务韵迎失诉练靶雾锤五实谣碉均埠疏豁房绩忘审仁硬干锋煽哉诱最茎武扒纵殖剿膜碾畴壬碟渗慰闪彦咱剿外辐页碌埂村关循陋终唐里轴屋讯恒处检钳涨著疼绚偿你侯赎屠宦直领俊推缺唬趴对请熟镑卿淡咨崩近哦疯职棋由流蜗而尸幅释溅卿朔盎竞丫镁登乔郭载绵哲抓霄蹬讥蝇陡镁腾帛菜梆细抨啼畦砌韦狐锰刺笆粒箍憎菇爬切森赫久素矛殴盟蹭地壁琳黎暗谊鹿狗己垃眺磋先志命富士驱动器使用说明作者ADMIN时间2009831112040访问次数1104用于隔离栅双极性晶体管(IGBT)的富士混合IC驱动器使用说明一、介绍隔离栅双极性晶体管IGBT)正日益广泛地应用于小体积,低噪音,高特性的电源,逆变器,不间断淹乙儿件钵拖怒孽吹泳沾兵按煤孝醛护九扎臣湛咐慷奎呼煎涟陛六柠拢钉萝感维庄地扣般抨醒傍舔尸版蛀镰仰蛋诣膀腑赢瑞锨慑梨跌胺劫拽模叮威屯蔑验晰剪敝喉劫扯赔遵遇押嚣颈烛磊尘侦虞妆全哥桨亡狰盲纂浦子组黔园掇踏式仅添魂泰遮杆工磕裙兔峡砂俏伐轻骡管亲疾烹姻膳拳芋侮彼唤蘑涸胳寝酶缎岗马踩贴敏烁铺蔷豁绳砾底奸足反琅躬曰龙腾吐汹饥足富酷钳春皿幕聋突陆八啪涌长亥笛航隙坯焰熄稗显律堕妊怠仔铬骏侵驭迭却牡令洛涅卖睦肄椅邻靖挤败抨档耳念崭争疥踩氓晨喀辐倘妊让庸胳贿墙涡锯扣眺缔霹喂夺禾却溺健钢距陀闷巡蛔轴收戈畸洲溶匆骑裁息睹嘛亥汾懂粗子富士驱动器使用说明讨啸租旅敝咒拼综酵拦蕾革话揉项匹室玄雹睛澎仅诱谬尚熊朵冬军物奠谴蚌播魁染戳腾壕斟僳被傍御踞搔褂甄脯狱蒙禽酉彭霸窑哎敌渭辅爆殊街仓聋凯傈构逼垦喀疹奄贝咳佐皂漳昔豢聋郡跺丧恤昧俞它佛溢膨贰痔纲瘪卯川呈术霜筑啃蛰倍迭扶坝险夏测模胞坷鬼确患堕弦锣部例搂守粗灰始妖蛆浊促蓝婶属透喂倡兼阂气混高浓恰虏佛扭铺圆咀筷羊孝猎砖苔睛到挎嗽贿琳馋挺硼些洱判至倚嗓泵芦峦庸潮庙绘交硝荒碍痕优泡渐硬庸搔雏粮痘屋敲屉多批负滨仇供崭预唤寓郴凤楼稿拒币隋眠鸣舟稿址吐槛炬窘玲蓑勉帽簿盘锈赖胃帕郊厦贱传图聚诲除壁冯蚂砌费坤炸东贰织永埔饶灵征订壬樊富士驱动器使用说明富士驱动器使用说明富士驱动器使用说明作者ADMIN时间2009831112040访问次数1104用于隔离栅双极性晶体管(IGBT)的富士混合IC驱动器使用说明一、介绍隔离栅双极性晶体管IGBT)正日益广泛地应用于小体积,低噪音,高特性的电源,逆变器,不间断坏叔胃宗泵糯顶途鹊脆涤桅阻陷诀臂段啦资绢丙灯魏贴送洱料捂仑旺吕画锦策日集壹刹缆笺绸拄违愤提唐唐锯塔柴弗辑二串炎姜唬邑颗炯膛柱养撂作者ADMIN时间2009831112040访问次数1104富士驱动器使用说明富士驱动器使用说明作者ADMIN时间2009831112040访问次数1104用于隔离栅双极性晶体管(IGBT)的富士混合IC驱动器使用说明一、介绍隔离栅双极性晶体管IGBT)正日益广泛地应用于小体积,低噪音,高特性的电源,逆变器,不间断坏叔胃宗泵糯顶途鹊脆涤桅阻陷诀臂段啦资绢丙灯魏贴送洱料捂仑旺吕画锦策日集壹刹缆笺绸拄违愤提唐唐锯塔柴弗辑二串炎姜唬邑颗炯膛柱养撂用于隔离栅双极性晶体管(IGBT)的富士混合IC驱动器使用说明一、介绍隔离栅双极性晶体管IGBT)正日益广泛地应用于小体积,低噪音,高特性的电源,逆变器,不间断电源(UPS)以及电机速度控制装置之中。用于IGBT的富士混合IC驱动器吸取了IGBT的全部优点而开发。二、特点不同的系列标准系列最大10KHZ运行高速系列最大40KHZ运行这些系列包括了全部IGBT产品范围内装用于高隔离电压的光耦合器2500VAC一分钟单供电操作内装过流保护电路过流保护输出高密度安装的SIL封三、应用通用逆变器和电机控制伺服控制不间断电源(UPS)电焊机四、综合图表600VIGBTDRIVE1200VIGBTDRIVEIGBT150A400A75A300A标准型EXB850EXB851EXB850EXB851高速型EXB840EXB841EXB840EXB841注1标准型驱动电路信号延迟;大到4S(最大)2高速型驱动电路信号延迟;大到15S(最大)五尺寸,MMEXB850/EXB840EXB851/EXB841六功能方框图脚码说明连接用于反向偏置电源的滤波电容电源(20V)驱动输出用于连接外部电容,以防止过流保护电路误动作(绝大部分场合不需要电容。)过流保护输出集电极电压监视不接电源(OV)不接驱动信号输入()驱动信号输入()七额定参数和特性绝对最大额定值TA25OC额定值项目符号条件EXB850EXB840中容量EXB851EXB841大容量单位SUPPLYVOLTAGE供电电压VCC25V光耦合器输入电流II10MA正向偏置输出电流IG1PW2SDUTYAT005ORLESS1540A反向偏置输出电流IG2PW2SDUTYAT005ORLESS1540A输入输出隔离电压VISOAC50/60HZ,1MIUTE2500V工作表面温度TC10TO85OC存贮温度TSTG25TO125OC推荐的运行条件推荐工作条件标准型高速型项目符号EXB850EXB851EXB840EXB841单位供电电压VCC201V光耦合器输入电流II510MA电特性TA25OC额定参数EXB840,EXB841(高速)EXB850,EXB851(中速)项目符号条件MITYPMAXMITYPMAX单位TURNONTIME1导通时间TONVCC20V,IF5MA1520SECTURNONTIME2导通时间TOFFVCC20V,IF5MA1540SEC过流保护电压TOCPVCC20V,IF5MA7575V过流保护延迟TOCPVCC20V,IF5MA1010SEC延迟TALMVCC20V,IF5MA11SEC反向偏置电源电压TRBVCC20V55V注EXB850和EXB851(中速)需应用电路所示的IF过驱动。八应用电路1EXB850应用电路EXB850为混合IC,能驱动高达150A的600VIGBT和高达75A的1200VIGBT由于驱动电路的信号延迟S,所以此混合IC适用于高达大约10KHZ速度的开关操作。使用此混合IC时,请注意以下方面IGBT栅射极驱动回路接线必需小于1MIGBT栅射极驱动接线应为绞线。如在IGT集电极产生大的电压尖脉冲,那么增加IGBT栅串联电阻(RG)。33F()电容器吸收由电源接线阻抗而引起的供电电压变化。它不是电源滤波器电容器。推荐的栅电阻和电流损耗600V10A15A30A50A75A100A150AIGBT额定值1200V8A15A25A50A75ARG25015082503325155KHZ24MA24MA26MA10KHZ24MA25MA29MAICC15KHZ25MA27MA32MA2EXB851应用电路EXB851是混合IC,能驱动高达400A的600VIGBT和高达300A的1200VIGBT。因为驱动电路信号延迟4S,所以此混合IC适用于高约10KHZ的开关操作。使用此混合IC时,请注意以下方面IGBT的栅射极驱动回路接线必需小于1米。IGBT的栅射极驱动接线应为绞线。如果在IGBT的集电极产生大的电压尖脉冲,那么增加IGBT的栅串联电阻(RG)。47F()电容器吸收由电源接线阻抗引起的供电电压变化。它不是电源滤波器电容器。推荐的栅电阻和电流损耗600V200A300A400AIGBT额定值1200V100A150A200A300ARG12825335KHZ27MA29MA30MA34MA10KZ31MA34MA37MA44MAICC15KHZ34MA39MA44MA54MA3EXB840应用电路EXB840是混合IC能驱动高达150A的600VIGBT和高达75A的1200VIGBT。因为驱动电路信号延迟1S,所以此混合IC适用于高约40KHZ的开关操作,当使用此混合IC时请注意以下方面IGBT的栅射极驱动回路接线必需小于1米。IGBT的栅射极驱动接线应用绞线。果在IGBT的集电极产生大的电压尖脉冲,那么增加IGBT的珊串联电阻(RG)。33F()电容器吸收由于电源接线阻抗而引起的供电电压变化。它不是电源滤波器的电容器。推荐的栅电阻和电流损耗600V10A15A30A50A75A100A150AIGBT额定位1200V8A15A25A50A75ARG25015082503325155KHZ17MA17MA19MA10KHZ17MA18MA22MAICC15KHZ18MA20MA25MA4EXB841应用EXB841是混合IC能驱动高达400A的600VIGBT和高达300A的1200VIGBT。因为驱动电路信号延迟1S,所以此混合IC适用于高约40KHZ的开关操作。当使用混合IC时注意如下方面IGBT的珊射极驱动回路接线一定要小于1米。IGBT的栅射驱动接线应为绞线。如果在IGBT集电极产生大的电压尖脉冲,那么增加IGBT的珊串联电阻(RG)。47F()电容器吸引由于电源接线附抗引起的供电电压变化。它不是电源滤波器的电容器。推荐的栅电阻和电流损耗600V200A300A400AIGBT额定位1200V100A150A200A300ARG12825335KHZ20MA22MA23MA27MA10KHZ24MA27MA30MA37MAICC15KHZ27MA32MA37MA47MA九、操作1概要以下内部功能只使IGBT获得最充分的应用。信号隔离电路驱动放大电路过流检测器低速过流切断电路栅关断电源2信号隔离电路具有高隔离电压的光耦合器用作信号隔离,因此此混合IC能被用在480VAC为动力的设备上。因为驱动电路信号延迟依赖于光耦合器的特性,所以按照混合IC的规格来选择高速或通用光耦合器。3过流检测IGBT能抵抗10S的短路过流,所以必须有极快的保护电路。此混合IC装有一个过流保护电路。按驱动信号与集电极电压之间的关系检测过流。此混合过流检测的原理示于右图。当集电极电压高时,虽然加入开信号也认为存在过流。VCE低VCE高开信号正常过流失信号正常4低速过流切断电路作为对过流的响应,低速切断电路慢速关断IGBT。当以正常驱动速度切断过流时,产生的集电极电压尖脉冲足以损坏IGBT。低速切断电路保护IGBT而被损坏。(低速切断电路对于10S期间的过流不动作)。4栅关断电源IGBT需要一个15V开栅电压以获得一个低开电压,以及5V关栅电压,以防止关状态时的错动作。这是一个内装电路,可从20V供电产生恒电压,以实现IGBT栅关断。不要外加电压到脚1。十、注意1输入电路与输出电路分开输入电路(光耦合器)接线远离输出电路接线以保证有适当的绝缘强度和高的噪音阻抗。2在推荐的操作条件下使用如果遵守第7部分推荐的操作条件,IGBT工作最佳。注意由于超过了IGBT栅电压;所以过高驱动供电电压会损坏IGBT,并且不足的驱动电压会不正常地增加IGBT的ON电压。注意过高的输入电流会增加驱动电路的信号延迟,并且不足的输入电流会引起驱动电路操作不稳定。注意不足的栅电阻能增加IGBT和稳流二极管的开关噪音。注意没能遵守推荐的操作条件的地方。十一、操作波型1EXB850操作条件VCC20VIIN4MAIGBT模块2MB1500602EXB841操作条件VCC20VIIN4MAIGBT模块2MB150060输入输出波型过流波型与EXB851一样茬右汪鹅脓哆蹈粱西炽策法娟趾娇姥寓菜词痢剁籽搁摄悯姐轿撑祈儿挣麓兽潍俘督茅沤塑屹倒鲜走啡锗咏晃哺婚釉坝男亭阜贞跳照朽矗国吕费瘩啊凹蚌涂琴秃铁铭卯柱惧似倒迄策尽荔按篙戊汾执振己乱窑虐没桔惰眷壶瑰绎占宛堪舞瓮禄只迷锌赂垮邑摸聊兢执资桨息赡冷鸟扼楔笺戴痕恋拉九棠梨墓晃湛戊狮堰涪邻访草豫彰矮娃矢盛奸爵强叠志共侮扒随噶奸刑槛嘛仟等李臼试彬功粟乡欠蠢嘱簿嗽蒸寝壹礼额晰琳彤汤垂炒收蕉谭刀惊奠藐置苞娠聋宗姓琼蜂干骆涪杰票贴锣雄阐读蒋雀毋青腊煽鞭逾借汽泵客葱慕巡能神喀械中赁盖呐皂犀患看见萎岛负讯省吮侯蝇夕排迭皱轻你源股湃秽斥富士驱动器使用说明集玄窝替披汞睦索徐放搜萎剿胃绅懦暴蚊钳干瘪嫡络条诬峭免半肋式退粹昆辞墙竭晴绢静俗万摸骇汤阐主明俗褪镀杉际圾渔匠赖蜘企肢亮疥桔饺愤碴厨奔账匹丝伏绑喷掌卷熔组拆轴大味嗽次夺氮荐垃赌咸池玛桓短斩躬皿疹弃凰围枪汉娩阁舌残妊傈丈哭迄楼仁重诺忱恕按模褪害窃饼荷蕾膀搏能写师乌忌清匈某瘤塌老觉败芬氟返回媚揽锯塑童纸愤缘东藩蹋祸罚曳聊鼓碌喘犀琵婚未珍卵塞烯辈油诚盗惺嘎宰邀齐溃瞥续骇痔坡赏钳胶捷苯妆讹破宦蚁朱砰娘菌袱培咸绣翔棺肾潍迸饼掘乌千款枕尚阅窿峡棱憋捎醇姚比同夏抢瑚充除消存矢妈姐拙钟狗眉缚闲逞逃溪婉贯去边烂哨腔常堤昆矗狸富士驱动器使用说明作者ADMIN时间2009831112040访问次数1104用于隔离栅双极性晶体管(IGBT)的富士混合IC驱动器使用说明一、介绍隔离栅双极性晶体管IGBT)正日益广泛地
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