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文档简介

/这个程序原本是从论坛上下载的，但是用到51单片机中不能使用，只能一次写一个字节，经过高手的修改，已经能够用在51中。20110727/正常操作电压为2736V，实验中发现当电压超过425V后读出的状态字节为9A（正常/的状态字节值为9D），并且读写数据均不准确，所以应当保证卡片的供电电压不超过/425V。/SPI规范DATAISALWAYSCLOCKEDINTOTHEDEVICEONTHERISINGEDGEOFSCKA/NDCLOCKEDOUTOFTHEDEVICEONTHEFALLINGEDGEOFSCKALLINSTRUCTION/S,ADDRESSESANDDATAARETRANSFERREDWITHTHEMOSTSIGNIFICANTBITMSB/FIRST/20050602/INCLUDEINCLUDEINCLUDEINCLUDEDEFINEUCHARUNSIGNEDCHARDEFINEUINTUNSIGNEDINT/SFRP40XE8/SBITSPI_CSP41SBITSPI_SCKP40SBITSPI_SOP43SBITSPI_SIP42UNSIGNEDCHARAAAVOIDDYMS20VOIDUNSIGNEDCHARIFORI0I7SPI_HOSTWRITEBYTEUNSIGNEDCHARPA8SPI_HOSTWRITEBYTEUNSIGNEDCHARBFAFORI0I8SPI_HOSTWRITEBYTEUNSIGNEDCHARBFAFORI0I7SPI_HOSTWRITEBYTEUNSIGNEDCHARMADDR7SPI_HOSTWRITEBYTEUNSIGNEDCHARPA1SPI_HOSTWRITEBYTE0X00SPI_CS1VOIDMAINVOIDUNSIGNEDCHARIUCHARXDATATEST32IAT45DB041B_STATUSREGISTERREADMEMSETTEST,0X77,32AT45DB041B_BUFFERTOMAINMEMORYPAGEPROGRAMWITHBUILT_INERASE1,2047,0,TEST,32MEMSETTEST,0X26,32AT45DB041B_CONTINUOUSARRAYREAD2047,0,TEST,32BUF31TEST0MEMSETTEST,0X88,32AT45DB041B_BUFFERTOMAINMEMORYPAGEPROGRAMWITHBUILT_INERASE1,100,0,TEST,32MEMSETTEST,0X55,32AT45DB041B_CONTINUOU
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